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發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發(fā)展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(126xa.cn),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優(yōu)點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
自動供酸系統(tǒng)(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
發(fā)布時間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在...
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芯片巨頭宣告不玩高端技術 中芯會是一個闖關勇者?

時間: 2018-08-29
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全球 7 納米戰(zhàn)局又傳震撼消息,GlobalFoundries 宣布將暫停所有 7 納米 FinFET 技術的研發(fā),這代表大客戶 AMD 產品將全數委由臺積電代工,且未來參與 7 納米戰(zhàn)局的芯片大廠僅剩英特爾、臺積電和三星三家,然值得關注的是,中芯國際曾表示明年要進入第二代 FinFET 技術的開發(fā),是否會直攻 7 納米,搶下全球第四張入場券,值得后續(xù)高度關注!


芯片巨頭宣告不玩高端技術 中芯會是一個闖關勇者?


半導體高端技術是個燒錢的游戲,要不要玩下去,對許多廠商都是個困難的決定,三星、臺積電這些一線大廠沒有選擇的權利,只能一路玩到底,但聯(lián)電已經用行動宣布退出高端工藝的競賽,停在 14 納米工藝世代,如今,GlobalFoundries 也用退出 7 納米研發(fā)的決定,宣告世人“高端技術不玩了!”


芯片利潤集中在前三家,7 納米投資過大已讓二線廠難見投資回報


GlobalFoundries 退出后,全球 7 納米戰(zhàn)局成為英特爾、臺積電、三星三家半導體大廠的閉門游戲,且英特爾日前也淡出晶圓代工業(yè)務,即使開發(fā)出 7 納米的技術,會以自己產品為主,未來能開放代工服務的,僅剩下臺積電和三星。


其實 GlobalFoundries 退出高端技術,對于臺積電是短多長空,短多是可以 100% 拿下 AMD 訂單,但未來在 7 納米高端技術上,客戶若是要尋求第二供應商分散風險,只能被迫找三星做代工,這等于是變相扶植三星的晶圓代工業(yè)務成長茁壯,而三星是臺積電的頭號敵人,因此,這樣的轉變對于臺積電而言,長線確有隱憂。


芯片巨頭宣告不玩高端技術 中芯會是一個闖關勇者?


然而 GlobalFoundries 和聯(lián)電不玩高端技術想必是很痛的決定,但卻是可以被理解的。


過去半導體贏家的致勝之道,是要一路不回頭、咬緊牙關不斷投資,當景氣在低谷時更要加碼,當對手放棄時更要堅持,只要比競爭對手撐得更久,最后一定是贏家通吃,因為芯片產業(yè)是第一名賺大錢,第二名打平,第三名活得很辛苦,第四名之后通通賠錢,也因為如此,所有廠商咬牙持續(xù)投資就是為了要擠入前三名。


7 納米研發(fā)需要巨資,但全球真正有能力使用 7 納米工藝的客戶十分有限,客戶光是開一顆 7 納米的光掩膜就需要 1000 萬美元,過去 28 納米頂多100 萬美元??上攵? 納米客戶數目是集中在部分有需求的大公司,但不會是所有中小型芯片公司都需要。


細數 7 納米客戶無非是蘋果、高通、博通、英偉達、AMD、賽靈思、聯(lián)發(fā)科、海思等,現在又加入加密貨幣的客戶如嘉楠耘智、比特大陸等,且?guī)缀醵际桥_積電的客戶,如此有限的客戶數量,對比需要投入的巨資,進行 7 納米投資能否收回成本,這會是一大問題。


除了客戶數量少,投資報酬率恐無法回本外,第二個大問題是 7 納米的技術門檻持續(xù)拉高。


GlobalFoundries 技術卡關,臺積電通吃 AMD 代工訂單


今年真正可以進入 7 納米工藝量產的僅有臺積電,明年三星才會加入 7 納米生產,而英特爾光是 10 納米的工藝技術就一直難產,一延再延,可以想見半導體工藝技術未來的發(fā)展,連技術巨擘如英特爾都顯露出吃力的樣子,何況別人?


GlobalFoundries 原本就是 AMD 分拆出來的晶圓代工廠,原本的計劃是,AMD 的 7 納米產品是委由臺積電和 GlobalFoundries 兩家代工生產,不過,之前就傳出 GlobalFoundries 的 7 納米開發(fā)進度恐跟不上,因此 AMD 的 CPU 芯片和 GPU 芯片代工訂單都轉到臺積電。


芯片巨頭宣告不玩高端技術 中芯會是一個闖關勇者?


如今 GlobalFoundries 確認退出 7 納米技術的開發(fā),臺積電是大贏家,獨吃 AMD 的 CPU 芯片和 GPU 芯片代工訂單。AMD也在周一宣布所有的 7 納米產品都交由臺積電代工。


超微 CTO Mark Papermaster 表示,7 納米是超微下一個里程碑,包含 7 納米 Vega 繪圖晶片、 7 納米Rome 伺服器處理器,以及 7 納米的 Zen 2 處理器、 Navi 繪圖晶片等都交由臺積電代工,目前已與臺積電合作完成數個 7 納米的流片(tape-out),初步結果很令人滿意。


不過,AMD 和 GlobalFoundries 雖然不合作 7 納米工藝,仍會 14 納米和 12 納米的產品線上持續(xù)合作。


7 納米戰(zhàn)局剩三家大廠關起門來玩,中國大陸是否加入值得關注


GlobalFoundries 和聯(lián)電相繼退出 7 納米技術大戰(zhàn)后,該戰(zhàn)局成為英特爾、臺積電、三星三家半導體大廠的閉門游戲,不過,關于全球 7 納米戰(zhàn)局,未來還埋了一個巨大變數,這個變數的所在地位就在中國大陸。


中芯國際日前才宣布 14 納米FinFET 技術開發(fā)成功,同時透露會朝第二代的 FinFET 技術開發(fā),若中芯國際一舉朝 7 納米前進,將會成為全球第四家 7 納米技術供應商。


行業(yè)內人士認為,中芯國際在 14 納米 FinFET 技術開發(fā)成功后,往下究竟是規(guī)劃 10 納米?7 納米?或是介于中間的工藝技術?盡管目前公司尚未透露,但相信中芯國際未來在 7 納米工藝上不會缺席。


GlobalFoundries 的新首席執(zhí)行官 Tom Caulfield 上任后,有很多政策性的改變,日前才宣布裁員,以及中國成都 12 寸晶圓廠要開放合作伙伴入股,現在又宣布終止 7 納米工藝技術的開發(fā),一切的布局都是朝“cost down”進行。


GlobalFoundries 表示,公司將相應優(yōu)化開發(fā)資源集中在 14 納米和 12 納米 FinFET 平臺和服務客戶,提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新 IP 及功能,基于戰(zhàn)略調整,將擱置 7 納米 FinFET 項目,并調整相應研發(fā)團隊來支持強化的產品組合方案。


GlobalFoundries 進一步表示,在裁減相關人員的同時,一大部分頂尖技術人員將被部署到 14 納米和 12 納米 FinFET衍生產品和其他差異化產品的工作上。


GlobalFoundries 也正在建立獨立于晶圓代工業(yè)務外的 ASIC 業(yè)務全資子公司,該獨立 ASIC 實體將為客戶提供 7 納米及以下的晶圓代工替代選項,讓 ASIC 業(yè)務部與更廣泛的客戶展開合作,特別是日益增多的系統(tǒng)公司。


隨著聯(lián)電、GlobalFoundries 相繼退出 7 納米技術開發(fā),反映高端技術的投資回報率回收不易,以及高端技術門檻難以跨越,沒有把握的人只能放棄。


未來的芯片戰(zhàn)局是英特爾、臺積電、三星呈現三強鼎立,而晶圓代工戰(zhàn)局是臺積電、三星捉對廝殺,這種封閉式戰(zhàn)局會讓戰(zhàn)況更升溫、更為緊張,彼此不能出一個差錯、不錯掉一個拍子,不然會給對手坐大的機會,有沒有新加入者會進來打破這恐怖平衡的局勢?會是中芯國際嗎?這一切,值得持續(xù)關切注意。

來源:DeepTech深科技

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