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發(fā)布時間: 2016 - 03 - 10
PP通風櫥---華林科納CSE華林科納(江蘇)半導體CSE-PP通風柜 專為氫氟酸及硝化類濃酸設計的實驗室通風櫥,克服了傳統(tǒng)通風柜在高溫濃酸環(huán)境下易生銹、變黃、龜裂等缺陷,具有的耐酸堿性能。適用行業(yè):適用于各類研究實驗室---半導體實驗室、藥物實驗室 【產(chǎn)品描述】設備名稱華林科納(江蘇)CSE-PP通風柜產(chǎn)品描述【柜體】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸堿性能優(yōu)異。經(jīng)CNC精確裁切加工后,同色同質(zhì)焊條熔焊修飾處理,表面無銳角。【上部柜體】:排氣柜采用頂罩式抽氣設計,設計有1個∮250mm排風口。導流板采用同質(zhì)PP材料制作,耐酸堿性能優(yōu)異。安裝尺寸科學合理,無氣流死角,獲取最大的廢氣捕捉性能?!静僮髋_面】:臺面采用12mmPP板制作,耐酸堿性能優(yōu)異。通風柜臺面上水槽根據(jù)用戶要求配置?!鞠虏抗耋w】:儲物柜體,中間加一層隔板。鉸鏈采用黑色塑料鉸鏈,耐腐蝕性能好。拉手采用同質(zhì)C型PP拉手。【調(diào)節(jié)門】1. 調(diào)節(jié)門玻璃:采用厚4mm透明亞克力玻璃制作,耐酸堿性能優(yōu)異。2.調(diào)節(jié)門邊框:為厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式結(jié)合,以確保安全及耐用性。  3.調(diào)節(jié)門懸吊鋼索:每臺通風柜調(diào)節(jié)門鋼索連接。4.調(diào)節(jié)門平衡配重:采無段式配重箱設計,其上下行程具靜音軌道予以限制避免搖晃碰撞?!倦娖髟O備】1.開關(guān):按鈕帶燈式自鎖開關(guān),包含風機開關(guān),照明開關(guān),總電源開關(guān)。2.照明設備:采用全罩式三防燈具,燈罩內(nèi)具220v*20w*23.插座部分:每臺通風柜裝設帶防濺蓋220V10A 電源插座2個。設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096;18913575037【詳細參數(shù)】產(chǎn)品名稱PP通風櫥產(chǎn)品型號PPFG-120PPFG-150PPFG-180外形尺寸(L×W×H)1...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 06
甩干機—華林科納CSESpin-dry machine 設備名稱CSE-甩干機主要功能晶圓或器件的清洗甩干腔體數(shù)量單腔/雙腔/四腔尺寸(參考)約L×D×H=面寬480mm×縱深820mm×高度1750mm清洗件規(guī)格4寸/5/寸6寸/8寸等尺寸晶圓或器件操作流程人工上貨→DI噴洗加轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)→HOTN2吹干加轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)→加速旋干含艙體加熱保溫→完成設備預設之制程結(jié)束。工作轉(zhuǎn)速300—2400r/min主體構(gòu)造特點外觀材質(zhì):本體以W-PP10t板材質(zhì)組焊組合。設備骨架:SUS25*25*1.2T骨架組合,結(jié)構(gòu)強固。作業(yè)視窗:視窗采透明壓克力材質(zhì),有效掌握作業(yè)情況。管路系統(tǒng):OneChamber模塊化。排風系統(tǒng):間接式抽風設計,有效穩(wěn)定空氣擾流,并同時減低異味。機臺支腳:具高低調(diào)整及鎖定功能。機臺正壓保護:采N2正壓保護。機臺微塵控制量:無刷伺服電機去靜電  氮氣控制單元1)管件閥門:SMC電磁閥、PFA高純管件、PTFE氣動閥門。2)氮氣加熱功能:不銹鋼加熱器在線加熱3)低壓氮氣功能:待機時,保持腔內(nèi)正壓,防止污染。DIW控制單元1)采用旋流式?jīng)_洗噴嘴。2)排水口安裝電阻率探頭,對腔體排水水質(zhì)進行監(jiān)測。3)沖洗工藝完成后,氮氣將殘留在沖洗管路內(nèi)的去離子水吹凈。4)待機時,保持回水盒內(nèi)有水流入且流量可調(diào)。電控單元及軟件系統(tǒng)1)控制器操作界面:5.7”記憶人機+PLC可程序自動化控制器(人機TouchScreen)。2)軟件功能:編輯/儲存:制程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作熒幕上修改。3)儲存能力:記憶模塊:參數(shù)記憶,配方設定。 更多的甩干機清洗相關(guān)設備,可以關(guān)注http://126xa.cn ,0513-87733829
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 05
干燥系統(tǒng)-華林科納CSE適用于最大尺寸300mm晶圓的干燥技術(shù)優(yōu)點NID?干燥系統(tǒng)利用IPA和N2霧化分配,以及晶圓與水脫離時形成了表面張力干燥的技術(shù)適用于最大尺寸300mm晶圓的干燥技術(shù) 可單臺設備或整合在濕法設備中 最佳的占地 成熟的工藝 無水跡 無碎片應用:拋光片、集成電路、MEMES、LED、光伏、玻璃基片一般特征: 可同時干燥25到50片直徑最大為300mm的晶圓 適用于標準高邊或低邊花籃規(guī)格:藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤ 10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤ 30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run去邊緣: 3 mm一般安裝參數(shù):尺寸: 660 x 1440 x 2200 (長 x 寬 x 高)標準電壓: 3 x 400 VAC額定功率: 50 Hz標準電流: 3 x 33 A培訓:操作、維護、工藝培訓標準: CE Semi S2 and S8 FM 4910 SECS/GEM可靠性: 平均故障間隔時間 ≥ 800 h 輔助平均間隔時間 ≥ 300 h 可運行時間 ≥ 97 %更多的干燥系統(tǒng)設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 06 - 06
廢氣處理系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSE華林科納(江蘇)半導體CSE 的廢氣處理系統(tǒng)可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa; 設備名稱華林科納(江蘇)CSE-廢氣處理系統(tǒng)系統(tǒng)說明1.可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa;2.工藝穩(wěn)定,負壓波動在15%.3.電壓:380V,三相五線,8KW;4.采用英國廢氣處理系統(tǒng)工藝,CSE在原工藝上經(jīng)過升級改造,新的系統(tǒng)推出市場后,客戶反映效果較好;系統(tǒng)工作原理為酸性/堿性/其它特殊氣體處理系統(tǒng),主要由以下幾大部分組成:負壓腔、正壓腔、初級錐形噴淋塔、三級噴淋凈化塔、高壓射流器、抽風孔、負壓動力泵、循環(huán)噴淋泵、電控系統(tǒng);廢氣經(jīng)過一級錐形噴淋塔進入負壓腔內(nèi)(每個噴淋塔中間為傘裝型噴頭,對廢氣層形成水封,瞬間中和廢氣)、通過射流器產(chǎn)生負壓把負壓腔內(nèi)的廢氣抽入正壓腔內(nèi)中和(在負壓腔與正壓腔之間設有三級噴淋凈化塔,三級噴淋凈化塔內(nèi)配有PP填料,配有噴嘴,再次充分噴淋中和廢氣)、處理完的氣通過正壓腔上的排氣口排出。成功案例河北普興電子有限公司上海新傲半導體有限公司上海硅酸鹽研究所中試基地蘇州納維科技有限公司設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多半導體行業(yè)廢氣處理系統(tǒng)可以關(guān)注華林科納(江蘇)半導體設備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的廢氣處理系統(tǒng)的相關(guān)方案。
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
GMP自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-GMP自動供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J?、自動控制模式設備名稱華林科納(江蘇)CSE-GMP自動供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在自動...
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
研磨液自動供液系統(tǒng)-華林科納(江蘇)CSEChemical Dispense System System 華林科納(江蘇)半導體CSE-研磨液自動供液系統(tǒng) 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經(jīng)管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩涌刂颇J健⒆詣涌刂颇J皆O備名稱華林科納(江蘇)CSE-研磨液自動供液系統(tǒng)設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內(nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動化與親和力。在自動...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
SPM腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備。其中SPM自動清洗系統(tǒng)設備主要用于LED芯片制造過程中硅片表面有機顆粒和部分金屬顆粒污染的自動清洗工藝。設 備 名  稱華林科納(江蘇)CSE-SPM腐蝕酸洗機適 用 領  域LED外延及芯片制造設 備 用 途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備基 本 介 紹主要功能:通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/藍)設備形式:室內(nèi)放置型操作形式:自動設備制造商華林科納(江蘇)半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096;18913575037更多的全自動半導體SPM腐蝕清洗機設備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8798-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
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鐵電薄膜鋯鈦酸鉛鑭(PLZT)具有較強的電光效應,自發(fā)極化以及在可見光和紅外范圍內(nèi)的高透過率],是理想的電光器件材料。制作縱向PLZT電光器件需要透明導電薄膜作為它的上下電極。銦錫氧化物(ITO)薄膜具有電阻率低,透光性好,高溫穩(wěn)定性好及制備和圖形加工工藝簡單[3等諸多優(yōu)點[3],是一種理想的透明電極材料。LengL1等在IT0/石英玻璃基底上制備出了電學光學性能優(yōu)良的PLZT鐵電薄膜,驗證了ITO作為PLZT的透明電極的可行性。制作PLZT鐵電薄膜光電子學和集成光學器件常需要ITO電極圖形化。常用的ITO薄膜微圖形化法包括濕法化學刻蝕和干法刻蝕(如超短激光脈沖刻蝕和CH/H:等離子刻蝕[7等)。干法刻蝕ITO薄膜具有圖形轉(zhuǎn)化精度高和各向異性好等優(yōu)點,但所需設備昂貴,刻蝕速率低,且易導致光刻膠掩膜的炭化而難去除;濕法刻蝕成本低,且刻蝕速率較快。但由于HF、HC1、HNO。、H2SO和H3PO都可能刻蝕PLZT薄膜J,往往刻蝕ITO時對PLZT薄膜也會刻蝕。因此,如何選擇刻蝕液配方和刻蝕條件,確保在ITO與PLZT薄膜間具有足夠大的刻蝕選擇性是研制基于PLZT薄膜的光電子器件和集成光學器件所面臨的問題。1實驗采用射頻磁控濺射法用組分為8/65/35(La/Zr/Ti)的PLZT陶瓷靶在玻璃基片上沉積PLZT薄膜,襯底溫度400℃,射頻功率密度0.58W/cm。,濺射氣氛V(Ar):V...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
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一、主要生產(chǎn)設備  二、工藝流程簡述 圖1IR-UFPA探測器生產(chǎn)流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)圖 圖2IR-UFPA探測器委托封裝生產(chǎn)流程及產(chǎn)污環(huán)節(jié)圖項目探測器生產(chǎn)及委托封裝工藝流程基本相同,區(qū)別僅是探測器生產(chǎn)過程總所需硅片及讀出電路外購,探測器委托封裝所需硅片及讀出電路均由客戶提供,本環(huán)評統(tǒng)一進行生產(chǎn)及封裝工藝流程簡述。(1)原材料外購根據(jù)項目產(chǎn)品生產(chǎn)需要,外購硅片(或客戶提供)、光刻膠、讀出電路電子組件、錯窗窗口等原輔材料備用。(2)硅片分割外購入項目的硅片為晶圓,采用劃片機將晶圓進行劃片之后,得到單片硅片,劃片過程中產(chǎn)生機械噪聲。(3)硅片背金生長硅片背金生長包括硅片北面氧化膜去除、清洗、硅片背面金屬生長三個部分探測器芯片背面氧化層去除可采用純物理的磨拋背減和化學腐蝕。磨拋背減是采用常規(guī)的磨拋,需對探測器芯片加壓,會對芯片物理結(jié)構(gòu)帶來損傷,導致芯片機械性能降低?;瘜W腐蝕是直接采用化學試劑對芯片北面進行腐蝕,不會對芯片結(jié)構(gòu)帶來物理損傷。本項目中采用化學腐蝕方式進行芯片北面氧化層去除。化學方式包括干法腐蝕及濕法腐蝕兩種,濕法腐蝕是采用稀釋的氫氟酸完成氧化層去除,腐蝕過程中若不做好保護措施,可能會對芯片正面帶來損傷,干法腐蝕是采用電感精合等離子體設備進行氧化層去除。清洗采用干法清洗,即是采用輝光放電的方式進行清洗,輝光放電是指低壓氣體中顯示輝光的氣體放電現(xiàn)...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
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一、主要生產(chǎn)設備 二、工藝流程簡述 工藝說明:①第一次焊接:焊料使用預成型焊片,不含助焊劑,芯片和DBC在真空狀態(tài)下行焊接;②X-ray檢測空洞:使用X-ray檢測焊接空洞;③等離子體清洗:使用Ar等離子體對芯片表面進行清洗,以獲得清潔表面,增強后續(xù)綁線的可靠性;④鋁線鍵合:對芯片進行鋁絲綁線:⑤第二次焊接:焊料使用預成型焊片,不含助焊劑:銅底板和DBC在真空狀態(tài)下進行焊接;⑥涂密封膠和灌注硅凝膠:通過密封膠、外殼、硅膠等將模塊密封起來。IGBT的制造工藝:IGBT的制程正面和標準BCD的LDMOS沒差,只是背面比較難搞:1) 背面減?。阂话阋?~8mil,這個厚度很難磨了,容易碎片。2) 背面注入:都磨到6~8mil了,還要打High current P+ implant E14的dose,很容易碎片的,必須有專門的設備dedicate。甚至第四代有兩次Hi-current注入,更是挑戰(zhàn)極限了。3) 背面清洗:這個一般的SEZ就可以。4) 背面金屬化:這個只能用金屬蒸發(fā)工藝,Ti/Ni/Ag標準工藝。5) 背面Alloy:主要考慮wafer太薄了,容易翹曲碎片。免責聲明:文章來源于網(wǎng)絡,如有侵權(quán)請聯(lián)系本網(wǎng)站刪除。
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
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1 CMP后清洗技術(shù)及研究現(xiàn)狀清洗是利用物理、化學或機械作用的方法使吸附在表面的污染物解吸而離開物體表面的過程。物理方法是利用光、電、熱等物理作用使污染物獲得能量,通過自身的振動而脫離基體表面;化學方法則是利用清洗劑和污染物進行化學作用,使大分子污染物生成可溶于清洗劑的小分子物質(zhì)而脫離基體表面或破壞污染物與基體表面之間的鍵合作用而使之脫離;機械方法是利用摩擦等機械能作用,使表面吸附的顆粒等污染物脫離表面。在超光滑表面的清洗中,不同工件、不同工序?qū)Ρ砻媲鍧嵍鹊囊蟛煌?,必須針對不同的對象及目的采取不同的清洗方法,以滿足工藝對清潔度的要求[4]。目前超光滑表面清洗技術(shù)總體上可分為濕法和干法清洗。濕法清洗一直是晶片清洗技術(shù)的主流。它是利用溶劑、各種酸堿、表面活性劑和水的混合物通過腐蝕、溶解等化學反應,結(jié)合一定的機械作用以去除晶片表面的沾污物。1.1 清洗方法與工藝技術(shù)目前常用的CMP后清洗的方法有浸泡、噴淋、擦洗、超聲波、兆聲波[5]等。其中浸泡、噴淋大多作為中間過程,不是單獨的清洗方法。擦洗是一種應用廣泛、低廉、高效的接觸式清洗方式,是刷子和工件表面持續(xù)接觸的介于邊別到彈流潤滑的摩擦學過程,通過刷子與Si片表面的接觸力結(jié)合液力的拖曳力作用,去除Si片表面拋光過程中滲人的顆粒[6]J.M.Lim等人[7]發(fā)現(xiàn)擦洗可有效清除Si片表面上直徑大于0.2um粒子污染物,但對清除金屬離子、有機物...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 13
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1Marangoni干燥機理分析:Marangoni干燥原理如圖1所示,晶片在IPA氣氛下與水分離(可通過晶片提拉或水慢排的方式實現(xiàn)),完全分離后,流體慢排使花籃干燥,開啟排風將IPA蒸汽抽掉,同時通入氮氣吹干晶片表面殘留的IPA。 在IPA蒸汽存在的環(huán)境中,由于IPA的表面張力比水小得多(25℃,IPA表面張力為20.9×10-3N/m:水的表面張力為72.8×10-3N/m),所以會在坡狀水流表層形成表面張力梯度,產(chǎn)生Marangoni對流,使水更容易從晶片表面脫離。 圖1中的第2個步驟“晶片緩慢提拉”是Marangoni干燥的核心環(huán)節(jié).提拉過程中,晶片表面的水會呈坡狀流下,如圖2所示,如果兩片晶片距離很近(例如處在花籃的相鄰槽中),這種坡狀水流會相連為彎月形[1].這種坡狀水流的最高點與晶片接觸,主要受到4種力的作用,即水的重力G,晶片/水的界面張力γls,晶片的表面張力γs和水的表面張力γl,θ為水與晶片的接觸角,如圖3所示。2實驗部分利用100mm(4英寸)硅拋光片進行IPA干燥,分兩組實驗,干燥后利用光散射測試系統(tǒng)檢測水痕缺陷。A組:分別在提拉速率1mm/s、2mm/s和3mm/s下進行不同IPA流量的Marangoni干燥,減壓排風階段氮氣流量80L/min。B組:提拉速率1mm/s、IPA流量20L/min下進行Marango...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 12
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SiC單晶的清洗:SiC單晶的濕化學清洗法研究中,樣品的清洗和接觸角的測定在同一實驗室完成,有效避免樣品的再次污染;為防止清洗過程中的污染,清洗所用的容器均是定制的聚四氟乙烯(PTFE)器皿。實驗中嘗試了不同的濕化學清洗法,下面是主要清洗方法的流程:1、RCA清洗法:(1)將30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中,邊攪拌邊緩慢加入10mlH2O2,將SiC單晶樣品放入混合液中,恒溫加熱30min;(2)DI水沖洗3min,將樣品表面的混合液沖洗干凈,N2吹干;(3)將30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中,然后加入10mlNH3OH和10mlH2O2,將樣品放入混合液中,恒溫加熱20min;(4)DI水沖洗,N2吹干;(5)將30mlDI水倒入聚四氟乙烯容器中,然后加入10mlHCl和10mlH2O2。將樣品放入混合液中,恒溫加熱20min;(6)DI水沖洗,N2吹干。2、硫酸和雙氧水混合液(SPM)單步清洗法:(1)將30mlH2SO4倒入聚四氟乙烯容器中,然后邊攪拌邊緩慢加入10mlH2O2,將SiC單晶樣品放入混合液中,恒溫加熱30min;(2)DI水沖洗3min左右,將樣品表面的混合液沖洗干凈,N2吹干。3、實驗用清洗劑+SPM兩步清洗法:(1)用干凈的電動牙刷蘸取適量實驗用清洗劑刷洗SiC單晶樣品5min;(2)DI水沖洗3min,將樣品表面的清洗劑沖洗干凈;(3)將樣品置于...
發(fā)布時間: 2021 - 04 - 12
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一、 紫外光表面清洗和改質(zhì)的工作原理:低壓紫外汞燈發(fā)射的雙波段短波紫外光照射到試件表面后,與有機污染物發(fā)生光敏氧化作用,不僅能去除污染物而且能改善表面的性能,從而提高物體表面的浸潤性和粘合強度,或者使材料表面得到穩(wěn)定的表面性能。根據(jù)不同需要,既可以對物體進行紫外光表面清洗,也可以進行紫外光表面改質(zhì)(或叫表面改善),紫外光表面清洗和改質(zhì)的機理有相同點,但也有區(qū)別。1.1紫外光清洗工作原理:VUV低壓紫外汞燈能同時發(fā)射波長254nm和185nm的紫外光,這兩種波長的光子能量可以直接打開和切斷有機物分子中的共價鍵,使有機物分子活化,分解成離子、游離態(tài)原子、受激分子等。與此同時,185nm波長紫外光的光能量能將空氣中的氧氣(O2)分解成臭氧(O3):而254nm波長的紫外光的光能量能將O3分解成O2和活性氧(O),這個光敏氧化反應過程是連續(xù)進行的,在這兩種短波紫外光的照射下,臭氧會不斷的生成和分解,活性氧原子就會不斷的生成,而且越來越多,由于活性氧原子(O)有強烈的氧化作用,與活化了的有機物(即碳氫化合物)分子發(fā)生氧化反應,生成揮發(fā)性氣體(如CO2,CO,H2O,NO等)逸出物體表面,從而徹底清除了粘附在物體表面上的有機污染物。紫外光表面清洗原理表達式: 1.2紫外光改質(zhì)工作原理:低壓紫外汞燈發(fā)射的185nm和254nm波長的紫外光除有清洗去除物體表面的有機污染物的功能...
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半導體晶片清洗機,包括若干根支撐腿,支撐腿頂端共同固定連接有支撐平臺,所述支撐平臺內(nèi)部開設有第一空腔,第一空腔通過第一軟管與外界的引風機相連接,所述支撐平臺上表面均勻開設有若干第一通孔,且支撐平臺表面放置有半導體晶片;所述支撐腿側(cè)壁上固定連接有安裝座,安裝座上均固定連接有升降裝置,升降裝置的頂端固定連接有水平桿,兩根水平桿之間共同固定連接有圓板,圓板下側(cè)轉(zhuǎn)動連接有旋轉(zhuǎn)裝置,旋轉(zhuǎn)裝置的底端固定連接有清洗刷,清洗刷呈圓形,清洗刷內(nèi)部開設有第二空腔,第二空腔下側(cè)均勻開設有若干第二通孔,所述清洗刷下表面布置有刷毛,清洗刷上側(cè)開設有進水口:所述圓板上側(cè)放置有清洗水箱,清洗水箱通過第二軟管穿過圓板與旋轉(zhuǎn)裝置內(nèi)部相連通,第二軟管上設置有泵體。第一通孔直徑為0.5mm-1.5mm。升降裝置為電動推桿或液壓伸縮桿。旋轉(zhuǎn)裝置包括豎直套筒,豎直套筒底端與清洗刷上側(cè)固定連接,豎直套筒的頂端固定連接有圓環(huán)板;所述圓板下側(cè)開設有截面呈L型的環(huán)形懸掛凹槽,豎直套筒的頂部以及圓環(huán)板均位于環(huán)形懸掛凹槽內(nèi)部;所述豎直套筒的內(nèi)側(cè)壁上固定連接有齒圈,齒圈上嚙合有齒輪,齒輪上側(cè)固定連接有轉(zhuǎn)軸,轉(zhuǎn)軸穿過圓板向上延伸,且轉(zhuǎn)軸頂端與位于圓板上的電機輸出軸固定連接。豎直套筒的軸線與清洗刷的軸線相重合。轉(zhuǎn)軸與圓板的接觸處設置有軸承。第二通孔的直徑為2mm-4mm。進水口截面呈等腰梯形,且進水口的小端朝下設置。 圖1...
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超高壓清洗機設計一.高壓水沖毛機:高壓水沖毛機(清洗機)系用于混凝土澆筑施工中混凝土水平施工縫表面沖毛處理的專用機械,是高壓水射流技術(shù)在生產(chǎn)實際中的一種應用。該機以清水作為工作介質(zhì),自來水經(jīng)高壓泵加壓后,經(jīng)節(jié)流閥、噴槍、噴嘴,使高壓水變?yōu)楦咚偕淞鞔驌粲诨炷帘砻妗T诟邏核鞯臎_蝕作用下,混凝土表面乳化皮層迅速剝落呈粗砂狀,從而達到表面處理要求??捎糜陔娏Α⑹?、化工、輕工等各工業(yè)部門的管道、管束內(nèi)外壁,容器與罐槽內(nèi)壁的清洗剝層;車輛、船舶、閘門及鋼質(zhì)設備的表面除銹、除脂;市政管道疏通、清洗;鑄件清理等工作。其驅(qū)動力有電機或內(nèi)燃機兩種方式,以供用戶選擇。二.混凝土沖毛·混凝土輸送帶的沖洗、噴霧、保濕·大型混凝土清除和剝離鋼筋·混凝土結(jié)構(gòu)的水清拆三.機型擴展其中,本機型可以擴展為表格中對應的流量和壓力,以適用于不同行業(yè)的清洗。四.本機組成SL-10027型高壓水射流清洗機,本機包含01部套-調(diào)壓部套02部套-泵體部套03-柱塞筒部套04-壓力顯示部套05-傳動箱部套06-底架部套07-外罩部套08-潤滑冷卻部套09-電氣控制部套。1、進水系統(tǒng)–采用增壓泵進水,避免氣蝕現(xiàn)象的產(chǎn)生–采用高精密過濾器過濾,保證不會有任何雜質(zhì)進入泵體內(nèi)部;–大口徑管路,保證進水充分要求;–采用能量包分配形式進料,保證每個缸體的充分進料;–卡箍式易裝拆結(jié)構(gòu),并且容易清洗;2、泵體系...
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1、適用范圍:六槽清洗機、八槽清洗機的腐蝕清洗的生產(chǎn)。 3、準備工作3.1、配制腐蝕液3.1.1、八槽清洗機按NaOH:H2O==100g:1L的比例的溶液注入第一槽,容量達到規(guī)定要求。按HNO3:HF:H2O:15g:150g:1L的比例的溶液分別注入四、五、六槽容量達到規(guī)定要求。3.1.2、六槽清洗機按HF:HN4F:H2O==40g:5g:1L的比例的溶液注入第一槽,容量達到規(guī)定要求。按HCL:H2O==100g:1L的比例的溶液注入第三槽,容量達到規(guī)定要求按HCLH2O==30g:1L的比例的溶液注入第四槽,容量達到規(guī)定要求3.2、確認各槽清洗溫度設定及分布正常。3.3、確認各槽清洗狀態(tài)正常各槽內(nèi)注入規(guī)定的溶液正確。3.4、確認各槽控制系統(tǒng)工作正常程序準確時間設定準確。3.5、確認氮氣流量為5L/min4、操作過程:4.1、確認投入作業(yè)的硅片的型號、批號、數(shù)量、工序。4.2、戴好一次性手套雙手將片子一片一片地插入片架內(nèi)。如果片子經(jīng)過超聲清洗過的片子就無需這樣做直接做下工序4.3、用雙手操作將插滿硅片的片架按順序平穩(wěn)地放入清洗花籃內(nèi)。4.4、用雙手將放有硅片的清洗花籃掛上機械手臂上。4.5、再檢查一遍運行程序正常符合工藝要求。按下“啟動”鍵程序開始運行。4.6、八槽清洗機運行時隨時查看運行狀況確保運行正常。4.7、程序運行結(jié)束設備報警提示。4.8、雙手操作取...
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