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濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌
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發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封，具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制，功能強(qiáng)大，操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn)，在6＂ （150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２ 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射，實(shí)現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)，該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有：①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最大晶...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái)，可同Run 50~100片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì)，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告，氣體不足，傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng)：?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對(duì)應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…（例）1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個(gè)客戶可以定制） 液體濺射（塵埃強(qiáng)制除去）  （推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過(guò)濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在自動(dòng)模式情形...
發(fā)布時(shí)間： 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡(jiǎn)稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過(guò)濾器：配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過(guò)濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在...
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組件線又叫封裝線，封裝是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟，沒(méi)有良好的封裝工藝，多好的電池也生產(chǎn)不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證，而且還增強(qiáng)了電池的抗擊強(qiáng)度。產(chǎn)品的高質(zhì)量和高壽命是贏得可客戶滿意的關(guān)鍵，所以組件板的封裝質(zhì)量非常重要。  4.1流程圖：       1、電池檢測(cè)——2、正面焊接—檢驗(yàn)—3、背面串接—檢驗(yàn)—4、敷設(shè)（玻璃清洗、材料切割、玻璃預(yù)處理、敷設(shè)）——5、層壓——6、去毛邊（去邊、清洗）——7、裝邊框（涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠）——8、焊接接線盒——9、高壓測(cè)試——10、組件測(cè)試—外觀檢驗(yàn)—11、包裝入庫(kù)；  4.2組件高效和高壽命如何保證：      1、 高轉(zhuǎn)換效率、高質(zhì)量的電池片 ；      下面是電池的結(jié)構(gòu)示意圖：     （1） 金屬電極主柵線；（2）金屬上電極細(xì)柵線；（3）金屬底電極；     （4）減反射膜；（5）頂區(qū)層（擴(kuò)散層）；（6）體區(qū)層（基區(qū)層）；      2、高質(zhì)量的原材料，例如...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：64
單晶制絨操作工藝       單晶硅片制絨工藝流程，主要包括以下幾個(gè)方面。  1.裝片       ①戴好防護(hù)口罩和干凈的橡膠手套。       ②將倉(cāng)庫(kù)領(lǐng)來(lái)的硅片從箱子中取出，以2o0片為一個(gè)生產(chǎn)批次，把硅片插入清洗小花籃，在裝片過(guò)程中，由于硅片易碎，插片員需輕拿輕放；來(lái)料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片，不能流人生產(chǎn)線，及時(shí)報(bào)告品管員，將這些硅片分類放置、集中處理；有缺片現(xiàn)象時(shí)，要在缺片記錄上記錄缺片的批號(hào)、廠商、箱號(hào)和缺片數(shù)。       ③在“工藝流程卡”上準(zhǔn)確記錄硅片批號(hào)、生產(chǎn)廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時(shí)間和主要操作員。       ④裝完一個(gè)生產(chǎn)批次后，把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上，等待制絨。  2.開(kāi)機(jī)       ①操作員打開(kāi)工藝排風(fēng)，打開(kāi)壓縮空氣閥門(mén)，打開(kāi)設(shè)備進(jìn)水總閥。       ②操作員打開(kāi)機(jī)器電源，待設(shè)備...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：54
鍺單晶拋光片主要用于航天領(lǐng)域中的太陽(yáng)電池系統(tǒng)中，在鍺單晶襯底上外延GaAs等材料制成的單結(jié)以及多結(jié)化合物太陽(yáng)能電池具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)?；衔锾?yáng)電池在MOCVD工藝中需要生長(zhǎng)多層晶體材料，并且是異質(zhì)結(jié)生長(zhǎng)，容易產(chǎn)生晶格畸變。因此，化合物太陽(yáng)電池對(duì)鍺單晶拋光片的表面質(zhì)量提出了較為苛刻的要求。  1．鍺單晶片的化學(xué)腐蝕工藝技術(shù)        通過(guò)采用不同的化學(xué)腐蝕液對(duì)鍺單晶片進(jìn)行化學(xué)腐蝕，從腐蝕速率和表面光潔度及粗糙度等方面進(jìn)行比較，最終選擇了一種比較適用于超薄鍺片拋光的化學(xué)腐蝕工藝，并通過(guò)不同腐蝕液對(duì)鍺腐蝕速率影響的研究，為鍺的清洗工藝、拋光工藝提供了較為詳細(xì)的參考。   2．鍺單晶片的拋光工藝技術(shù)        主要討論了拋光工藝參數(shù)對(duì)拋光片幾何參數(shù)和表面質(zhì)量的影響，并通過(guò)工藝實(shí)驗(yàn)，得到了最佳的超薄鍺單晶拋光片的拋光工藝。  3．鍺單晶拋光片的清洗工藝技術(shù)闡述了鍺單晶拋光片的清洗機(jī)理，通過(guò)對(duì)鍺拋光片表面有機(jī)物和顆粒的去除技術(shù)研究，建立了超薄鍺單晶拋光片的清洗技術(shù)。利用該技術(shù)清洗的超薄鍺單晶拋光片完全滿足了空間高效太陽(yáng)電池的使用要求。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介：        主要用于單晶太陽(yáng)能電池片制造工藝中的制絨工藝，能夠有效去除硅片表面的機(jī)械損傷層和氧化層，并在硅片表面制備一個(gè)反射率在10%～20%的織構(gòu)表面，形成類似“金字塔”狀的絨面,有效增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收,從而提高光生電流密度。 產(chǎn)品特點(diǎn):        預(yù)清潔工序使制絨更均勻        低化學(xué)劑消耗，可靈活調(diào)整配方　    強(qiáng)大的數(shù)據(jù)庫(kù)支持異常追蹤　　先進(jìn)的雙槽制絨工藝槽結(jié)構(gòu),具有更好的溫度及溶液均勻性　　性價(jià)比高，售后服務(wù)快捷   蘇州華林科納的太陽(yáng)能制絨酸洗機(jī)主要特點(diǎn)如下：    1.適用于8英寸以下的單晶硅及多晶硅太陽(yáng)能硅片的制絨酸洗    2.設(shè)備骨架用厚壁方鋼制做，外包德國(guó)進(jìn)口磁白聚丙稀pp板，美觀抗腐蝕性能優(yōu)越。    3.隔板：在1#、2#槽和3#、4#槽之間有隔板，1#槽單獨(dú)排風(fēng)，防止1#槽中揮發(fā)的有機(jī)氣體與其他氣體混合發(fā)生反應(yīng)。 &#...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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1.太陽(yáng)能概況  太陽(yáng)能是各種可再生能源中最重要的基本能源，生物質(zhì)能、風(fēng)能、海洋能、水能等都來(lái)自太陽(yáng)能，廣義地說(shuō)，太陽(yáng)能包含以上各種可再生能源。太陽(yáng)能作為可再生能源的一種，則是指太陽(yáng)能的直接轉(zhuǎn)化和利用。通過(guò)轉(zhuǎn)換裝置把太陽(yáng)輻射能轉(zhuǎn)換成熱能利用的屬于太陽(yáng)能熱利用技術(shù)，再利用熱能進(jìn)行發(fā)電的稱為太陽(yáng)能熱發(fā)電，也屬于這一技術(shù)領(lǐng)域；通過(guò)轉(zhuǎn)換裝置把太陽(yáng)輻射能轉(zhuǎn)換成電能利用的屬于太陽(yáng)能光發(fā)電技術(shù)，光電轉(zhuǎn)換裝置通常是利用半導(dǎo)體器件的光伏效應(yīng)原理進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的，因此又稱太陽(yáng)能光伏技術(shù)。 二十世紀(jì)50年代，太陽(yáng)能利用領(lǐng)域出現(xiàn)了兩項(xiàng)重大技術(shù)突破：一是1954年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研制出6％的實(shí)用型單晶硅電池，二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽(yáng)吸收涂層。這兩項(xiàng)技術(shù)突破為太陽(yáng)能利用進(jìn)入現(xiàn)代發(fā)展時(shí)期奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。 70年代以來(lái)，鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加，世界上許多國(guó)家掀起了開(kāi)發(fā)利用太陽(yáng)能和可再生能源的熱潮。1973年，美國(guó)制定了政府級(jí)的陽(yáng)光發(fā)電計(jì)劃，1980年又正式將光伏發(fā)電列入公共電力規(guī)劃，累計(jì)投入達(dá)8億多美元。1992年，美國(guó)政府頒布了新的光伏發(fā)電計(jì)劃，制定了宏偉的發(fā)展目標(biāo)。日本在70年代制定了“陽(yáng)光計(jì)劃”，1993年將“月光計(jì)劃”（節(jié)能計(jì)劃）、“環(huán)境計(jì)劃”、“陽(yáng)光計(jì)劃”合并成“新陽(yáng)光計(jì)劃”。德國(guó)等歐共體國(guó)家及一些發(fā)展中國(guó)...
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一、硅片檢測(cè)        硅片是太陽(yáng)能電池片的載體，硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低，因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來(lái)對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量，這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中，光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù)；微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋；另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組，其中一個(gè)在線測(cè)試模組主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類型，另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前，需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè)，并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片，并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?，從而提高檢測(cè)精度和效率。 二、表面制絨        單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有氫氧化鈉，氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用...
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一、電池片工藝流程       制絨(INTEX)---擴(kuò)散（DIFF）---后清洗（刻邊/去PSG）---鍍減反射膜（PECVD）---絲網(wǎng)、燒結(jié)（PRINTER）---測(cè)試、分選（TESTER+SORTER）---包裝（PACKING）。二、前清洗（制絨）知識(shí)簡(jiǎn)介       1、RENA前清洗工序的目的：       （1）去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來(lái)自硅棒切割的物理?yè)p傷）；       （2）清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）；　　（3）形成起伏不平的絨面，利用陷光原理，增加對(duì)太陽(yáng)光的吸收，在某種程度上增加了PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。       2、前清洗工藝步驟：制絨→堿洗 →酸洗→吹干       Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNO3 ，作用：　　   （1）去除硅片表面的機(jī)械損傷層；　　&...
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1、導(dǎo)電類型conductivity type   2、n-型半導(dǎo)體  n-type semiconductor       多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。   3、p-型半導(dǎo)體  p-type semiconductor       多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。   4、載流子  carrier       固體中一種能夠傳輸電荷的載體，又稱荷電載流子。例如，半導(dǎo)體中導(dǎo)電空穴和導(dǎo)電電子。   5、少數(shù)載流子minority carrier       小于載流子總濃度一半的那類載流子。例如：p型半導(dǎo)體中的電子。   6、雜質(zhì)濃度impurity concentration       單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)...
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晶片表面清洗       潔凈的晶片是芯片生產(chǎn)全過(guò)程中的基本要求，但并不是在每個(gè)高溫下的操作前都必須進(jìn)行。一般說(shuō)來(lái)，全部工藝過(guò)程中的高達(dá)20%的步驟為晶片清洗。而我在這里將要描述的清洗工藝，將貫穿芯片生產(chǎn)的全過(guò)程。        半導(dǎo)體工藝的發(fā)展過(guò)程在很多方面可以說(shuō)是清洗工藝隨著對(duì)無(wú)污染晶片需求不斷增長(zhǎng)而發(fā)展的過(guò)程。晶片表面有四大常見(jiàn)類型的污染，每一種在晶片上體現(xiàn)為不同的問(wèn)題，并可用不同的工藝去除。這四種類型是：     1．顆粒     2．有機(jī)殘余物     3．無(wú)機(jī)殘余物     4．需要去除的氧化層        通常來(lái)說(shuō)，一個(gè)晶片清洗的工藝或一系列的工藝，必須在去除晶片表面全部污染物（上述類型）的同時(shí)，不會(huì)刻蝕或損害晶片表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟(jì)的，是為業(yè)內(nèi)可接受的。通常對(duì)清洗工藝的設(shè)計(jì)適用于兩種基本的晶片狀況。一種叫作前線（FEOL），特指那些形成活性電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中，晶片表面尤其是MOS器件的柵區(qū)...
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砷化鎵是一種感光性能比當(dāng)前廣泛使用的硅更優(yōu)良的材料。理論上他將接收到的陽(yáng)光40%的轉(zhuǎn)化為電能，轉(zhuǎn)化率約是硅的2倍，因此衛(wèi)星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽(yáng)能電磁板的材料。然而，超聲波清洗器傳統(tǒng)的砷化鎵晶片制造技術(shù)每次只能生成一層晶片，成本居高不下，限制了砷化鎵的廣泛應(yīng)用。砷化鎵晶片在清洗工藝上的要求，是希望能夠達(dá)到對(duì)晶片表面上殘留的鎵氧化物、砷氧化物和一些對(duì)后續(xù)工藝有害的金屬、污垢、油污、雜質(zhì)、蠟點(diǎn)、塵埃、臟點(diǎn)等。在清洗上存在的難題，可以采用超聲波清洗機(jī)能夠達(dá)到理想的清洗效果。       超聲波清洗機(jī)的原理分解，可以達(dá)到物件全面潔凈的清洗效果，特別對(duì)盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗設(shè)備，不影響任何物件的材質(zhì)與精度。超聲波還具有的強(qiáng)力空腔化作用，可以在短時(shí)間內(nèi)清洗掉砷化鎵晶片上的污垢、油污，完全可保證產(chǎn)品的質(zhì)量。       超聲波清洗機(jī)清洗效果好，清潔度高且全部工件清潔度一致。清洗速度快，提高生產(chǎn)效率，不須人手接觸清洗液，安全可靠。清洗砷化鎵晶片的高清洗工藝要求，選用超聲波清洗機(jī)清洗。言之，超聲波清洗機(jī)的基本原理是以每秒幾萬(wàn)次的振動(dòng)，在液體中產(chǎn)生超聲波空化作用形成空化泡。在空化泡消失時(shí)產(chǎn)生很大的沖擊力，當(dāng)被洗工件受到這個(gè)外力沖擊時(shí)，工件表面的沾污就被剝離，達(dá)...
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