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發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設備-南通華林科納CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后,送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝(DIP),還是四邊引線扁平封裝(QFP),封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小,所以要求器件的體積越小越好,像有300多個引出端的液晶顯示器(LCD)驅動電路,必須采用WLP的芯片尺寸封裝(CSP)。有些特殊的高頻器件,為了減小引線電感的影響,要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下,華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點,例如金凸點、焊料凸點、銦凸點,然后直接倒裝焊在相應的基板上。  更多晶圓電鍍設備可以關注南通華林科納半導體設備官網126xa.cn;現在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(126xa.cn),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區(qū)域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡合物,利用這個性質可以很容易通過光刻工藝實現選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻,現在大部分都改為...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
設備名稱:高溫磷酸清洗機設備型號:CSE-SZ2011-16整機尺寸:約2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)節(jié)拍:根據實際工藝時間可調清洗量:批量清洗時,采用提籃裝片,單次清洗圓片的數量要求如下2"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于25片4"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于20片6"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質10mm瓷白PP板機殼,優(yōu)質碳鋼骨架,外包3mmPP板防腐機臺底部:廢液排放管路,防漏液盤結構機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且通過可調式地腳,可高低調整及鎖定功能DIW上水管路及構件采用日本積水CL-PVC管材,排水管路材質為PP管排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質10mmPP板(帶有圓形漏液孔,清除臺面殘留液體)附件:水、氣槍左右各兩套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制;安全保護裝置:      ●設有EMO(急停裝置),       ●強電弱點隔離      ●設備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內臺面布置圖:各槽工藝參數
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設備-南通華林科納CSE   晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領域中應用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍設備針對這些應用研發(fā)和生產的,對所有客戶提供工藝和設備一體化服務。產品分生產型和研發(fā)型兩大類,適合不同客戶的需求。 設備名稱南通華林科納CSE-芯片鍍金設備應用領域:半導體、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具體應用:電鍍、電鑄工藝類型:電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圓尺寸:8inch或以下尺寸,單片或多片基本配置:操作臺(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)設備功能和特點(不同電鍍工藝配置有所差異) 1. 產品名稱:芯片鍍金設備 2. 產品系列:CSE-XL3. 晶圓尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng),內置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料:勞士領PP 6. 四面溢流設計 7. 溫度控制系統(tǒng):70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng),流量可調。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置,頻率可調。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺,風量可調。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系:均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5% 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多晶圓電鍍設備可以關注南通華林科納半導體設備官網www.hlkncse...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 06
黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長期以來,多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決,制約了電池效率的進一步提升。濕法黑硅技術成功解決了這一難題,該技術將來勢必成為多晶電池的標配技術。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨,形成蠕蟲狀的坑洞;而單晶采用堿制絨,形成金字塔結構的絨面。相比單晶電池,常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%(絕對值)。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關鍵。成本方面,單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣,成本大幅下降;而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配,具體講,金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后,反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷,嚴重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術完美的解決以上問題,既能提升電池效率又能降低電池成本,是多晶電池繼續(xù)進步的必由之路。 設備名稱CSE-黑硅制絨設備用途單晶/多晶太陽能電池片的金剛線切割后制絨產能3600-4000PCS/H;年產能120MW正常運作時間23h/d裝片量200pcs碎片率轉換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉化效率可以達到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻,晶界模糊,無色差;安裝調試時間 技術硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關設備,可以關注網址:http://126xa.cn,熱線:400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 05
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
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導讀: 半導體分立器件IGBT潛在市場巨大,在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網應用市場廣闊,而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口,以成熟的工藝制程落地在地生產,提升國產IGBT芯片模塊的自給率。半導體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大,在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網應用市場廣闊,而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口,以成熟的工藝制程落地在地生產,提升國產IGBT芯片模塊的自給率。IGBT應用領域廣泛,堪稱現代功率變流裝置的“心臟”和高端產業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機械、礦冶,到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產業(yè),都有它的身影。不過當前全球IGBT市場,仍被日、歐、美等IDM芯片廠刮分。盡管中國擁有全球最大的功率半導體市場,但與國際芯片大廠相比仍有很大差距,包括目前中國現在的IGBT等功率元器件幾乎也都依賴進口,每年需花數十億美元進行海外采購,自給率仍較低。不過這樣的情況正在一步步改觀取得突破。近期,包括中車株洲所與中車電動共同推出了多款應用于電動汽車的IGBT。這也讓中國的高鐵采用自己“中國芯”的核心芯片。中車電動母公司——中車株洲目前擁有國內首條、全球第二條8吋IGBT芯片及模塊生產線,并且已掌握IGBT的專業(yè)研發(fā)制造技術,具備年產12萬片芯片、并配套形成年產100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力,芯片與...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 13
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半導體行業(yè)招標采購項目進展英特爾半導體大連有限公司 (美國獨資)—非易失性存儲器一期擴建項目項目背景:英特爾大連芯片廠是英特爾半導體(大連)有限公司在大連市投資25億美元建設的先進半導體芯片制造廠, 也是英特爾在亞洲設立的第一座芯片廠。工廠于2007年底開始建設,2009年建成投入試用,2010年10月正式投產, 大連芯片廠的總建筑面積16.3萬平方米, 采用業(yè)界主流的300毫米硅晶圓和英特爾成熟的65納米制造工藝生產電腦芯片組產品。2015年10月21日, 英特爾宣布將其與美光合資開發(fā)的最新非易失性儲存技術引入中國, 并在遼寧大連投資55億美元, 升級現在的英特爾大連工廠以生產“非易失性儲存”設備。該項目將于2016年年底實現正式投產。非易失性儲存固態(tài)硬盤項目是英特爾核心計算業(yè)務, 大連新工廠也將成為英特爾在全球第一個用300毫米晶圓領先生產技術的非易失性存儲產品集成電路制造中心。這項投資將成為英特爾進一步踐行“生根中國, 綻放世界”戰(zhàn)略的重要里程碑。審批手續(xù)進展情況:該項目由區(qū)發(fā)改委批復建設 預計采購設備:模擬示波器、可程式交換直流電源供應器、臺式數字萬用表、電器綜合測試儀、光譜亮度計、分光輻射度計、電器綜合測試儀、色彩分析儀、視角測量儀、半導體封裝超純水設備、組裝生產線、芯片封裝機、無鉛...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 12
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SEMICON China在半導體行業(yè)內眾所周知,它是一次行業(yè)的盛會,每年從全世界各地趕來參加的半導體精英都是數以萬計。這說明了半導體在全球范圍內的火熱態(tài)勢,同時也見證了中國半導體制造業(yè)茁壯成長、加速發(fā)展的歷史,也必將為中國半導體制造業(yè)未來的強盛壯大作出貢獻。在不久前上海召開的SEMICON China 2017場面相當火爆中國半導體市場規(guī)模正在不斷提升,這是顯而易見的。從2000年以來,全球半導體市場一直在迅猛增長,而尤其以中國半導體的成長態(tài)勢最為顯著,在世界市場上所占的份額也日益提升。從2000年到2010年,中國半導體市場占全球份額從7%變成了30%;在剛過去的2016年,全球半導體市場總額高達3530億美元,而中國半導體市場占了其中的45%。相信在未來的幾年時間里中國半導體市場的占有份額還是會持續(xù)穩(wěn)定的增長。不過目前中國的“半導體熱”基本上屬于投資拉動型,實際的產業(yè)發(fā)展水平與國際先進水平仍有很大差距,尤其是在材料與設備上的差距特別明顯。隨著半導體行業(yè)的國際競爭力的持續(xù)增長,國內有經驗的人才資源還是不足。尤其是上游材料與設備嚴重依賴海外市場的供給,自身的材料與設備的質量和技術存在嚴重缺陷。集成電路產業(yè)的良性發(fā)展需要有適當的產業(yè)環(huán)境,需要有完善的生態(tài)體系。目前,中國制造企業(yè)仍然大量采用日韓等國外廠商供應的材料,這不利于自身技術的發(fā)揮,也不利于培育本土設備材料等配套企業(yè)。從“SE...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 10
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電子工廠化學品供應與回收系統(tǒng)概述由于電子產業(yè)的生產需要使用大量的化學品,而這些化學 品都具有一定危險性,稍有疏忽,就會造成重大的人員傷亡 和設備的損失,因此,如何將這些化學品在保證品質的前提下安全輸送到使用點,如何將這些使用過的化學品合理地回 收處理,將是電子工廠生產安全的重要問題。由此看來,電 子工廠中化學品的供應與回收系統(tǒng)之改進、優(yōu)化仍是值得探 究的。 原來國內大規(guī)模集成電路生 產線所需的化學品供給、回收系統(tǒng)管道完全由海外公司承攬施工,隨著國內 IC 制造業(yè)的發(fā)展,國內一流的 IC 工廠建設公司已經開始打破這一局面,涉足該系統(tǒng)的施工,為我國電 子行業(yè)的自主發(fā)展添加了助推劑。 本文就新型顯示器件廠(簡稱 LCD)和集成電路芯片廠 (簡稱芯片廠)的化學品供應和回收系統(tǒng)進行在系統(tǒng)類型、 基本構成、主要安全技術措施等方面做了些總結, 可供系統(tǒng)優(yōu)化時參考。 1 化學品供應系統(tǒng) 1.1 化學品供應系統(tǒng)的分類 化學品供應系統(tǒng)在國外一些企業(yè)稱為 CDS(Chemical Dispense System) 或 簡 寫 為 BCD (Bulk chemical distribution),它是為生產線 24 小時不間斷供應化學品的 系統(tǒng)。供應系統(tǒng)供應的化學品一般使用量較大或有多臺設備 使用,屬于遠距離輸送,不適用使用量少或是使用前存放時間有限制的化學品(通常需用特殊的包裝輸送到使用點)。...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 06
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目前半導體業(yè)發(fā)展的市場越來越巨大,而半導體工藝設備則為半導體大規(guī)模制造提供制造基礎,今天華林科納半導體CSE的小編為大整理了一套最全的半導體材料工藝設備匯總。1、單晶爐 設備名稱:單晶爐。設備功能:熔融半導體材料,拉單晶,為后續(xù)半導體器件制造,提供單晶體的半導體晶坯。主要企業(yè)(品牌):國際:德國PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美國QUANTUM DESIGN公司、德國Gero公司、美國KAYEX公司。國內:西安理工晶科、常州華盛天龍、上海漢虹、西安華德、上海申和熱磁、上虞晶盛、晉江耐特克、寧夏晶陽、常州江南、沈陽科儀公司。2、氣相外延爐設備名稱:氣相外延爐。設備功能:為氣相外延生長提供特定的工藝環(huán)境,實現在單晶上,生長與單晶晶相具有對應關系的薄層晶體,為單晶沉底實現功能化做基礎準備。氣相外延即化學氣相沉積的一種特殊工藝,其生長薄層的晶體結構是單晶襯底的延續(xù),而且與襯底的晶向保持對應的關系。主要企業(yè)(品牌): 國際:美國CVD Equipment公司、美國GT公司、法國Soitec公司、法國AS公司、美國ProtoFlex公司、美國科特·萊思科(Kurt J.Lesker)公司、美國Applied Materials公司。國內:中國電子科技集團第四十八所、青島賽瑞達、合肥科晶材料技術有限公司、北京金盛微納、濟南力冠電子科技有限公司。3、分子...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 05
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由全球半導體協會中國委員會主辦的全球規(guī)模最大、規(guī)格最高的半導體展SEMICON/FPD China 2017 國際半導體展3月14-16日在上海舉辦。這是全球半導體業(yè)界連續(xù)六年規(guī)格最高、規(guī)模最大的“嘉年華”,近900家展商在展會現場與逾6萬名專業(yè)觀眾互動。華林科納半導體CSE在此次展會參展的產品吸引了很多客戶前來觀展。
發(fā)布時間: 2017 - 03 - 17
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3月14日,由國際半導體產業(yè)協會(SEMI)中國委員會主辦的SEMICON China 2017國際半導體展在上海新國際博覽中心開幕。蘇州華林科納半導體設備技術有限公司此次參展給大家?guī)砹税雽w濕法清洗解決方案,與眾多專業(yè)觀眾以及行業(yè)伙伴進行了現場交流,深入交流了半導體濕法清洗的相關技術要求以及工藝,其中 單片清洗機、黑硅制絨設備、晶圓電鍍設備、濕法刻蝕機設備、甩干機以及兆聲清洗機受到很多客戶詳詢,現場人氣也是爆滿。更多半導體濕法腐蝕清洗相關的新聞請關注126xa.cn
發(fā)布時間: 2017 - 03 - 14
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CSE華林科納——誠邀各位業(yè)內朋友蒞臨參觀我司在SEMICON China 2017的展位,歡迎大家一起交流與探討,以便于更深的合作;我們的技術團隊會在T1館T113展位恭候大家的光臨,希望我們的技術和經驗能夠幫助大家解決半導體、光伏、MEMS等行業(yè)在濕法腐蝕清洗中遇到的問題和挑戰(zhàn)。如何能找到我們我們的展位在 TI 館 T113 展位。公司的介紹蘇州華林科納半導體設備技術有限公司(簡稱CSE)成立于2008年3月,總投資4500萬元;  目前已形成濕法清洗系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、CDS系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)的四大系列數十種型號的產品;廣泛應用于大規(guī)模集成電路電力電子器件、光電子器件、MEMS和太陽能電池等領域。 公司注重持續(xù)創(chuàng)新和技術改進,目前已擁有發(fā)明專利技術18項,并多次獲得國家高新技術產品認定證書,肯定了企業(yè)的整體實力。 10多年以來始終為半導體和太陽能行業(yè)提供創(chuàng)新的專用的濕法工藝解決方案; 以技術創(chuàng)新為支撐,以精細管理做保證,以優(yōu)質的產品和優(yōu)良的服務贏得了各界用戶的贊許和信賴。你可能會感興趣的設備此外,我們也給大家準備了豐富禮品,期待大家的參與;重要的事再重復一遍哦CSE華林科納將參加2017年慕尼黑上海半導體展SEMICON CHINA誠邀各位業(yè)內朋友蒞臨參觀、洽談!展位號:T113時間:2017年3月14日—16日上海新國際博覽中心 T館地址:上海市浦東新區(qū)龍陽...
發(fā)布時間: 2017 - 03 - 11
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LED 芯片是一種將直接電能轉化為光能的半導體器件,是現代信息產業(yè)的核心器件。隨著我國科學技術的不斷進步與微電子設備研制的發(fā)展,國內從事芯片設計制造企業(yè)也逐漸增長到幾百家,但是他們普遍自主知識產權及自主創(chuàng)新設計制造水平不高。LED 芯片制造及高端  封裝技術是技術密集型產業(yè),其發(fā)展水平離不開高端工藝與硬件設備。近年來國內微電子設備產業(yè)急速擴張,而支撐其技術引領的高端設備卻嚴重缺乏,發(fā)展瓶頸逐漸成形。目前產業(yè)高端設備依然依賴國外進口,亟需開發(fā)研制自己的高端設備。LED 封裝就是在保證其芯片無損以及高光取出效率的前提下將外部引線與內部芯片電極相互連接。在整個LED 產業(yè)鏈當中,封裝技術是產業(yè)與市場的連接紐帶,而在 LED 芯片制造和高端封裝過程當中去膠這一工藝過程起著非常重要的作用。1 當前面向 LED 芯片制造和封裝去膠設備現狀  隨著科學技術水平的不斷發(fā)展,集成電路技術現已主要通過凸點封裝模式來大幅提升封裝密度與效率。凸點封裝技術包括了膜沉積、光照、去膠等多項半導體芯片制備技術?,F代高端封裝工藝一般面向 300 mm 晶圓、65 nm 及以下極大規(guī)模集成電路封裝需求,開發(fā)凸點個數3000 以上、間距 20...
發(fā)布時間: 2017 - 02 - 09
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藍寶石晶片表面凈化技術研究  隨著光電子領域對氮化鎵 (GaN)基發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光性能要求不斷提高 , 從而對金屬有機化學氣相沉積法 (MOCVD)生長 G aN 的藍寶石 (α-A l2O3 )襯底晶片的表面質量要求越來越嚴, 這主要是因為藍寶石襯底晶片拋光表面的雜質沾污會嚴重影響 LED的質量和成品率 ,對于開盒即用 (是經清洗封裝后的晶片, 從片盒里取出后即可以投入到MOCVD生長爐中直接使用而不需要額外的清洗)的 2英寸藍寶石襯底晶片,影響 G aN 生長的臨界顆粒尺寸為 0. 3μm,拋光片表面大于 0. 2 μm 的顆粒數應小于 20個 /片。在目前的 LED生產中, 仍有 50%以上的廢品是由于表面污染引起的, 由于在襯底晶片生產中 , 幾乎每道工序都有清洗問題, 所以藍寶石晶片清洗的好壞對 LED 的發(fā)光性能有嚴重的影響 , 處理不當, 可能使全部藍寶石晶片報廢, 做不出 LED 管子來, 或者制造出來的 LED性能低劣、穩(wěn)定性和可靠性很差。因此弄清楚藍寶石晶片清洗的方法和原理 ,不管是對從事藍寶石晶片加工還是 LED 生產的人來說都具有十分重要的工程意義。  以下主要針對藍寶石晶片的凈化原理 、凈化工藝、凈化效果等方面技術問題進行了研究 , 提出了能夠滿足 G aN 生長要求的藍寶石晶片的凈化工藝和清洗液的配方 。...
發(fā)布時間: 2017 - 01 - 19
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