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晶片凸點(diǎn)電鍍?cè)O(shè)備-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 22

晶片凸點(diǎn)電鍍?cè)O(shè)備-南通華林科納CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無(wú)論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機(jī)等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個(gè)引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動(dòng)電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點(diǎn)，例如金凸點(diǎn)、焊料凸點(diǎn)、銦凸點(diǎn)，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。更多晶圓電鍍?cè)O(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍?cè)O(shè)備的相關(guān)方案

IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 08

IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工太陽(yáng)能電池片分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺(tái)產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動(dòng)平衡精度高規(guī)格工藝時(shí)間：一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量：任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點(diǎn)：干燥后無(wú)斑點(diǎn)IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

酸/堿刻蝕機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個(gè)方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)，國(guó)內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行，國(guó)內(nèi)腐蝕機(jī)做的比較好的有蘇州華林科納（打個(gè)廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí)，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動(dòng)，浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達(dá)到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動(dòng)片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時(shí)間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機(jī)理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡(luò)合物，利用這個(gè)性質(zhì)可以很容易通過(guò)光刻工藝實(shí)現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為...

高溫磷酸清洗機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

設(shè)備名稱：高溫磷酸清洗機(jī)設(shè)備型號(hào)：CSE-SZ2011-16整機(jī)尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據(jù)實(shí)際工藝時(shí)間可調(diào)清洗量：批量清洗時(shí)，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機(jī)殼，優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機(jī)臺(tái)底部：廢液排放管路，防漏液盤結(jié)構(gòu)機(jī)臺(tái)支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過(guò)可調(diào)式地腳，可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng)：位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明：上方防酸型照明臺(tái)面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺(tái)面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護(hù)裝置： ●設(shè)有EMO(急停裝置)， ●強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離 ●設(shè)備三層防漏托盤傾斜漏液報(bào)警設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺(tái)面布置圖：各槽工藝參數(shù)

芯片鍍金設(shè)備-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

芯片鍍金設(shè)備-南通華林科納CSE 晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍?cè)O(shè)備針對(duì)這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的，對(duì)所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。設(shè)備名稱南通華林科納CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應(yīng)用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺(tái)（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設(shè)備功能和特點(diǎn)（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產(chǎn)品名稱：芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計(jì) 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過(guò)濾出系統(tǒng)，流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽(yáng)極 11. 陰極擺動(dòng)裝置，頻率可調(diào)。 12. 陽(yáng)極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺(tái)，風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級(jí)清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無(wú)氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍?cè)O(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)www.hlkncse...

黑硅制絨設(shè)備-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 04 - 06

黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長(zhǎng)期以來(lái)，多晶太陽(yáng)電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來(lái)勢(shì)必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲(chóng)狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對(duì)值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率。南通華林科納CSE開(kāi)發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問(wèn)題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。設(shè)備名稱CSE-黑硅制絨設(shè)備用途單晶/多晶太陽(yáng)能電池片的金剛線切割后制絨產(chǎn)能3600-4000PCS/H；年產(chǎn)能120MW正常運(yùn)作時(shí)間23h/d裝片量200pcs碎片率轉(zhuǎn)換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉(zhuǎn)化效率可以達(dá)到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻，晶界模糊，無(wú)色差；安裝調(diào)試時(shí)間技術(shù)硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://126xa.cn，熱線：400-8768-096，18913575037

單片清洗機(jī)-華林科納CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 04 - 05

單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動(dòng)單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進(jìn)封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機(jī)類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽(yáng)能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時(shí)間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點(diǎn)1、單片處理時(shí)間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037

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高效太陽(yáng)能電池工藝改進(jìn)——擴(kuò)散

太陽(yáng)能電池片的淺結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)高效太陽(yáng)能電池的有效途徑之一，通常所說(shuō)的淺結(jié)是指太陽(yáng)能電池PN結(jié)結(jié)深小于0.3um，利用淺結(jié)可以顯著的降低太陽(yáng)能電池片表面的少數(shù)載流子復(fù)合速度，提高短波段的光譜響應(yīng)。一、調(diào)整方向 1、提高少子壽命 2、提高短波吸收 3、減少死層 4、提高開(kāi)路電壓二、高方阻的缺點(diǎn) 串聯(lián)電阻Rs=電極電阻+體電阻+薄層電阻+接觸電阻。高方阻使得表面薄層電阻明顯增加，增大了Rs，降低了FF。方阻越高，需要越密的柵線與之配合，才能發(fā)揮出高方阻低表面濃度的優(yōu)勢(shì)，這其中有兩個(gè)難點(diǎn)，其一是高方阻均勻性的控制，其二是銀漿的選擇，需要綜合考慮銀漿的導(dǎo)電特性、粘度等，使之適合密柵高方阻的印刷燒結(jié)。三、高方阻實(shí)現(xiàn)方法 1、低溫淀積+高濃度淀積 ...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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