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濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌
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發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設(shè)備-南通華林科納CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。  更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間： 一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量： 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點： 干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)，國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，國內(nèi)腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納（打個廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡(luò)合物，利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
設(shè)備名稱：高溫磷酸清洗機設(shè)備型號：CSE-SZ2011-16整機尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據(jù)實際工藝時間可調(diào)清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機殼，優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結(jié)構(gòu)機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調(diào)式地腳，可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質(zhì)為PP管排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護裝置：      ●設(shè)有EMO(急停裝置)，       ●強電弱點隔離      ●設(shè)備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖：各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設(shè)備-南通華林科納CSE   晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍設(shè)備針對這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的，對所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應(yīng)用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設(shè)備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產(chǎn)品名稱：芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng)，流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺，風量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)www.hlkncse...
發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06
黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長期以來，多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來勢必成為多晶電池的標配技術(shù)。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進步的必由之路。 設(shè)備名稱CSE-黑硅制絨設(shè)備用途單晶/多晶太陽能電池片的金剛線切割后制絨產(chǎn)能3600-4000PCS/H；年產(chǎn)能120MW正常運作時間23h/d裝片量200pcs碎片率轉(zhuǎn)換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉(zhuǎn)化效率可以達到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻，晶界模糊，無色差；安裝調(diào)試時間 技術(shù)硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://126xa.cn，熱線：400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 04 - 05
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037
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在半導(dǎo)體封裝技術(shù)國際學會“2015 Electronic Components and Technology Conference（ECTC）”上，IBM蘇黎世研究所發(fā)表了用銅納米粒子使銅柱的倒裝芯片接合實現(xiàn)了低溫化目標的成果。       雖尚在初步評測階段，但擁有可在150℃的低溫下接合的潛在可能，有能緩和組裝時芯片與封裝間應(yīng)力的優(yōu)點。并且，由于使用銅納米粒子來接合銅柱，因此接合部最終會僅由銅構(gòu)成的塊。另外，對電流導(dǎo)致金屬離子移動的電遷移還有良好耐受力，稱能夠?qū)崿F(xiàn)可通過大電流的接合。       在實際評測的鍵合條件下，向接合部供給銅納米粒子后，以250℃烘烤，將銅納米粒子燒結(jié)成體塊。此前人們知道的接合銅表面的方法是熱壓鍵合，但其量產(chǎn)的門檻較高。存在如對接合部的平坦性的要求精度較高、要求接合面清潔以及要在400℃高溫下高壓接合等課題。此次的技術(shù)若能實用化，便可輕松實現(xiàn)僅由銅構(gòu)成的體塊接合，具有很大的優(yōu)點。公開接合方法和接合后的強度評測結(jié)果       此次發(fā)布的成果，尚未進入電遷移評測階段，只報告了接合方法和接合后的強度評測結(jié)果。該研究所表示，嘗試了兩種向銅柱與焊盤間供給銅納米粒子的方法。  ...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：81
（1）外延工藝技術(shù)       外延工藝是根據(jù)不同硅源（SIH2CL2、SIHCL3、SICL4），在1100-1180℃溫度下在硅片表面再長一層/多層本征（不摻雜）、N型（摻PH3）或P型（摻B2H6）的單晶硅，并把硅層的厚度和電阻率，厚度和電阻率的均勻性、表面的缺陷控制在允許范圍內(nèi)。功率半導(dǎo)體器件的外延生產(chǎn)工藝技術(shù)標準一般要求達到厚度40-80±5um, 厚度和電阻率均勻性控制在5%以內(nèi)。（2）光刻工藝技術(shù)       光刻工藝是半導(dǎo)體工藝技術(shù)中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，也是反映半導(dǎo)體工藝技術(shù)水平的重要指標。光刻工藝是將掩膜（光刻板）圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的光刻膠上形成產(chǎn)品所需要圖形的工藝技術(shù)，光刻機的精度一般是指光刻時所得到的光刻圖形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越細的線條，集成度也越高。對于高端Trench工藝技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件，光刻生產(chǎn)工藝采用8英寸硅片，0.5um技術(shù)。 （3）刻蝕工藝技術(shù)       刻蝕是用物理或化學的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，刻蝕的基本作用是準確地復(fù)制掩膜圖形，以保證生產(chǎn)線中各種工藝正常進行。濕法刻蝕是通過合適...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主——一種用來在半導(dǎo)體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導(dǎo)體元素少一價電子。  Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套準精度——在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度。  Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向異性——在蝕刻過程中，只做少量或不做側(cè)向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as d...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：72
Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 霧度 - 晶圓片表面大量的缺陷，常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正電荷類似，是由缺少價電子引起的。  Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶錠 - 由多晶或單晶形成的圓柱體，晶圓片由此切割而成。  Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圓片表面缺陷引起的脈沖信號。  Lay - The main direction of s...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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硅晶片         硅是一種灰色、易碎、四價的非金屬化學元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的，其次是氧元素，硅是自然界中最豐富的元素。在石英、瑪瑙、燧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅是建筑材料水泥、磚、和玻璃中的主要成分，也是大多數(shù)半導(dǎo)體和微電子芯片的主要原料。有意思的是，硅自身的導(dǎo)電性并不是很好。然而，可以通過添加適當?shù)臄v雜劑來精確控制它的電阻率。        制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。這要從硅錠的生長開始。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨形成的，不能用來做半導(dǎo)體電路。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。  加工硅晶片       生成一個硅錠要花一周到一個月的時間，這取決于很多因素，包括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。超過 75%的單晶硅晶圓片都是通過直拉生長法（Czochralski (CZ)）生長的。CZ 硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為攙雜。&#...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：80
設(shè)備概述華林科納CSE硅片有機清洗機，設(shè)備設(shè)計由華林科納聘請的從事半導(dǎo)體生產(chǎn)的專家親自指導(dǎo)，采用國際先進的生產(chǎn)加工工藝，在超凈廠房組裝測試，有可靠的質(zhì)量保障。設(shè)備由不銹鋼骨架，外包10mm厚瓷白防火PP板，潔凈美觀，耐腐蝕。電控面板置于機臺上方，方便操作，并有防腐蝕保護，具有嚴格的安全防護措置。此設(shè)備腐蝕清洗裝置主要是浸泡式清洗腐蝕、清洗主體(槽體部分/管路部分等),抽風系統(tǒng)，電控及操作臺等部分組成，腐蝕漂洗能力強,性能穩(wěn)定,安全可靠。適用于4、6、8英寸硅片的清洗處理，腐蝕漂洗能力強,性能穩(wěn)定,安全可靠。設(shè)備結(jié)構(gòu)    ※ 此設(shè)備腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕、清洗主體(槽體部分/管路部分等),抽風系統(tǒng),機械臂，電控及操作臺等部分組成;    ※ 設(shè)備工藝流程:根據(jù)設(shè)備所放場地布置要求(與客戶溝通確定),設(shè)備左進右出，經(jīng)手動放置上料位→AB清洗槽→AB清洗槽→DI沖水槽→HCL清洗槽→DI溢流槽→下料臺，工藝處理合格后經(jīng)操作人員手動下料;    ※ 安全門：進口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動門（左右、上下推拉式），防止有毒氣體揮發(fā)到室內(nèi)，保證設(shè)備外部環(huán)境符合勞動保護的相關(guān)標準，以保證設(shè)備操作人員及其周圍工作人員的身體健康；    ※ ...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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化學機械研磨技術(shù)（化學機器磨光， CMP）兼具有研磨性物質(zhì)的機械式研磨與酸堿溶液的化學式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達到全面性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積之進行。       在CMP制程的硬設(shè)備中，研磨頭被用來將晶圓壓在研磨墊上并帶動晶圓旋轉(zhuǎn)，至于研磨墊則以相反的方向旋轉(zhuǎn)。在進行研磨時，由研磨顆粒所構(gòu)成的研漿會被置于晶圓與研磨墊間。影響CMP制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學成份、溫度、以及研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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半導(dǎo)體晶圓在晶圓廠的時間通常有80%以上花費在等待、運輸與儲存方面。在這些長時間的非處理時期，潔凈室空氣、結(jié)構(gòu)材料和/或先前處理工序可能會對晶圓表面造成分子級污染。隨著關(guān)鍵尺寸的持續(xù)縮小以及新技術(shù)/材料/處理方法的推出，設(shè)備對空氣分子污染物(AMC)已經(jīng)變得更加敏感。惰性氣體相對安定 氮氣凈化成新寵        惰性氣體凈化是一種提供化學潔凈與穩(wěn)定晶圓環(huán)境的技術(shù)。這種技術(shù)尤其有助于去除來自先前處理工序的逸散/殘留氣體，特別是腐蝕性氣體。氧化、接觸形式、酸蝕刻以及光刻都是首先需要這種技術(shù)能力的處理方法。銅互連與低-K電介質(zhì)的面世進一步推動了這種需求。氧氣與濕氣的存在能夠影響自然氧化層的發(fā)展，減少硅化物的厚度，進而提高表面電阻，生成微粒、引起腐蝕，并加速化學污染。        由于其高反應(yīng)性以及和鄰近水分子和/或其它化學物類形成氫鍵的可能性，濕氣比氧氣和大部分其它化學物類更難從晶圓環(huán)境中清除。惰性氣體微環(huán)境也許是晶圓儲存與運輸?shù)睦硐胄徒鉀Q方案，能夠為對氧氣及濕氣敏感的產(chǎn)品或工序提供保護。C. Weibe、S. Abu-Zaid和H. Zhang發(fā)現(xiàn)持續(xù)用氮氣進行晶圓盒凈化能夠長期顯著減少硅表面的自然氧化層...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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