国产最火爆中文字幕精品亚洲无线码一区网站_国产日韩欧美中文字幕第一页_亚洲欧洲成人∨a在线观看_欧美老妇在线视频_欧美一级a做一级a做片性_又又酱游泳馆酒店_色哟哟国产精品视频_可莉被旅行者若干哭了_日韩毛片电影在线观看_高清一级不卡毛片

歡迎訪問華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
手機網(wǎng)站
始于90年代末

濕法制程整體解決方案提供商

--- 全國服務(wù)熱線 --- 0513-87733829



新聞資訊 新聞中心
400-8798-096
聯(lián)系電話
聯(lián)系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設(shè)備-華林科納(江蘇)CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后,送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝(DIP),還是四邊引線扁平封裝(QFP),封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小,所以要求器件的體積越小越好,像有300多個引出端的液晶顯示器(LCD)驅(qū)動電路,必須采用WLP的芯片尺寸封裝(CSP)。有些特殊的高頻器件,為了減小引線電感的影響,要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下,華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點,例如金凸點、焊料凸點、銦凸點,然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。  更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù),一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術(shù),即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù);濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù),這是各向同性的刻蝕方法,利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù),有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進(jìn)行,腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達(dá)到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調(diào)整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡(luò)合物,利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻,現(xiàn)在大部分都改為一步光刻,只有少部分品種還分步光刻,比如2XN003,2XN004,2XN013,2XP013等...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
設(shè)備名稱:高溫磷酸清洗機設(shè)備型號:CSE-SZ2011-16整機尺寸:約2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)節(jié)拍:根據(jù)實際工藝時間可調(diào)清洗量:批量清洗時,采用提籃裝片,單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于25片4"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于20片6"外延片,每次不少于1藍(lán),每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機殼,優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架,外包3mmPP板防腐機臺底部:廢液排放管路,防漏液盤結(jié)構(gòu)機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且通過可調(diào)式地腳,可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材,排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng):位于機臺后上部工作照明:上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板(帶有圓形漏液孔,清除臺面殘留液體)附件:水、氣槍左右各兩套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制;安全保護(hù)裝置:      ●設(shè)有EMO(急停裝置),       ●強電弱點隔離      ●設(shè)備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖:各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設(shè)備-華林科納(江蘇)CSE   晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。華林科納(江蘇)的晶圓電鍍設(shè)備針對這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的,對所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類,適合不同客戶的需求。 設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域:半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具體應(yīng)用:電鍍、電鑄工藝類型:電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圓尺寸:8inch或以下尺寸,單片或多片基本配置:操作臺(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)設(shè)備功能和特點(不同電鍍工藝配置有所差異) 1. 產(chǎn)品名稱:芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列:CSE-XL3. 晶圓尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng),內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料:勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計 7. 溫度控制系統(tǒng):70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng),流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置,頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺,風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系:均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5% 設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)w...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 06
異質(zhì)結(jié)高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設(shè)備—華林科納CSE 設(shè)備用途: 對高效太陽能電池異質(zhì)結(jié)電池片進(jìn)行制絨、清洗設(shè)備工藝流程:l  H2O2工藝:SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干l  O3工藝:預(yù)清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學(xué)拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干技術(shù)特點:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時l  結(jié)構(gòu)布局緊湊合理并且采用雙層槽結(jié)構(gòu),設(shè)備占地空間小l  先進(jìn)的400片結(jié)構(gòu),有效提高設(shè)備工藝產(chǎn)能l  工藝槽體采用“定排定補”模式和“時間補液”模式相結(jié)合,有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l  補配液采用槽內(nèi)與補液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測,以及可調(diào)節(jié)氣閥控流結(jié)構(gòu),有效保證初配時間和微量精補配液的精度l  所有與液體接觸材料優(yōu)化升級,避免材料使用雜質(zhì)析出l  采用最新低溫烘干技術(shù),保證槽內(nèi)潔凈度和溫度控制精度技術(shù)參數(shù):l  設(shè)備尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  產(chǎn)能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多異質(zhì)結(jié)高效電池制絨清洗相關(guān)設(shè)備,可以關(guān)注網(wǎng)址:http://126xa.cn,熱線:400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 05
單腔立式甩干機-華林科納CSE華林科納(江蘇)CSE-單腔立式甩干機系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝設(shè)備名稱華林科納(江蘇)CSE-單腔立式甩干機優(yōu)    點 清洗系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝 不同配置(可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨立、雙腔) 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地,設(shè)備帶有滾輪可移動 優(yōu)越的可靠性 獨特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標(biāo)準(zhǔn)的高邊和低邊花籃 可選內(nèi)置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個菜單,每個菜單可有10步 多等級用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收 電阻率監(jiān)測裝置 機械手自動加載 可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設(shè)計的花籃設(shè)備制造商華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 0513-87733829;更多的單腔立式甩干機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
新聞中心 新聞資訊
一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡述: PVD真空鍍膜生產(chǎn)工藝流程圖1.五金配件:項目中的五金配件均為客戶提供的已檢驗合格的產(chǎn)品,在廠區(qū)內(nèi)進(jìn)行表面鍍膜后加工,不產(chǎn)生生產(chǎn)廢料。2.人工擦拭:項目的人工擦拭工序為用于擦拭五金配件中的污潰,污漬可直接用手套擦拭,此環(huán)節(jié)產(chǎn)生的污染物主要為廢手套。3.烘烤:項目的烘烤工序所使用的烤箱,工作溫度約為200℃,以電為能源,管狀的五金配件中空心的地方由于工人操作失誤,沾染廢機油后,進(jìn)入烤箱烘烤將廢機油烤干,干凈的五金配件無需進(jìn)行烘烤,為防止烘箱的溫度太高,需對其進(jìn)行冷卻,項目采用水冷,冷卻水循環(huán)使用,不外排。5.真空鍍膜:項目的真空鍍膜工序是指在真空環(huán)境中利用粒子轟擊靶材(鈦塊)產(chǎn)生的濺射效應(yīng),使得靶材原子或分子從固體表面射出,在基片上沉積形成薄膜的過程。在真空設(shè)備中(立式真空爐)通入惰性氣體(氯氣、氮氣),在兩極加上一定電壓使其電離產(chǎn)生等離子體,靶材表面加上一定的負(fù)偏壓,使得等離子體中的正離子飛速向靶材表面運動,撞擊靶材表面使其產(chǎn)生濺射效應(yīng)產(chǎn)生靶原子,靶材原子在真空室中自由運動,于工件表面沉積,從而形成薄膜。鍍膜過程在密閉真空設(shè)備內(nèi)進(jìn)行,鍍膜過程中無氣體排放,在下次鍍膜之前對濺射腔內(nèi)沉積靶材進(jìn)行清理,清理的靶材回收利用。鍍膜結(jié)束后,用對設(shè)備進(jìn)行降溫,此時電源關(guān)閉,靶材不再被蒸發(fā)產(chǎn)生金屬原子。在下次鍍膜之前對濺射腔內(nèi)沉積靶材進(jìn)行清...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):157
一、概述電阻器作為三大被動元器件之一,是電子電路中不可缺少的元件,而傳統(tǒng)直插的薄膜電阻器目前已經(jīng)逐漸的退出了舞臺,取而代之的是性能更加穩(wěn)定的片式薄膜電阻器。NiCr 合金薄膜具有高電阻率、低溫飄、高精度、高穩(wěn)定等優(yōu)點,因此廣泛應(yīng)用于制作精密薄膜電阻器。目前,行業(yè)內(nèi) NiCr 合金薄膜的沉積主要方法有真空蒸發(fā)、氣相沉積、磁控濺射與離子濺射等。片式薄膜電阻的制造,是在平面磁控濺射下完成在三氧化二鋁陶瓷基片上的 NiCr 膜沉積,然后通過光刻工藝來實現(xiàn)電阻圖形,因此研究 NiCr 薄膜的沉積及濕法刻蝕對于片式薄膜電阻器的加工來說具有重要意義,本文通過使用掃描電子顯微鏡觀察不同濺射功率、濺射時間下的 NiCr 膜層形貌,分析了濺射功率、濺射時間對濺射的影響,同時使用濕法刻蝕做出所需要的電阻圖形。二、NiCr 薄膜的沉積片式薄膜電阻器的 NiCr 薄膜的沉積,采用平面磁控濺射技術(shù),通過機械泵抽低真空,再通過低溫泵冷凝表面氣體繼續(xù)抽高真空,最終使得真空室內(nèi)達(dá)到 10-4 帕,充入反映氣體,一般使用高純氬氣。在陰極(濺射靶材)和陽極(三氧化二鋁陶瓷基片)之間施加一定電壓,電子在電場 E 的作用下,會向在陽極的基片運動,在這個運動過程中,電子與氬氣發(fā)生碰撞,形成輝光放電,從而使其產(chǎn)生 Ar+和新的電子。Ar+在電場的作用下加速向在陰極的 NiCr 靶材運動,并以高能量撞擊 NiCr 靶材表面,將一...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):170
一、主要生產(chǎn)設(shè)備  二、工藝流程簡述 2工藝流程簡述(1)清洗工序簡述在硅晶圓片加工過程中,幾乎每一道工藝進(jìn)行前或完成后都必須要對硅晶圓片清洗以有效去除前一工序造成的污染,做到表面清潔,為下一工序創(chuàng)造條件。在進(jìn)行前需預(yù)清洗的工藝有:氧化、光刻、擴散、化學(xué)氣相沉積、濺射等。在完成后需后清洗的工藝有:刻蝕、去膠、劃片。芯片清洗是完全清除芯片表面的塵埃顆粒、殘留的有機物和吸附在表面的金屬離子。本項目采用物理清洗和化學(xué)清洗內(nèi)種方式,同時也結(jié)合使用。物理清洗主要是利用去離子水對殘留物的物理沖刷作用來清除表面殘留物,主要方式有刷洗、淋洗、高壓水噴射流動水浸泡、高溫蒸汽、低溫噴激以及使用超聲波等?;瘜W(xué)清洗是利用清洗劑與殘留物的化學(xué)反應(yīng),形成易揮發(fā)或易溶解的產(chǎn)物來清除污染物,本項目采用的化學(xué)清洗介質(zhì)有無機酸堿清洗液、有機清洗液。對不同的去除對象,典型方式如下:去除有機污染物:H2SO4+H2O2(4:1)、丙酮、異丙醇;去除微塵和一些金屬雜質(zhì):NH4OH+H2O2+H2O(1:1:5):去除氧化膜:HF+H2O(1:50)去除殘留清洗液:純水、高純水。芯片最主要的清洗方式是將芯片浸在液體槽內(nèi)或使用液體噴霧清洗,清洗工藝流程示意見圖7。清洗過程中,當(dāng)高濃度清洗液難以滿足使用要求時,作為廢液收集處理;低濃度的清洗廢水排到廢水處理系統(tǒng);較干凈的清洗排水檢測回用;部分清洗液揮...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):103
一、主要生產(chǎn)設(shè)備  二、工藝流程簡述 工藝流程簡述:(1)清洗外購的硅片(經(jīng)過拉單品、切割、研磨等),需先經(jīng)清洗,除去沾污的硅片表面的金屬與油污。清洗的方法是:先用H2S04去除金屬雜質(zhì),然后用有機溶劑(異丙醇、丙酮)去除油污,再用純水反復(fù)沖洗,以得到潔凈的硅片表面。清洗后的硅片用氮氣吹干后,送下道工序氧化。清洗工序貫穿于整個生產(chǎn)過程。清洗工藝與LED基片清洗工藝相同。(2)氧化氧化工藝是通過氧氣與硅發(fā)生反應(yīng),在硅片表面生成一層二氧化硅膜。原料硅片經(jīng)清洗吹干后,放入加熱反應(yīng)爐,在高溫條件下,與氧氣作用,在上面生長一層Si02氧化層,起到器件保護(hù)和隔離、表面純化、柵氧電介質(zhì)、摻雜阻擋層等作用。(3)光刻光刻是集成電路芯片制造的核心工藝,光刻的本質(zhì)是要把臨時電路結(jié)構(gòu)復(fù)制到以后要進(jìn)行蝕刻或離子注入的硅片上。光刻工藝按其先后順序主要分為氣相成底膜、勻膠、軟烘、曝光、曝光后烘焙、顯影、堅膜烘焙、顯影檢查這八個步驟,以上步驟都將在光刻區(qū)內(nèi)完成。清洗后的硅片先在表面均勻涂上一層光刻膠,光刻膠主要由對光與能量非常敏感的高分子聚合物和有機溶劑組成,前者是光刻膠的主體,主要成分為酚醛樹脂、丙二醇愁酯等,后者是光刻膠的介質(zhì),主要成分為丙酮、丁酮等,由于光刻膠涂層很薄,為了使涂覆的光刻膠層絕對均勻,涂覆的方法是讓硅片旋轉(zhuǎn),使光刻膠在其表面形成薄層。因而大量的光刻膠被離心力帶出...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):89
所謂Lift-Off工藝,即揭開一剝離工藝,是一種集成電路工藝,可以用來省略刻蝕步驟。圖1、普通光刻工藝示意圖我們先來看一下普通的光刻工藝(如圖1所示):首先進(jìn)行成膜,然后將涂布在基板上的光刻膠進(jìn)行圖形化曝光,顯影除去曝光的光刻膠,接著進(jìn)行刻蝕,最后將剩余光刻膠剝離,留在基板上的就是需要的成膜圖形。圖2、Lift-Off工藝示意圖然后看一下Lift-Off工藝(如圖2所示):首先將涂布在基板上的光刻膠進(jìn)行圖形化曝光,顯影除去曝光的光刻膠,然后進(jìn)行成膜,最后將剩余光刻膠和上面的成膜一起剝離,剩余在基板上的就是需要的成膜圖形。Lift-Off工藝在理論上可以省掉刻蝕步驟,降低成本,但在顯示中卻并沒有被使用。這是因為半導(dǎo)體膜厚很低(納米級),圖形也很小(納米級),可以通過剝離來揭掉,而顯示的膜厚很高(亞微米級)、圖形很大(微米級),會有殘留。免責(zé)聲明:文章來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵權(quán)請聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):2168
1理論分析化合物半導(dǎo)體器件絕大多數(shù)都是采用外延層做有源層,單晶做襯底。影響晶片表面質(zhì)量的拋光及拋光后表面的清洗處理成為影響外延質(zhì)量的重要因素。高質(zhì)量的免洗拋光片的表面應(yīng)當(dāng)具備以下要素:表面無顆粒、有機物、金屬離子沾污;表面氧化層必須能夠在高溫處理下完全去除;拋光片表面去除氧化層后必須平坦均一。微粒往往被認(rèn)為是表面污染源的點源,表面顆粒會引起圖形缺陷、影響外延質(zhì)量布線的完整性以及鍵合強度和表層質(zhì)量。研究表明,當(dāng)表面顆粒度小于10@013μm時,不會影響外延質(zhì)量。金屬離子沾污會破壞薄氧化層的完整性,增加漏電流密度,影響器件的穩(wěn)定性,增加暗電流,造成結(jié)構(gòu)缺陷或霧狀缺陷。Cu、Au、Fe等重金屬元素形成深能級而降低少數(shù)載流子的壽命,并產(chǎn)生晶格缺陷。因此,清除這些金屬雜質(zhì)是十分必要的。在晶片中,金屬離子污染物個數(shù)必須被控制在1010/cm2甚至更少。表面有機沾污容易使外延片表面出現(xiàn)白斑,蠟和有機試劑是重要的污染源,因此表面去蠟和去除有機試劑必須徹底。盡管拋光片包裝在惰性氣氛下,但晶片表面自然氧化層早已在包裝前形成。當(dāng)外延生長溫度加熱到580℃以上時,GaAs晶片表面的自然氧化層便會自動分解去除。但當(dāng)溫度高于450℃時,由于As2O3的揮發(fā),原來的Ga2O3和As2O3按化學(xué)計量比組成的混合物將變成純凈的Ga2O3。研究表明,在去除表面氧化層的過程中有揮發(fā)性的Ga2O的產(chǎn)生,反應(yīng)過程為...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):172
一、主要生產(chǎn)設(shè)備  二、工藝流程簡述GaN基倒裝LED芯片制造流程包括清洗、光刻、刻蝕、PECVD、蒸鍍、退火、SiO2沉積、減薄研磨、劃裂、測試、分選和表面檢驗等。生產(chǎn)流程如圖2.2-1所示。(1)清洗:清洗工作是在不破壞外延片表面特性的前提下,有效的使用化學(xué)溶液清除外延片表面的各種殘留污染物。將外延片先經(jīng)過酸洗(硝酸)、超純水洗。酸洗槽20L,每批可酸洗4英寸外延片24片,通常酸洗56批次(即2天)更換一次酸洗液:以下各類無機和有機清洗槽尺寸和更換頻率同硝酸清洗槽。沖洗槽用純水沖洗,將其表面粘附的酸洗液沖洗干凈。本項目沖洗槽清洗方式為使用大量高純水對外延片進(jìn)行沖洗清潔,沖洗次數(shù)為8遍,常溫。清洗干凈后再次經(jīng)過酸洗(硫酸和雙氧水混合液)、超純水洗等。清洗干凈后甩干并烘干后進(jìn)入下一道工序。產(chǎn)污環(huán)節(jié):無機清洗工序有G:氮氧化物、G2硫酸霧揮發(fā),酸洗槽約兩天更換一次,產(chǎn)生S1廢硝酸和S2廢硫酸。水洗工序產(chǎn)生酸性廢水。(2)N區(qū)光刻:N區(qū)光刻及刻蝕主要是在外延片上制作出N電極圖形。光刻是通過光刻膠的感光性能,外延片表面涂膠后,在紫外光的照射下將光刻版上的圖形轉(zhuǎn)移至外延片上,最終加工成所需要的產(chǎn)品圖形。包括涂膠、軟烤、曝光、顯影。1)涂膠、軟烤:涂敷光刻膠之前,將洗凈的外延片表面涂上附著性增強劑,可增加光刻膠與基片間的粘附能力,防止顯影時光刻膠圖形的脫落以及防止?jié)穹ǜg...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):374
一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡述工藝流程說明:(1)檢測:利用顯微鏡對襯底進(jìn)行檢測,看有無雜質(zhì)。檢測合格的襯底進(jìn)入下一工序。(2)沉積:①將藍(lán)寶石襯底放入由石英管和石墨基座組成的反應(yīng)器中;②再按照NH3和H2比(5:95)通入NH3和H2混合氣體;③將載氣H2(N2保護(hù))通入三甲(乙)基諒、三甲基鋼、三甲基鋁液體罐中將有機金屬蒸汽以及少量二環(huán)戊基鎂夾帶進(jìn)反應(yīng)器中,在密閉條件下進(jìn)行金屬有機物化學(xué)沉積反應(yīng)。主要沉積反應(yīng)有:Ga(CH3)3+NH3→GaN+3CH4如果欲生長三元固溶體晶體,如Gaj-xAI,N時,可在反應(yīng)系統(tǒng)中再通入三甲基鋁,反應(yīng)式為:XAI(CH3)3+(1-x)Ga(CH3)3+NH3=Ga1-XAlxN+3CH4MOCVD的主要作用是在襯底上生長GaN、InGaN、InGaAIN單品膜。④反應(yīng)廢氣處理:反應(yīng)氣體中有機氣體(三甲(乙)基嫁、三甲基鋁、三甲基鋼)在高溫條件下絕大部分分解:氨氣有41%反應(yīng)或分解(2NH3=N2+3H2),還有59%尚未完全分解,因此尾氣G6中含有大量氨氣,不能直接排放到大氣中,必須先進(jìn)行回收處理。上述沉積過程按要求形成GaN、InCaN(或InGaAIN)雙層疊合膜⑤處延片清洗:將長晶后的外延片用H2SO4+雙氧水清洗后經(jīng)純水沖洗,清除表面附著的離子和有機物金屬。清洗后外延片在烘烤箱中烘干。本工序產(chǎn)生酸性清洗水W4、硫酸霧廢...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):118
一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡述 (1)固晶:將LED芯片通過固晶機固定在底坐支架指定位置,此過程主要用到的材料為銀膠,主要設(shè)備為固晶機,此過程不產(chǎn)生污染物。(2)固晶檢驗:將固晶成品置放于顯微鏡下觀察,主要觀察晶體是否破碎完整、支架是否變形生銹等。此過程會產(chǎn)生不合格的固晶品(固廢)。(3)固晶烘烤:將檢驗合格的固晶品送至固晶烤箱室,對其進(jìn)行烘烤,此過程主要用到的設(shè)備為固晶烤箱,此過程會產(chǎn)生少許的有機廢氣,在固晶烤箱室設(shè)置排氣扇,產(chǎn)生的少量廢氣通過排氣扇排出,因產(chǎn)生的廢氣量較少,固對環(huán)境影響較小。(4)焊線:人工將固晶好的支架加入金線,采用焊線機完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。本項目使用的是超聲波焊,采用金線作為焊接材料。其主要原理為由發(fā)生器產(chǎn)生20KHz(或者15KHz)的高壓、高頻信號,通過換能系統(tǒng),把信號轉(zhuǎn)換為高頻機械振動,加于工件上,通過工件表面及在分子間的摩擦而使傳遞到接口的溫度升高,當(dāng)溫度達(dá)到此工件本身的熔點時,使工件接口迅速融化,繼而填充于接口間的空隙,當(dāng)震動停止,工件同時早一定的壓力下冷卻定型,便達(dá)成完美的焊接。因此,焊線過程不會有粉塵產(chǎn)生,亦不會有焊渣產(chǎn)生。(5)焊線檢驗:在顯微鏡下檢驗金線是否斷線、芯片是否崩裂、金線是否殘留、焊墊是否脫落。此過程主要在顯微鏡下操作,此過程會產(chǎn)生不合格品(固廢)。(6)點膠:點膠機采用硅膠將LED芯片及線路封裝于...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):222
LED封裝資料整理一、主要生產(chǎn)設(shè)備 二、工藝流程簡述工藝流程說明:現(xiàn)有LED封裝生產(chǎn)線工藝流程如下:①固晶人工將芯片、膠水、支架采用固晶機進(jìn)行固晶。本項目所用膠水為硅膠,其理化性質(zhì)穩(wěn)定,固晶在常溫下進(jìn)行,不會有揮發(fā)性有機物產(chǎn)生。②焊線人工將固晶好的支架加入金線,采用焊線機完成產(chǎn)品內(nèi)外引線的連接工作。本項目使用的是超聲波焊,采用金線作為焊接材料。其主要原理為由發(fā)生器產(chǎn)生20KHz(或15KHz)的高壓、高頻信號,通過換能系統(tǒng),把信號轉(zhuǎn)換為高頻機械振動,加于工件上,通過工件表面及在分子間的磨擦而使傳遞到接口的溫度升高,當(dāng)溫度達(dá)到此工件本身的熔點時,使工件接回迅速熔化,繼而填充于接日間的空隙,當(dāng)震動停止,工件同時在一定的壓力下冷卻定形,便達(dá)成完美的焊接。因此,焊線過程不會有粉塵產(chǎn)生。該過程僅產(chǎn)生少量焊渣。3點膠人工將焊完線的支架、膠水、熒光粉采用點膠機固定。硅膠主要起固定作用,其理化性質(zhì)穩(wěn)定,點膠在常溫下進(jìn)行,不會有揮發(fā)性有機物產(chǎn)生。④分光人工將點完膠的支架采用分光機對產(chǎn)品進(jìn)行測試分光,將同一類顏色的產(chǎn)品測試出來進(jìn)行分類。⑤編帶人工將分好類的產(chǎn)品采用編帶機對產(chǎn)品進(jìn)行初步包裝,將產(chǎn)品至于面帶和載帶中間。⑥包裝入庫對產(chǎn)品進(jìn)行通電檢測,合格產(chǎn)品進(jìn)入最后一道工序包裝入庫;不合格產(chǎn)品進(jìn)行返修。LED封裝生產(chǎn)工藝流程及污染源分布見下圖。 免責(zé)聲明:文章來源于網(wǎng)絡(luò),如有侵權(quán)請聯(lián)系本...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
瀏覽次數(shù):112
Copyright ©2005 - 2013 華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
犀牛云提供企業(yè)云服務(wù)
華林科納(江蘇)半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址:中國江蘇南通如皋高新區(qū)桃金東路90號
電話:0513-87733829
126xa.cn

傳真:0513-87733829
郵編:226500


X
1

QQ設(shè)置

3

SKYPE 設(shè)置

4

阿里旺旺設(shè)置

2

MSN設(shè)置

5

電話號碼管理

  • 400-8798-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開