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濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌
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發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２ 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最大晶...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50~100片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過(guò)濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在自動(dòng)模式情形...
發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過(guò)濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...
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華林科納晶圓電鍍?cè)O(shè)備分兩個(gè)系列， CPE(半自動(dòng))/CPEA（全自動(dòng)），主要 用于半導(dǎo)體晶圓凸點(diǎn)UBM金屬層制作 以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍； 還 可用于硅片制造中表層剝離、去除雜 質(zhì)以及大尺寸圖形腐蝕等方面。? 目前,比較典型的凸點(diǎn)制作工藝流程主要包括焊料凸點(diǎn)制作和金凸點(diǎn)制作。? 焊料凸點(diǎn)制作工藝流程: ? 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→光 刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測(cè)凸點(diǎn)→劃片分割→成品。? 金凸點(diǎn)制作工藝流程: ? 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測(cè)→成品。? 一般來(lái)說(shuō),凸點(diǎn)制備過(guò)程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點(diǎn)工藝還使用金錫、 錫、銀、銦、化學(xué)鍍鎳等鍍種。 更多的半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 11 - 02
瀏覽次數(shù)：122
刻蝕的目的是把經(jīng)曝光、顯影后光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉，即在下層材料上重現(xiàn)與光刻膠相同的圖形?？涛g方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個(gè)方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)，國(guó)內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行，國(guó)內(nèi)腐蝕機(jī)做的比較好的有蘇州華林科納（打個(gè)廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí)，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動(dòng)，浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達(dá)到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 07 - 25
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光刻的作用是把掩模版上的圖形轉(zhuǎn)換成晶圓上的器件結(jié)構(gòu)，它對(duì)集成電路圖形結(jié)構(gòu)的形成，如各層薄膜的圖形及摻雜區(qū)域等，均起著決定性的作用。 光刻的基本流程：前處理——涂膠——對(duì)版曝光——顯影——顯影檢查——后烘——腐蝕——腐蝕檢查——去膠——檢驗(yàn)歸批。前處理硅片容易吸附潮氣到它的表面，硅片暴露在潮氣中叫做親水性。對(duì)于光刻膠的粘附性，具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要，所以在成底膜和光刻膠旋涂前要進(jìn)行脫水烘焙。典型的烘焙是在傳統(tǒng)的充滿惰性氣體（如氮?dú)猓┑暮嫦浠蛘哒婵蘸嫦渲型瓿?，?shí)際的烘焙溫度是可變的，常用的溫度是200—250℃。脫水后的硅片馬上要用OAP （常用HMDS溶液：六甲基二硅胺烷）成底膜進(jìn)行表面處理，它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后盡快涂膠，使潮氣問(wèn)題達(dá)到最小化。成底膜的方法有：1、滴浸潤(rùn)液和旋涂：溫度和用量容易控制，但系統(tǒng)需要排液和排氣裝置，HMDS溶液消耗量大。2、噴霧分滴和旋轉(zhuǎn)：優(yōu)點(diǎn)是噴霧有助于硅片上顆粒的去除，缺點(diǎn)是處理時(shí)間長(zhǎng)和HMDS消耗大。3、氣相成底膜和脫水烘焙：最常用，氣相成底膜一般200—250℃下約30S完成。優(yōu)點(diǎn)是由于沒(méi)有與硅片接觸減少了來(lái)自液體HMDS顆粒沾污的可能，HMDS的消耗量也小。一種方法是先進(jìn)行脫水烘焙，再將單個(gè)硅片置于熱板上通過(guò)熱傳導(dǎo)熏蒸形成底膜，這種方法優(yōu)點(diǎn)是硅片由里向外烘焙，低缺陷密度，均勻加熱和可重復(fù)性。另一種方法是以...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 07 - 25
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這主要從兩個(gè)方面來(lái)考慮：一個(gè)是材料和工藝問(wèn)題；另一個(gè)是電氣性能問(wèn)題。       P型半導(dǎo)體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的三價(jià)元素，如：硼、銦、鎵或鋁等；N型半導(dǎo)體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的五價(jià)元素，如：磷、銻、砷等。P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體，在材料成本方面應(yīng)該差別不是很大，但要把它做成一個(gè)電子產(chǎn)品，在生產(chǎn)工藝方面會(huì)存在很大的差異。       例如，用本征鍺材料制作PNP晶體管相對(duì)于用本征鍺材料制作NPN晶體管容易很多，因?yàn)殂熍c鍺比較容易結(jié)合（擴(kuò)散）；同樣，用本征硅材料制作NPN晶體管，相對(duì)于用本征硅材料制作PNP管要容易很多。       某種半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的誕生并不是一天就可以達(dá)到盡善盡美的，需要通過(guò)大量試驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)積累。早期生產(chǎn)的場(chǎng)效應(yīng)管大部分是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，這種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)方面與PNP晶體管很相似，兩者的區(qū)別主要是基區(qū)引出電極的區(qū)別（基極與源極和漏極）。晶體管把中間的一層（N區(qū)）當(dāng)成一個(gè)電極引出稱為基極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)發(fā)射極和集電極引出；而場(chǎng)效應(yīng)管則是把基區(qū)當(dāng)成一個(gè)導(dǎo)電溝道（N溝道），并在其兩端分別引出一個(gè)電極，稱為源極和漏極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)源極和柵極引出。...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學(xué)清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。        （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。        （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。        （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O ...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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簡(jiǎn)介半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)是硅材料工業(yè)。雖然有各種各樣新型的半導(dǎo)體材料不斷出現(xiàn)，但 90%以上的半導(dǎo)體器件和電路，尤其是超大規(guī)模集成電路（ULSI）都是制作在高純優(yōu)質(zhì)的硅單晶拋光片和外延片上的。硅片清洗對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因?yàn)楣杵砻娴奈廴疚飼?huì)嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展以及人們對(duì)原料要求的提高，污染物對(duì)器件的影響也愈加突出。20世紀(jì)70年代在單通道電子倍增器基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)一種多通道電子倍增器。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、增益高、時(shí)間響應(yīng)快和空間成像等特點(diǎn)，因而得到廣泛應(yīng)。它主要應(yīng)用于各種類型的像增強(qiáng)器、夜視儀、量子位置探測(cè)器、射線放大器、場(chǎng)離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強(qiáng)器的核心部件。MCP的制作工藝周期長(zhǎng)且復(fù)雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關(guān)鍵因素之一。在MCP的工藝制造過(guò)程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機(jī)物和無(wú)機(jī)物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢,產(chǎn)生發(fā)射點(diǎn)、黑點(diǎn)、暗斑等,導(dǎo)致MCP的良品率下降,使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效,因此在MCP的制造過(guò)程中利用超聲波清洗技術(shù)去除污染物十分重要。 清洗方式普通的清洗方法一般不能達(dá)到孔內(nèi),而孔內(nèi)芯料的反應(yīng)生成物及其他污染物會(huì)在后序工藝中會(huì)產(chǎn)生重復(fù)污染...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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所謂的半導(dǎo)體，是指在某些情況下，能夠?qū)娏?，而在某些條件下，又具有絕緣體效用的物質(zhì)；而至于所謂的IC，則是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，作在一微小面積上，以完成某一特定邏輯功能（例如：AND、OR、NAND等），進(jìn)而達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能。自1947年12月23日第一個(gè)晶體管在美國(guó)的貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Lab)被發(fā)明出來(lái)，結(jié)束了真空管的時(shí)代，到1958年TI開(kāi)發(fā)出全球第一顆IC成功，又意謂宣告晶體管的時(shí)代結(jié)束，IC的時(shí)代正式開(kāi)始。從此開(kāi)始各式IC不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)，集積度也不斷提升。從小型集成電路（SSI），每顆IC包含10顆晶體管的時(shí)代；一路發(fā)展MSI、LSI、VLSI、ULSI；再到今天，短短50年時(shí)間，包含千萬(wàn)個(gè)以上晶體管的集成電路已經(jīng)被大量生產(chǎn)，并應(yīng)用到我們的生活的各領(lǐng)域中來(lái)，為我們的生活帶來(lái)飛速的發(fā)展。不能想象離開(kāi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)我們的生活將會(huì)怎樣，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r已成為一個(gè)國(guó)家的技術(shù)狀況的重要指針，電子技術(shù)也成為一個(gè)國(guó)家提高國(guó)防能力的重要途徑。 半導(dǎo)產(chǎn)品類別    目前的半導(dǎo)體產(chǎn)品可分為集成電路、分離式組件、光電半導(dǎo)體等三種。    集成電路(IC)，是將一電路設(shè)計(jì)，包括線路及電子組件，做在一片硅芯片上，使其具有處理信息的功能...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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一、雙極型IC的基本制造工藝：      A、在元器件間要做電隔離區(qū)（PN結(jié)隔離、全介質(zhì)隔離及PN結(jié)介質(zhì)混合隔離）          ECL（不摻金） （非飽和型） 、TTL/DTL （飽和型） 、STTL （飽和型）       B、在元器件間自然隔離          I2L（飽和型）二、MOSIC的基本制造工藝：      根據(jù)柵工藝分類：                A  鋁柵工藝                B  硅柵工藝      ...
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外延生長(zhǎng)的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長(zhǎng)出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長(zhǎng)技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。 MOCVD介紹：       金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱 MOCVD）， 1968年由美國(guó)洛克威爾公司提出來(lái)的一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計(jì)算機(jī)多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導(dǎo)體材料的外延生長(zhǎng)和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。 LED芯片的制造工藝流程：       外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。     &#...
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腐蝕液被腐蝕物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%）=76：3：15：5：0.01AlNH4(40%):HF(40%)=7:1SiO2,PSGH3PO4(85%)Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5SiKOH(3%~50%)各向異向SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10TiSi2
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