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外延片清洗機-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領域，濕法設備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術的不斷發(fā)展，濕法設備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統(tǒng)潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統(tǒng)集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統(tǒng)結構緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業(yè)相關清洗設備解決方案。

旋轉式噴鍍臺-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應用要求等特點，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、Ｎ２保護單元組成的陰極回轉體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下：從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出，采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結構方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結構本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結構，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結構，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結構上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結構簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應用，產(chǎn)品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標：最大晶...

雙腔甩干機

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統(tǒng)設計, 高穩(wěn)定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在自動模式情形...

單片清洗機CSE

發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應用領域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進封裝等設備名稱CSE-單片清洗機類型單片式適用領域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網(wǎng)，關注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房；3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關；8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能：每種化學液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...

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第三代半導體專業(yè)賽東部賽區(qū)決賽圓滿舉行

時間: 2018-09-11

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9月6日-7日，第七屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽國際第三代半導體專業(yè)賽東部賽區(qū)(以下簡稱“大賽”)決賽暨頒獎典禮在張家港沙洲湖舉行。這是本屆國際第三代半導體專業(yè)賽的首場地區(qū)決賽，共計6個項目在決賽中獲獎，并成功晉級全球總決賽。

中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽是目前國內(nèi)規(guī)格最高的全國性雙創(chuàng)比賽，作為大賽的六大專業(yè)賽事之一，國際第三代半導體專業(yè)賽力求通過賽事挖掘項目亮點、優(yōu)勢、需求，并給予創(chuàng)業(yè)項目多方位的幫助和支持，幫助企業(yè)成長。

本次大賽分為企業(yè)組與團隊組，東部賽區(qū)共計吸引140多個項目報名，并展開激烈角逐。大賽經(jīng)過報名、選拔賽、初賽、復賽等環(huán)節(jié)，歷經(jīng)近兩個月的角逐，20個優(yōu)質(zhì)項目從百余個參賽企業(yè)中脫穎而出進入決賽，項目涵蓋半導體照明、智能配電、5G通訊、新能源汽車等多行業(yè)。

路演現(xiàn)場可謂百家爭鳴、各展風采，這其中有的項目聚焦高密度Wi-Fi技術創(chuàng)新，解決終端密集場景的Wi-Fi上網(wǎng)問題，有的項目主要開發(fā)應用于近眼顯示設備(如軍用頭盔顯示器、軍用紅外夜視儀、軍用紅外槍瞄，AR/VR眼鏡等)的高亮度低功耗硅基OLED微顯示器，從而實現(xiàn)打破國外技術封鎖壁壘，實現(xiàn)自主創(chuàng)新，有的項目則在現(xiàn)場展示了其自主研發(fā)的中心頻率高達5.2GHz的FBAR濾波器，商業(yè)價值前景十分可觀。

第三代半導體專業(yè)賽東部賽區(qū)決賽圓滿舉行

本次大賽采用“10+5”模式進行，即參賽選手依次進行10分鐘項目路演，由產(chǎn)業(yè)專家和投資人組成的評委團對選手的技術和產(chǎn)品、商業(yè)模式及實施方案、行業(yè)及市場、團隊、財務分析等方面進行提問、評價打分。最終蘇州鍇威特半導體有限公司喜獲企業(yè)組一等獎、張家港意發(fā)功率半導體有限公司喜獲企業(yè)組二等獎、南京苗米科技有限公司喜獲企業(yè)組三等獎，祝曉釗團隊、中科院半導體所濾波器團隊、微納增材制造事業(yè)部分別獲得團隊組一、二、三等獎，大賽組委會在9月7日上午舉行了隆重的頒獎典禮，張家港市政府、張家港高新區(qū)、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟等領導為獲獎選手頒發(fā)了證書、獎杯以及獎金。

第三代半導體專業(yè)賽東部賽區(qū)決賽圓滿舉行

東部賽區(qū)決賽中勝出的六個項目將代表東部賽區(qū)出征國際第三代半導體專業(yè)賽的全球總決賽，進入總決賽的參賽項目將與其他賽區(qū)的優(yōu)勝項目一起，通過更加激烈的比賽，爭奪全球總決賽的名次，同時爭取更多大賽的創(chuàng)扶資金支持，以及政府、科研院所、人才等方面的資源對接。

作為本次大賽東部賽區(qū)的舉辦地，張家港在全力支持和鼓勵第三代半導體產(chǎn)業(yè)在當?shù)氐陌l(fā)展，張家港亦在積極引進第三代半導體產(chǎn)業(yè)人才及項目，給予相關項目和人才充裕的資金、技術、環(huán)境等支持及優(yōu)惠的落戶政策支持。本次大賽東部賽區(qū)吸引的大量優(yōu)秀人才和項目，也充分感受到了張家港的發(fā)展?jié)摿蛢?yōu)質(zhì)資源，這對于張家港的第三代半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展有著重要作用，無疑將推動這一新興產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展。

第三代半導體專業(yè)賽東部賽區(qū)決賽圓滿舉行

大賽東部賽區(qū)頒獎典禮同期，還舉辦了產(chǎn)業(yè)開放創(chuàng)新論壇，論壇邀請了來自第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于坤山、中科院蘇州納米研究所研究員徐科、南京航空航天大學無錫研究院常務副院長王飛鵬、星啟創(chuàng)新創(chuàng)始人王磊等嘉賓就第三代半導體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)展、技術、應用、服務等方面進行了精彩演講。

來源：智快網(wǎng)

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