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歡迎訪(fǎng)問(wèn)南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
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濕制程設(shè)備專(zhuān)業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌


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發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
在LED外延及芯片制造領(lǐng)域,濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝,隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展,濕法設(shè)備已經(jīng)成為L(zhǎng)ED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,如SPM酸清洗、有機(jī)清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝,現(xiàn)已形成可滿(mǎn)足LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目需求的全自動(dòng)濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備 設(shè)備名稱(chēng)南通華林科納CSE-外延片清洗機(jī)設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等專(zhuān)有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動(dòng)傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點(diǎn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨(dú)立密封,具有多種功能可實(shí)現(xiàn)晶圓干進(jìn)干出采用工控機(jī)控制,功能強(qiáng)大,操作簡(jiǎn)便可根據(jù)用戶(hù)要求提供個(gè)性化解決方案設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺(tái)結(jié)合微組裝工藝對(duì)鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點(diǎn),在6" (150mm)晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個(gè)部分組成,一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線(xiàn)電刷、N2 保護(hù)單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體,二為三角形槽體、陽(yáng)極和電力線(xiàn)擋板組成的陽(yáng)極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下:從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出,采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢(shì)。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實(shí)現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護(hù)功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)使槽內(nèi)電場(chǎng)不均問(wèn)題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進(jìn)行鍍液噴射,實(shí)現(xiàn)攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來(lái)的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計(jì)最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿(mǎn)足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢(shì)斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu),鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場(chǎng)環(huán)境。通過(guò)進(jìn)行相關(guān)模擬、仿真和驗(yàn)證,鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu),可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場(chǎng)。從而通過(guò)改變流場(chǎng)的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點(diǎn)可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進(jìn)行晶圓電鍍工藝處理,由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn),該方法經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證具有:①結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單;②工藝參數(shù)控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝,同時(shí)可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng),目前已批量生產(chǎn)并在工藝線(xiàn)上得到較好的應(yīng)用,產(chǎn)品已通過(guò)技術(shù)定型鑒定和用戶(hù)驗(yàn)收。實(shí)現(xiàn)的主要工藝指標(biāo):最大晶...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 22
雙腔甩干機(jī)1. 應(yīng)用范圍:l 本機(jī)臺(tái)適用於半導(dǎo)體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機(jī)臺(tái),可同Run 50~100片.l 可對(duì)旋乾步驟進(jìn)行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過(guò)20年以上的應(yīng)用馬達(dá)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì), 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計(jì), 震動(dòng)值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計(jì),微塵控制於每次運(yùn)轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機(jī)臺(tái)內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達(dá): DC無(wú)刷馬達(dá)750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計(jì),隔離槽外污染l 不銹鋼N2過(guò)濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測(cè)保護(hù)(加熱器空燒保護(hù))l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開(kāi)關(guān)90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子,並按客戶(hù)需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨,並做動(dòng)態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂(lè)故障碼功能: 門(mén)鎖警告,氣體不足,傳動(dòng)異常警告 5. 電控系統(tǒng)l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機(jī)+ PLC可程式自動(dòng)化控制器(人機(jī) Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲(chǔ)存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲(chǔ)存能力記憶模組...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
枚葉式清洗機(jī)-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長(zhǎng):?jiǎn)纹角逑囱b置的優(yōu)點(diǎn)(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數(shù)非常少(到25nm可對(duì)應(yīng))例:附著粒子數(shù)…10個(gè)/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個(gè)/W2.藥液純水的消費(fèi)量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據(jù)每個(gè)客戶(hù)可以定制) 液體濺射(塵埃強(qiáng)制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問(wèn)題   更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlkncas.com),現(xiàn)在熱線(xiàn)咨詢(xún)400-8768-096;18913575037可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
自動(dòng)供酸系統(tǒng)(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱(chēng)南通華林科納CSE-CDS自動(dòng)供酸系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N1507設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱(chēng):CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在自動(dòng)模式情形...
發(fā)布時(shí)間: 2018 - 01 - 23
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應(yīng)用領(lǐng)域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱(chēng)CSE-單片清洗機(jī)類(lèi)  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時(shí)間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短(相較于槽式清洗機(jī))2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠(yuǎn)低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu),占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng),關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
氫氟酸HF自動(dòng)供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能??刂颇J剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式 設(shè)備名稱(chēng)南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱(chēng):CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說(shuō)明(酸堿類(lèi)):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過(guò)濾器:配有10” PFA材質(zhì)過(guò)濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類(lèi)采用一般型靜電容近接開(kāi)關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過(guò)濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在...
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日本芯片逆襲史第二部

時(shí)間: 2018-09-18
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日本半導(dǎo)體在1970-1985年的15年間到達(dá)了“黃金時(shí)代”,但物極必反、盛極而衰的事物發(fā)展規(guī)律是永恒不變的,且看日本怎么應(yīng)對(duì)。

由盛而衰背后是未能抓住規(guī)?;瘷C(jī)會(huì)

1980年代后期,日本的DRAM市場(chǎng)份額開(kāi)始大幅衰退,根本原因是DRAM市場(chǎng)結(jié)構(gòu)發(fā)生巨變,頻繁發(fā)生的貿(mào)易摩擦也一定程度上阻礙了行業(yè)發(fā)展。

日本芯片逆襲史第二部

日本企業(yè)在早期大型計(jì)算機(jī)所用的存儲(chǔ)器上有技術(shù)優(yōu)勢(shì),看重的是存儲(chǔ)器的品質(zhì)。但1980年代后期,隨著個(gè)人電腦市場(chǎng)蓬勃發(fā)展,對(duì)存儲(chǔ)器的可靠性和壽命要求較低,更側(cè)重于低價(jià)。但日本當(dāng)時(shí)依舊以高可靠性為生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),未能很好地適應(yīng)市場(chǎng)變化。

日本芯片逆襲史:從進(jìn)口到自主研發(fā)完成,日本做了什么?

有業(yè)內(nèi)人士指出,盡管當(dāng)時(shí)日本公司看到了個(gè)人電腦市場(chǎng)的動(dòng)向,但仍執(zhí)著于成品率,在降低成本方面比較欠缺。對(duì)比日韓的半導(dǎo)體公司會(huì)發(fā)現(xiàn),韓國(guó)公司在成本上大幅領(lǐng)先于日本公司,生產(chǎn)同樣的元器件,日本公司使用的設(shè)備數(shù)量竟是韓國(guó)的2倍,生產(chǎn)流程過(guò)長(zhǎng),進(jìn)而無(wú)法降低成本。

另有分析指出,這也和日本制造商沒(méi)有采取Fabless模式有關(guān)。這種水平分工的發(fā)展模式可以使專(zhuān)業(yè)公司專(zhuān)注設(shè)計(jì),代工廠專(zhuān)注生產(chǎn),可以對(duì)市場(chǎng)變化做出迅速反應(yīng),將機(jī)器折舊影響到的成本劣勢(shì)降到很低。

日本芯片逆襲史第二部:從進(jìn)口到自主研發(fā)完成,日本做了什么?

▲ Fabless模式

“日本的半導(dǎo)體制造大多仍是大集團(tuán)下的子部門(mén),盡管個(gè)別產(chǎn)品有不錯(cuò)的成績(jī),但在品牌占有率達(dá)到一定程度后,該模式無(wú)法再有效推升其半導(dǎo)體的零組件往下一個(gè)里程碑前進(jìn)。Fabless模式是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在規(guī)模經(jīng)濟(jì)發(fā)展下的必然走向。而以日本的發(fā)展模式來(lái)看,與其說(shuō)錯(cuò)失了市場(chǎng)的大變化,不如說(shuō)半導(dǎo)體發(fā)展有很強(qiáng)的規(guī)模經(jīng)濟(jì)作為營(yíng)運(yùn)支撐,而日本制造商未能發(fā)展出具有相對(duì)應(yīng)經(jīng)營(yíng)型態(tài)與經(jīng)濟(jì)規(guī)模的廠商,造成其競(jìng)爭(zhēng)力不斷被削弱?!奔钔貕惍a(chǎn)業(yè)研究院研究經(jīng)理林建宏對(duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示。

此外,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也受到了外部貿(mào)易摩擦的影響。日本半導(dǎo)體業(yè)的不斷崛起,讓美國(guó)同行危機(jī)感攀升。這可以從媒體報(bào)道窺見(jiàn)一斑。1978年,美國(guó)《財(cái)富》雜志刊登了《硅谷的日本間諜》的報(bào)道;1981年3月和12月,又兩次刊登報(bào)道敲響美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的警鐘。1983年,《商業(yè)周刊》雜志刊登了長(zhǎng)達(dá)11頁(yè)的《芯片戰(zhàn)爭(zhēng):日本的威脅》的專(zhuān)題。

日本芯片逆襲史第二部:從進(jìn)口到自主研發(fā)完成,日本做了什么?

美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)

隨著日本廠商的大量產(chǎn)能進(jìn)入市場(chǎng),供給嚴(yán)重過(guò)剩引發(fā)了全球DRAM的價(jià)格暴跌。1985年6月,美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)向美國(guó)貿(mào)易代表辦公室提起對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)品傾銷(xiāo)訴訟;此后,美光向美國(guó)商務(wù)部提起日本64K DRAM傾銷(xiāo)訴訟?!叭彰腊雽?dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)”正式開(kāi)戰(zhàn)。

這場(chǎng)戰(zhàn)爭(zhēng)最終以“日美半導(dǎo)體協(xié)定”了結(jié)。協(xié)定內(nèi)容主要包括改善日本市場(chǎng)的準(zhǔn)入和終止傾銷(xiāo)。美國(guó)加快推進(jìn)研發(fā),成功奪回寶座。到1993年,美國(guó)半導(dǎo)體公司的世界份額重回世界第一,并保持至今。

由于外部貿(mào)易摩擦激化,日本公司開(kāi)始向內(nèi)需拉動(dòng)的增長(zhǎng)模式轉(zhuǎn)型。在1985-2000年的15年間,日本電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值和出口增加了1.5倍,而內(nèi)需增加了2倍多。

日本芯片逆襲史第二部:從進(jìn)口到自主研發(fā)完成,日本做了什么?

▲日本泡沫經(jīng)濟(jì)破滅20年

在1990年代初,日本經(jīng)歷了泡沫經(jīng)濟(jì)崩潰,進(jìn)入“失去的20年”。2000年以后,日本GDP增長(zhǎng)停滯,日本電子產(chǎn)業(yè)總體出現(xiàn)衰退。2013年日本電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值是11萬(wàn)億日元,不到峰值時(shí)(26萬(wàn)億日元)的一半。

“1980年代末,日本經(jīng)濟(jì)達(dá)到了全球第二,美國(guó)以廣場(chǎng)協(xié)議和日美半導(dǎo)體協(xié)定來(lái)施壓,這大幅打壓了日本企業(yè)的獲利能力。而韓國(guó)趁勢(shì)舉國(guó)家之力來(lái)發(fā)展半導(dǎo)體行業(yè),不久后日本經(jīng)濟(jì)泡沫破裂,補(bǔ)貼難以維系。”顯示及半導(dǎo)體行業(yè)咨詢(xún)機(jī)構(gòu)CINNO副總經(jīng)理?xiàng)钗牡脤?duì)21世紀(jì)經(jīng)濟(jì)報(bào)道記者表示,半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展和一國(guó)的宏觀經(jīng)濟(jì)情況息息相關(guān),因?yàn)檫@是資金超級(jí)密集的產(chǎn)業(yè),需要持續(xù)的、大規(guī)模資金投入才會(huì)成功。當(dāng)一國(guó)經(jīng)濟(jì)整體不景氣時(shí),就難以大力支持其發(fā)展。

瘦死了的駱駝比馬大,日本雖說(shuō)是經(jīng)歷了發(fā)展模式與市場(chǎng)的不一致,泡沫經(jīng)濟(jì)的崩潰等問(wèn)題,但1980年代末日本經(jīng)濟(jì)達(dá)到了全球第二,后由于美國(guó)、韓國(guó)的追趕,使得經(jīng)濟(jì)整體不景氣,日本人的鉆研精神是不可忽視的,那日本半導(dǎo)體業(yè)是否能重現(xiàn)當(dāng)日的輝煌呢?



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