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濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌


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槽式清洗設(shè)備
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推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
晶片凸點(diǎn)電鍍?cè)O(shè)備-南通華林科納CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后,送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無(wú)論是雙列直插封裝(DIP),還是四邊引線扁平封裝(QFP),封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機(jī)等便攜式裝置的體積很小,所以要求器件的體積越小越好,像有300多個(gè)引出端的液晶顯示器(LCD)驅(qū)動(dòng)電路,必須采用WLP的芯片尺寸封裝(CSP)。有些特殊的高頻器件,為了減小引線電感的影響,要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下,華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點(diǎn),例如金凸點(diǎn)、焊料凸點(diǎn)、銦凸點(diǎn),然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。  更多晶圓電鍍?cè)O(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍?cè)O(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽(yáng)能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺(tái)產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn): 干燥后無(wú)斑點(diǎn)IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個(gè)方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù),國(guó)內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行,國(guó)內(nèi)腐蝕機(jī)做的比較好的有蘇州華林科納(打個(gè)廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí),腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動(dòng),浸潤(rùn)劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達(dá)到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動(dòng)片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時(shí)間可以調(diào)整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機(jī)理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡(luò)合物,利用這個(gè)性質(zhì)可以很容易通過(guò)光刻工藝實(shí)現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻,現(xiàn)在大部分都改為...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
設(shè)備名稱:高溫磷酸清洗機(jī)設(shè)備型號(hào):CSE-SZ2011-16整機(jī)尺寸:約2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)節(jié)拍:根據(jù)實(shí)際工藝時(shí)間可調(diào)清洗量:批量清洗時(shí),采用提籃裝片,單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于25片4"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于20片6"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機(jī)殼,優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架,外包3mmPP板防腐機(jī)臺(tái)底部:廢液排放管路,防漏液盤結(jié)構(gòu)機(jī)臺(tái)支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且通過(guò)可調(diào)式地腳,可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材,排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸型照明臺(tái)面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板(帶有圓形漏液孔,清除臺(tái)面殘留液體)附件:水、氣槍左右各兩套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制;安全保護(hù)裝置:      ●設(shè)有EMO(急停裝置),       ●強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離      ●設(shè)備三層防漏  托盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺(tái)面布置圖:各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設(shè)備-南通華林科納CSE   晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍?cè)O(shè)備針對(duì)這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的,對(duì)所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類,適合不同客戶的需求。 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具體應(yīng)用:電鍍、電鑄工藝類型:電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圓尺寸:8inch或以下尺寸,單片或多片基本配置:操作臺(tái)(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)設(shè)備功能和特點(diǎn)(不同電鍍工藝配置有所差異) 1. 產(chǎn)品名稱:芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列:CSE-XL3. 晶圓尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng),內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料:勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計(jì) 7. 溫度控制系統(tǒng):70+/-1C 8. 循環(huán)過(guò)濾出系統(tǒng),流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽(yáng)極 11. 陰極擺動(dòng)裝置,頻率可調(diào)。 12. 陽(yáng)極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺(tái),風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級(jí)清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系:均為無(wú)氰電鍍液體系。 19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5% 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多晶圓電鍍?cè)O(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)www.hlkncse...
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 04 - 06
黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長(zhǎng)期以來(lái),多晶太陽(yáng)電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決,制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題,該技術(shù)將來(lái)勢(shì)必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨,形成蠕蟲狀的坑洞;而單晶采用堿制絨,形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池,常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%(絕對(duì)值)。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面,單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣,成本大幅下降;而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配,具體講,金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后,反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷,嚴(yán)重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問(wèn)題,既能提升電池效率又能降低電池成本,是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。 設(shè)備名稱CSE-黑硅制絨設(shè)備用途單晶/多晶太陽(yáng)能電池片的金剛線切割后制絨產(chǎn)能3600-4000PCS/H;年產(chǎn)能120MW正常運(yùn)作時(shí)間23h/d裝片量200pcs碎片率轉(zhuǎn)換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉(zhuǎn)化效率可以達(dá)到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻,晶界模糊,無(wú)色差;安裝調(diào)試時(shí)間 技術(shù)硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關(guān)設(shè)備,可以關(guān)注網(wǎng)址:http://126xa.cn,熱線:400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 04 - 05
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
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全自動(dòng)硅料清洗機(jī) ---華林科納CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽(yáng)能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場(chǎng)影響。生產(chǎn)工藝流程為:預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn):1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì);2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營(yíng)成本;3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證;5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過(guò)程控制。特點(diǎn):1)主要用于對(duì)硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動(dòng)或自動(dòng)4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設(shè)備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu),便于清洗和排渣;  6)設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果;7)頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽(yáng)能光伏清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
全自動(dòng)硅芯硅棒清洗機(jī)---CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽(yáng)能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場(chǎng)影響。生產(chǎn)工藝流程為:預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn):1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì);2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營(yíng)成本;3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證;5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過(guò)程控制。產(chǎn)品描述1)主要用于對(duì)硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動(dòng)或自動(dòng)4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設(shè)備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu),便于清洗和排渣;  6)設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果;7)頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽(yáng)能光伏清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlcas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
顯影清洗機(jī)CSE-南通華林科納微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動(dòng)器/微能源/等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機(jī)電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴(kuò)散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設(shè)備概述設(shè)備名稱:顯影清洗機(jī)整機(jī)尺寸:約1000mm(L) ×1260mm(W) ×1900mm(H)(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)主體構(gòu)造特點(diǎn)設(shè)備包括設(shè)備主體、電氣控制部分、顯影清洗槽等;并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等主體設(shè)備主體使用德國(guó)勞士林10mm瓷白PP骨架SUS304+PP德國(guó)勞士領(lǐng)板組合而成安全門設(shè)備安裝高透明PVC上下推拉安全門,分隔與保護(hù)人員安全;邊緣處設(shè)備密封條臺(tái)面高度約900mm,適合高于1.5米人群操作工藝槽模組化設(shè)計(jì),放置在同一個(gè)承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn)。管路系統(tǒng)位于設(shè)備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明;藥液管路采用勞士林PP管,純水管路采用積水CL-PVC管,廢液可通過(guò)專用管道排放電氣保護(hù)電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū),電氣元件有充分的防護(hù)以免腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠。工作照明上方防酸型照明220V 40W 可更換水氣槍機(jī)臺(tái)前部配備有PP純水槍和PP CDA槍各一只置左右兩側(cè),水槍滴漏活水設(shè)計(jì),方便操作員手工清洗槽體或工件機(jī)臺(tái)支腳有滑輪裝置及固定裝置并加防腐座,并且有高低調(diào)整及鎖定功能安全保障完善的報(bào)警和保護(hù)設(shè)計(jì),排風(fēng)壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖,直觀的操作界面,清晰的信息提示,保障了生產(chǎn)、工藝控制和安全性三色警示...
全自動(dòng)制絨清洗機(jī)設(shè)備--CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽(yáng)能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設(shè)備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設(shè)備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎(chǔ)和市場(chǎng)影響。生產(chǎn)工藝流程為:預(yù)清洗→制絨→擴(kuò)散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽(yáng)能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點(diǎn):1.獨(dú)特的雙槽制絨工藝槽設(shè)計(jì);2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運(yùn)營(yíng)成本;3.多通道注入結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機(jī)械傳動(dòng)特殊設(shè)計(jì)及人性化安全保證;5.適應(yīng)性強(qiáng)的工藝過(guò)程控制。產(chǎn)品描述1)主要用于對(duì)硅材料行業(yè)中多晶硅塊進(jìn)行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動(dòng)或自動(dòng)4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設(shè)備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構(gòu),便于清洗和排渣;  6)設(shè)備設(shè)有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達(dá)到更好的清洗效果;7)頂部設(shè)有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進(jìn)行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機(jī)界面操作顯示能根據(jù)實(shí)際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽(yáng)能單晶多晶硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlcas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
晶圓清洗機(jī)設(shè)備名稱:晶圓清洗機(jī)-CSE產(chǎn)品特點(diǎn):? 針對(duì)21英寸外徑或15x15英寸的基底? 巨聲環(huán)境清洗艙(可配備去離子水, 清洗刷, 熱去離子水, 高壓去離子水, 熱氮?dú)猓? 化學(xué)注射臂? 帶化學(xué)噴射的可變速清洗刷? 觸屏用戶界面? 手動(dòng)上下載? 安全鎖和報(bào)警器? 占地尺寸30”D x 26”W 可選配項(xiàng):? 化學(xué)試劑傳送單元? 白骨化清洗? 臭氧發(fā)生器? 氫化雙氧水發(fā)生器? 高壓雙氧單元? 硫酸氫過(guò)氧化物? 紅外加熱? 雙氧水循環(huán)裝置? 機(jī)械手上下載單元? 帶EFEM和SMIF界面的 集群系統(tǒng)清洗功能? 晶圓片? 藍(lán)寶石外延片? 晶圓框架上的芯片? 顯示面板? ITO膜顯示材料? 有圖形掩膜和無(wú)圖形掩膜? 掩膜坯料? 薄膜式掩膜? 接觸式掩膜光刻處理工藝? SPM剝離? 光刻膠涂膜? 光刻膠剝離工藝刻蝕? 金屬刻蝕(鋁,銅,鉻,鈦)白骨化清洗? 在晶圓片上注射硫酸和雙氧水的混合液? 紅外加熱? 刷洗? 兆聲雙氧水清洗? 熱氮和甩干去膠/剝離工藝? 帶紅外加熱的NMP滴膠? 刷洗? 兆聲雙氧水清洗? 熱氮和甩干CMP溶液清洗? 用刷洗和兆聲清洗去除CMP顆粒? 化學(xué)噴射臂? 化學(xué)噴射罐? 為前面和背面刷洗設(shè)計(jì)的特殊托盤? 可調(diào)速的PVA清洗刷? 可調(diào)的清洗刷/晶圓接觸壓力? 刷式化學(xué)噴射帶膜/不帶膜式掩膜清洗? 全套清洗(無(wú)需更換保護(hù)膜)? 全保護(hù)膜? 膜式掩膜清洗工藝 1)  掩膜背面清洗后 兆聲雙氧水清洗 刷式清洗 化學(xué)清洗 熱氮甩干 2)熱氮甩干更多半導(dǎo)體設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的設(shè)備相關(guān)方案
無(wú)機(jī)清洗機(jī)?設(shè)備名稱:無(wú)機(jī)清洗機(jī)?設(shè)備型號(hào):CSE-JR11-WJ04?整機(jī)尺寸(參考):約2000mmL×1400mmW×2000mmH;?硅片尺寸:2寸~6寸?工作環(huán)境:室內(nèi)放置;?操作形式:手動(dòng)?重量:650Kg( 大約);蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司由中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所合資成立于2008年3月,投資4500萬(wàn)元。主要從事半導(dǎo)體設(shè)備、太陽(yáng)能光伏設(shè)備、液晶濕制程設(shè)備、真空設(shè)備的研發(fā)、技術(shù)推廣和生產(chǎn)銷售。
硅片濕法清洗技術(shù)與設(shè)備---華林科納CSE硅片制造過(guò)程中,在進(jìn)行下一步工藝前要獲得 一個(gè)潔凈的表面,以保證后道工藝能再一個(gè)完全潔 凈的表面上進(jìn)行,這就需要對(duì)硅片進(jìn)行清洗。清洗是硅片制造過(guò)程中重復(fù)次數(shù)最多的工藝。目前,在 清洗工藝中使用最多的就是濕法清洗技術(shù),華林科納半導(dǎo)體設(shè)備公司的硅片濕法腐蝕清洗機(jī)在半導(dǎo)體行業(yè)得到了很多客戶的認(rèn)可.1 硅片濕法清洗的種類1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面顆粒的一種直接而有效的方法,該清洗技術(shù)一般用在切割或拋光后的硅片清洗上,可高效地清除拋光后產(chǎn)生的大量顆粒。刷洗一般有單面或雙面兩種模式,雙面模式可同時(shí)清洗硅片的兩面。刷洗有時(shí)也與超聲及去離子水或化學(xué)液一起配合使用,以達(dá)到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化學(xué)清洗1.2.1 RCA 清洗20 世紀(jì) 60 年代,由美國(guó)無(wú)線電公司(RCA)研發(fā)了用于硅片清洗的 RCA 清洗技術(shù),這種技術(shù)成為后來(lái)各種化學(xué)清洗技術(shù)的基礎(chǔ),現(xiàn)在大多數(shù)工廠所使用的清洗技術(shù)都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的順序依次浸入兩種標(biāo)準(zhǔn)清洗液(SC-1 和 SC-2)中來(lái)完成,這兩種清洗液的使用溫度一般在 80 ℃以內(nèi),有時(shí)也需要將溶液冷卻到室溫以下。1.2.2 改進(jìn)的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高溫下進(jìn)行,并且化學(xué)液的濃度很高,這樣就造成大量消耗化學(xué)液和去離子水的問(wèn)題。目前,很少有人還按照最初的 RCA化學(xué)液配比進(jìn)行濕法清洗。在 RCA 清洗的基礎(chǔ)上,采用稀釋化學(xué)法,將SC-1、SC-2 稀釋到 100 倍以上,也可以達(dá)到甚至超過(guò)最初的 RCA 清洗效果。改進(jìn)的 RCA 清洗方法最大的好處是減少了化學(xué)液的消耗,可使化學(xué)液的消耗量減少 85﹪以上。另外,附加兆聲或超聲能量后,可大大降低溶液的使用溫度和反應(yīng)時(shí)間,提高溶液的使用壽命,大幅度降低了生產(chǎn)成本,同時(shí),低濃度化學(xué)液對(duì)人體健康和安全方面...
晶片清洗機(jī)設(shè)備名稱:晶片清洗機(jī)-華林科納CSE清洗對(duì)象:本設(shè)備適用于2″~8″晶片清洗。 ⑴超聲清洗,加熱清洗為單槽定時(shí)控制,到時(shí)給予結(jié)束提示音。⑵工藝過(guò)程:上料→支離子水超聲清洗→去離子水加熱清洗→去離子水沖洗→ 下 料 本設(shè)備為柜體式,操作面帶有透明門窗。⑴槽體材料為德國(guó)進(jìn)口聚丙烯(磁白色PP板),焊口采用SS外包5mm厚德國(guó)磁白色PP板,外型美觀實(shí)用。 ⑵設(shè)備超聲,加熱清洗時(shí)間由定時(shí)器控制。 ⑶加熱槽裝有溫控表(pompon)和傳感器。 ⑷每個(gè)清洗槽互不影響,超聲、沖洗清洗槽的上給水(沖洗清洗槽配有熱水)、下排水為手動(dòng)方式。 ⑸配有可調(diào)節(jié)式的排風(fēng)裝置。 ⑹配有美國(guó)進(jìn)口氮?dú)鈬姌尅?#160;⑺電控部分采用密封保護(hù)方式配有緊急停機(jī)及報(bào)警裝置。更多半導(dǎo)體設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的設(shè)備相關(guān)方案
太陽(yáng)能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)-CSE在光伏發(fā)電領(lǐng)域,由于多晶硅電池片成本較低,其 市 場(chǎng) 占有率已躍居首位,但相對(duì)于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽(yáng)能電池 片與單晶硅太陽(yáng)能電池片之間的差距,采用織構(gòu)化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前,多晶硅表面織構(gòu)化的方法主要有機(jī)械刻槽、激光刻槽、反應(yīng)離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等,其中各 向同性酸腐制絨技術(shù)的工藝簡(jiǎn)單,可以較容易地整合到多晶 硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)工序中,同時(shí)成 本 最 低,因 而 在 大 規(guī) 模 的工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。更多的太陽(yáng)能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國(guó)內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來(lái)與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備設(shè) 備 名  稱南通華林科納CSE-RCA濕法腐蝕清洗機(jī)使 用 對(duì) 象硅晶片2-12inch適 用 領(lǐng)  域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等設(shè) 備 用 途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備主體構(gòu)造特點(diǎn)1. 設(shè)備包括:設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設(shè)備為半敞開式,主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅(jiān)固耐用,雙層防漏,機(jī)臺(tái)底盤采用德國(guó)產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體:設(shè)備為半敞開式,主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅(jiān)固耐用,雙層防漏,機(jī)臺(tái)底盤采用德國(guó)產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中;4.骨 架:鋼骨架+PP德國(guó)勞施領(lǐng)板組合而成,防止外殼銹蝕。5.儲(chǔ)物區(qū):位于工作臺(tái)面左側(cè),約280mm寬,儲(chǔ)物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐;6.安全門:前側(cè)下開透明安全門,腳踏控制;7.工藝槽:模組化設(shè)計(jì),腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個(gè)統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn);8.管路系統(tǒng):位于設(shè)備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明;藥液管路采用PFA管,純水管路采用白色NPP噴淋管,化學(xué)腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過(guò)專用管道排放;9.電氣保護(hù):電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū),電氣元件有充分的防護(hù)以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠;所有可能與酸霧接觸的...
紅外器件清洗機(jī)設(shè)備名稱:紅外器件清洗機(jī)-CSE產(chǎn)品特點(diǎn):設(shè)備由預(yù)洗槽、超聲波清洗槽、漂洗槽、超聲波電源柜等組成。清洗槽材質(zhì)為不銹鋼,經(jīng)久耐用。預(yù)洗槽底部設(shè)置了壓力噴嘴,使浸泡過(guò)程中靜止的液體變?yōu)榱鲃?dòng)的液體,上下翻滾,形成湍流,有效去除散熱片狹縫中的污物。超聲波清洗槽底部、側(cè)面均設(shè)置了換能器,使被清洗的工件表面得到均勻的聲強(qiáng)。在超聲作用下,采用水劑代替煤油或有機(jī)溶劑進(jìn)行清洗,可顯著降低清洗成本。更多半導(dǎo)體設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037,可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的設(shè)備相關(guān)方案
溝槽腐蝕機(jī)-CSE概述1.1 設(shè)備概況:主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過(guò)對(duì)si片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。1.1.1 設(shè)備名稱:溝槽腐蝕機(jī)1.1.2 設(shè)備型號(hào):CSE-SC-N6011.1.3 整機(jī)尺寸(參考):約2000mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);1.1.4 被清洗硅片尺寸:5寸/6寸1.1.5 設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;1.1.6 操作形式:手動(dòng)1.2 設(shè)備組成該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備工藝走向:參照本方案臺(tái)面布局圖1.3 設(shè)備描述●此裝置是一個(gè)半自動(dòng)的處理設(shè)備?!?.0英寸PROFACE 人機(jī)界面顯示 / 檢測(cè) / 操作●主體材料:10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;●化學(xué)槽槽體材料:德國(guó)勞士領(lǐng) 10mm  PVDF板;●純水槽槽體材料:德國(guó)勞士領(lǐng) 10mm  NPP板;●臺(tái)面板為10mm PP板(帶有菱形漏液孔);●DIW主管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口clean-PVC管材,支管路及閥件采用PFA材質(zhì),需滿足18M去離子水水質(zhì)要求;酸 堿管路材質(zhì)為進(jìn)口PFA/PVDF;●采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬(wàn)級(jí)凈化間內(nèi)完成●排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后下部●工作照明:上方防酸型白光照明●歐姆龍/三菱 PLC控制?!癜踩紤]:1. 設(shè)有EMO(急停裝置), 2. 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 電控箱正壓裝置(CDA Purge)5. 設(shè)備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報(bào)警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)6. 排放管路加過(guò)濾裝置7 排液按鈕具有連鎖功能。啟動(dòng)排液時(shí),同時(shí)切斷泵啟動(dòng)。8 槽內(nèi)配液位開關(guān),無(wú)液不循環(huán)。更多半導(dǎo)體設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨...
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