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濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌
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發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
SPM腐蝕清洗機設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設(shè)備。其中SPM自動清洗系統(tǒng)設(shè)備主要用于LED芯片制造過程中硅片表面有機顆粒和部分金屬顆粒污染的自動清洗工藝。設(shè) 備 名  稱南通華林科納CSE-SPM腐蝕酸洗機適 用 領(lǐng)  域LED外延及芯片制造設(shè) 備 用 途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備基 本 介 紹主要功能：通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的效果可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等被清洗硅片尺寸:2-8寸（25片/藍）設(shè)備形式：室內(nèi)放置型操作形式：自動設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096；18913575037更多的全自動半導(dǎo)體SPM腐蝕清洗機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 11 - 02
全自動濕法去膠清洗機-南通華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設(shè)備 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-全自動濕法去膠清洗機設(shè)備設(shè)備概況尺寸(參考)：約3500（L）*1500(W)*2000(H)（具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定）清洗件規(guī)格：一次性可裝8寸晶片25pcs典型生產(chǎn)節(jié)拍：5～10min/籃（清洗節(jié)拍連續(xù)可調(diào)）門：不銹鋼合頁門+PVC視窗主題構(gòu)造特點設(shè)備由于是在一個腐蝕的環(huán)境，我們設(shè)備的排風(fēng)方式，臺面下抽風(fēng)，每套工藝清洗槽都有自動開閉的槽蓋，槽蓋下有單獨的抽風(fēng)裝置。設(shè)備結(jié)構(gòu)外型，整機主要由機架、工藝槽體、機械手傳輸系統(tǒng)、排風(fēng)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、水路系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)等組成。由于工藝槽內(nèi)藥液腐蝕性強，設(shè)備需要做防腐處理：（1）設(shè)備機架采用鋼結(jié)構(gòu)骨架包塑；（2）殼體采用鏡面SUS316L不銹鋼焊接，制程區(qū)由耐腐蝕的SUS316L板材組合焊接而成：（3）電氣區(qū)設(shè)置在設(shè)備后上部，與濕區(qū)和管路區(qū)完全隔離；（4）槽體材料選用耐相應(yīng)溶液腐蝕的材料；（5）機械手探人濕區(qū)部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理。應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多全自動濕法去膠清洗機設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的全自動濕法去膠清洗機設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 07
金屬剝離清洗機-南通華林科納CSE微機電系統(tǒng)（MEMS)是指用微機械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為：成膜工藝（氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜：擴散 注入 退火）→光刻圖形（旋涂/光刻/顯影）→干法/濕法/ 刻蝕（濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗）設(shè)備名稱南通華林科納CSE-金屬剝離清洗機設(shè)備系列CSE-CX13系列設(shè)備概況尺寸(參考)：機臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH（具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定）清洗量：6寸25裝花籃2籃；重量：500Kg( 大約)；工作環(huán)境：室內(nèi)放置；主體構(gòu)造特點外 殼：不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門：無安全門，采用敞開式設(shè)計；管路系統(tǒng)：藥液管路采用不銹鋼管，純水管路采用CL-PVC管；閥門：藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門；排 風(fēng)：后下抽風(fēng)，動力抽風(fēng)法蘭位于機臺上部；水汽槍：配有水氣槍各2把，分置于兩側(cè)；隔板：藥液槽之間配有隔離板，防止藥液交叉污染；照明：機臺上方配照明（與工作區(qū)隔離）；機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且有高低調(diào)整及鎖定功能。三色警示燈置于機臺上方明顯處。工作槽參數(shù)剝離洗槽槽體：不銹鋼316，有效尺寸405×220×260mm；化學(xué)藥品：剝離洗液；藥液供液：人工手動加入；工作溫度：60℃并可調(diào)；溫度可調(diào)；加熱方式：五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱；液位控制：采用N2背壓數(shù)位檢測； 計時功能：工藝時間可設(shè)定，并可調(diào)，到設(shè)定時間后聲鳴提示，點擊按鈕后開始倒序計時；批次記憶：藥液使用次數(shù)可記憶，藥液供入時間可記憶，設(shè)定次數(shù)和設(shè)定時間到后更換藥液；排液：排液管道材質(zhì)為不銹鋼管，按鈕控制；槽蓋：配有手動槽蓋；IPA槽槽體：不...
發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05
管道清洗機設(shè)備—華林科納CSE半自動石英管清洗設(shè)備適用于臥式或立式石英管清洗優(yōu)點石英管清洗：臥式—標(biāo)準/立式—選項 先進的圖形化界面 極高的生產(chǎn)效率 最佳的占地 結(jié)合最先進工藝技術(shù) 優(yōu)越的可靠性 獨特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 應(yīng)用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可編程使得清洗管旋轉(zhuǎn)，清洗更干凈 PVDF工藝槽 裝有清洗溶劑的儲備槽（根據(jù)使用化學(xué)品的數(shù)量）放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內(nèi)部進行不斷循環(huán) 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗 集成水槍和N2搶 單獨排液系統(tǒng) 安全蓋子 易于操作和控制 節(jié)約用酸系統(tǒng) 全自動的清洗工藝步驟 備件 經(jīng)濟實惠的PP外殼材料—標(biāo)準更多的石英管道清洗機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 14
1、設(shè)備概況：主要功能：本設(shè)備主要采用手動搬運方式，通過對擴散、外延等設(shè)備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進行處理，從而達到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領(lǐng) 瓷白PP板，骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板；設(shè)備名稱：半自動石英管清洗機設(shè)備型號：CSE-SC-N401整機尺寸(參考)：4500mm*1500mm*2100mm；被清洗爐管尺寸（Max）：也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;節(jié)拍：約1--12小時（節(jié)拍可調(diào)根據(jù)實際工藝時間而定）      操作形式：半自動2、設(shè)備描述：此裝置是一個半自動的處理設(shè)備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設(shè)備特點： 腐蝕漂洗能力強,性能穩(wěn)定,安全可靠;設(shè)備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術(shù)先進,結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作;結(jié)合華林科納公司全體同仁之力,多年品質(zhì)保障,使其各部分遠遠領(lǐng)先同類產(chǎn)品;設(shè)備上層電器控制系統(tǒng)及抽風(fēng)系統(tǒng)，中層工作區(qū)，下層為管道安裝維修區(qū)，主體結(jié)構(gòu)由清洗機主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風(fēng)系統(tǒng)、工件滾動系統(tǒng)、氮氣鼓泡系統(tǒng)、支撐及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動機構(gòu)、管路部分、電控部分。本設(shè)備裝有雙防漏盤結(jié)構(gòu)，并有防漏檢測報警系統(tǒng)，在整臺設(shè)備的底部裝有接液盤。設(shè)備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程：檢查水、電、氣正?！鷨与娫础斯ど狭稀⑺帷垠w底部氮氣鼓泡→石英管轉(zhuǎn)動（7轉(zhuǎn)/min）→進入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水（同時氣動碟閥關(guān)閉）→懸浮顆粒物經(jīng)過溢流壩流出→排水碟閥打開（重顆粒雜質(zhì)排出）→初級潔凈水經(jīng)過溢流壩溢出→清洗次數(shù)重復(fù)循環(huán)（人工控制）→下料。 酸洗和水洗在同一槽內(nèi)完成1#，2#可通過循環(huán)泵循環(huán)使用...
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
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刻蝕設(shè)備在太陽能晶硅電池刻蝕工藝中的應(yīng)用——華林科納CSE在晶體硅太陽能電池的制備過程中，邊緣刻蝕作為生產(chǎn)工藝的重要一環(huán)，其質(zhì)量的好壞直接影響著太陽能電池片質(zhì)量的好壞。當(dāng)前，電池片的刻蝕主要采用的工藝有：等離子體刻蝕、化學(xué)腐蝕刻蝕和利用激光劃線刻蝕。1 工藝及設(shè)備原理等離子體和激光邊緣刻蝕在整個晶體硅太陽能電池片的生產(chǎn)工藝流程中的位置如圖 1 所示，等離子體刻蝕一般處于擴散工藝之后，而激光邊緣刻蝕處于燒結(jié)工藝后面。傳統(tǒng)的等離子體刻蝕設(shè)備主要是采用 ICP技術(shù)，配備 RF 電源組成的反應(yīng)系統(tǒng)及干式真空泵排氣系統(tǒng)等[2]，其設(shè)備原理如圖 2 所示，工作時先將硅片“疊硬幣”式裝入刻蝕夾具，然后放入反應(yīng)室中，硅片在全氟化物（PFC）活性等離子混合氣體中旋轉(zhuǎn)，氟離子與電池片側(cè)面的硅原子反應(yīng)，以去除暴露在邊緣的材料（pn 結(jié)），達到正背面絕緣目的，同時產(chǎn)生氟化硅氣體，然后通過廢氣系統(tǒng)排出。激光精密微細加工技術(shù)隨著自動化程度的提高和激光器類型的發(fā)展應(yīng)用越來越成熟，激光技術(shù)已越來越廣泛地使用到太陽能電池的埋柵刻槽、打孔、劃片等工藝中。在太陽能硅片電池劃片工藝的應(yīng)用中使用激光器的選型此前已做了很多試驗工作，Schoonderbeek [3] 對單晶硅激光劃線進行了綜合分析，對紅外（1 060～1 070 nm）、綠色（532 nm）和紫外（355 nm）激光照射（納秒脈沖寬度）前后的表面載流子壽命進...
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 01
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華林科納砷化鎵生產(chǎn)工藝-砷化鎵清洗設(shè)備砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ- Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)， 晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點1237℃，禁帶 寬度1.4電子伏。 砷化鎵于1964年進入實用階段。砷化鎵 可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上 的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、 紅外探測器、γ光子探測器等。 由于其電子遷移率比硅大5~6倍，故在 制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要 應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、 高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強 等優(yōu)點。 砷化鎵備料——對坩堝及備件的處理：1將石英件和PBN坩堝放入煅燒爐中煅燒 目的是除去坩堝表面的雜質(zhì)；2將石英件和PBN坩堝送入腐蝕間用王水進行酸洗 目的是除去附著在坩堝上的金屬離子；3將石英件和PBN坩堝用純水清洗 目的是洗去酸液；4將石英件和PBN坩堝用超聲波清洗 目的是除去剩余的小顆粒雜質(zhì) 將石英件和PBN坩堝烘干。目的是除去水分；5將石英件和PBN坩堝送入裝料間備用。砷化鎵備料——對籽晶、多晶的處理：1用砂紙對籽晶和多晶進行打磨2將籽晶和多晶送入腐蝕間用王水進行酸洗 目的是除去附著在籽晶和多晶的金屬離子3將籽晶和多晶送入清洗間用純水進行清洗目 的是洗去酸液4用沸水清洗，將籽晶和多晶送入烘干箱內(nèi)烘干5將籽晶和多晶送入裝料間備用將籽晶和多晶送入裝料間備用：A...
發(fā)布時間: 2016 - 11 - 29
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濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進行腐蝕，在腐蝕過程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。以后為華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)的工程師淺談在半導(dǎo)體濕法腐蝕清洗過程中遇到的清洗注意事項：1、硫酸雙氧水去膠         說明：去除光刻膠  配比：H2SO4：H2O2=3：1        溫度：140℃          流程：1槽5分鐘→溢流5分鐘→2槽5分鐘→沖水10次→甩干 2、DHF去二氧化硅         說明：HF酸漂去二氧化硅 配比：HF：H2O=1：10         溫度：室溫          流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定時）→溢流5分鐘→沖水10次→甩干 3、氮化硅...
發(fā)布時間: 2016 - 11 - 23
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半導(dǎo)體藍寶石晶片清洗介紹--華林科納CSE清洗環(huán)境  % `- K4 M2 z" c$ |7 [/ k) g整個藍寶石的加工環(huán)境對最終藍寶石晶片的表面質(zhì)量有很大的影響,對開盒即用的藍寶石晶片,通常拋光、清洗需要在100級以下的凈化室中進行,最后的凈化和封裝需要在10級的凈化臺中進行。同時操作人員需要著防塵服,人員進入凈化室要經(jīng)過風(fēng)淋處理。清洗工藝  ( b$ Y, O$ M) w, r針對開盒即用藍寶石晶片的表面質(zhì)量要求, 根據(jù)上述的凈化原理, 對切割、磨削、研磨、拋光等不同工序的晶片清洗工藝進行了優(yōu)化, 由于拋光后的清洗是最復(fù)雜的清洗, 也是要求最高的最后一道凈化工序, 清洗后就封裝, 交用戶進行GaN 外延生長。所以這里詳細分析拋光后藍寶石晶片的清洗方法, 拋光后的藍寶石晶片的具體清洗工藝和清洗劑的配方如下: a 拋光后的藍寶石晶片在50℃-60℃的三氯乙烷中用兆聲波清洗15分鐘； b 在20℃-25℃的丙酮中清洗2分鐘； c 用去離子水流清洗2分鐘；  ) r$ l4 l' A9 ?. c) L; `$ Dd 在80℃-90℃的2號液（該清洗劑各組分的體積比是1:4:20）中，兆聲波清洗10分鐘；  e 用去離子水流清洗2分鐘；  f 擦藍寶石晶片（可用擦片機）；  g 在90℃-95℃的1號液（該清洗劑各...
發(fā)布時間: 2016 - 11 - 13
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硅片清洗原理與方法---蘇州華林科納CSE1 引言 硅片經(jīng)過切片、倒角、研磨、表面處理、拋光、外延等不同工序加工后，表面已經(jīng)受到嚴重的沾污，清洗的目的就是為了去除硅片表面顆粒、金屬離子以及有機物等污染。2 硅片清洗的常用方法與技術(shù)化學(xué)清洗是指利用各種化學(xué)試劑和有機溶劑與吸附在被清洗物體表面上的雜質(zhì)及油污發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或溶解作用，或伴以超聲、加熱、抽真空等物理措施，使雜質(zhì)從被清除物體的表面脫附（解吸），然后用大量高純熱、冷去離子水沖洗，從而獲得潔凈表面的過程。在半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中，大約有30％的工序和硅片清洗有關(guān)，而不同工序的清洗要求和目的也是各不相同的，這就必須采用各種不同的清洗方法和技術(shù)手段，以達到清洗的目的。 化學(xué)清洗又可分為濕法化學(xué)清洗和干法化學(xué)清洗，其中濕法化學(xué)清洗技術(shù)在硅片表面清洗中仍處于主導(dǎo)地位，因此本文僅對濕法化學(xué)清洗及與之相關(guān)的技術(shù)進行介紹。3 濕法化學(xué)清洗原理常用化學(xué)試劑及洗液的去污能力，對于濕法化學(xué)清洗的清洗效率有決定性的影響，根據(jù)硅片清洗目的和要求選擇適當(dāng)?shù)脑噭┖拖匆菏菨穹ɑ瘜W(xué)清洗的首要步驟。4 濕法化學(xué)清洗方法4.1 溶液浸泡法溶液浸泡法就是通過將要清洗的硅片放入溶液中浸泡來達到清除表面污染目的的一種方法，它是濕法化學(xué)清洗中最簡單也是最常用的一種方法。它主要是通過溶液與硅片表面的污染雜質(zhì)在浸泡過程中發(fā)生化學(xué)反應(yīng)及溶解作用來達到清除硅...
發(fā)布時間: 2016 - 11 - 14
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華林科納CSE晶圓電鍍設(shè)備分兩個系列， CPE(半自動)/CPEA（全自動），主要 用于半導(dǎo)體晶圓凸點UBM金屬層制作 以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍； 還 可用于硅片制造中表層剝離、去除雜 質(zhì)以及大尺寸圖形腐蝕等方面。? 目前,比較典型的凸點制作工藝流程主要包括焊料凸點制作和金凸點制作。? 焊料凸點制作工藝流程: ? 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質(zhì)制作→光刻2→腐蝕介質(zhì)→去膠→濺射Ti/Cu→光 刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測凸點→劃片分割→成品。? 金凸點制作工藝流程: ? 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測→成品。? 一般來說,凸點制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點工藝還使用金錫、 錫、銀、銦、化學(xué)鍍鎳等鍍種。
發(fā)布時間: 2016 - 11 - 01
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—本文來自華林科納 網(wǎng)絡(luò)部摻雜的作用是制作N型或P型半導(dǎo)體區(qū)域，以構(gòu)成各種器件結(jié)構(gòu)。摻雜工藝的基本思想就是通過某種技術(shù)措施，將一定濃度的三價元素（如硼、銻）或五價元素（如磷、砷等）摻入半導(dǎo)體襯底，從而原材料的部分原子被雜質(zhì)原子代替。摻雜工藝方法分為：熱擴散法和離子注入法。熱擴散是最早使用也是最簡單的摻雜工藝，它利用原子在高溫下的擴散運動，使雜質(zhì)原子從濃度很高的雜質(zhì)源向硅中擴散并形成一定的分布。熱擴散通常分兩個步驟進行：預(yù)淀積（預(yù)擴散）和主擴散（也稱推進）。預(yù)淀積是在高溫下利用諸如硼、磷等雜質(zhì)源對硅片上的摻雜窗口進行擴散，在窗口處形成一層較薄但具有較高濃度的雜質(zhì)層。主擴散是利用預(yù)淀積所形成的表面雜質(zhì)層做雜質(zhì)源，在高溫下將這層雜質(zhì)向硅體內(nèi)擴散的過程。通常推進的時間較長。 現(xiàn)分別列出不同擴散方式的步驟：CSD涂源擴散（硼源）CSD涂源擴散的步驟為：CSD涂源——CSD預(yù)淀積——后處理——基區(qū)氧化——基區(qū)再擴散（或者后兩步同時進行即基區(qū)氧化再擴散）：1、硼源CSD涂覆：利用凃源機在硅片表面進行硼源涂覆，硼源選用硼源B 30，主要成份是B2O3，液態(tài)。涂源步驟為：1）清洗：硅片在2號清洗液中清洗，如果硅片較臟，還需要在煮沸的SH清洗液中浸泡清洗；2）涂覆：硅片旋轉(zhuǎn)速度約為2500轉(zhuǎn)/min，涂覆后硅片傳送到加熱板，溫度為（80±1）℃，加熱時間為20S；3）測試：硼源涂覆...
發(fā)布時間: 2016 - 09 - 20
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一、太陽能電池片工藝流程：　　制絨(INTEX)---擴散（DIFF）---后清洗（刻邊/去PSG）---鍍減反射膜（PECVD）---絲網(wǎng)、燒結(jié)（PRINTER）---測試、分選（TESTER+SORTER）---包裝（PACKING）　　二、我是做清洗的，今天主要跟大家分享一下清洗的工藝電池片制造過程中，有哪些步驟用到清洗呢？1，硅棒硅芯的清洗 ，需要用到硅棒硅芯清洗機 圖為華林科納硅棒清洗機2，制絨刻蝕--堿洗--酸洗     需要用到制絨腐蝕清洗機 圖為華林科納制絨腐蝕設(shè)備3，長時間擴散后需要對石英管進行清洗   需要石英管清洗機 圖為華林科納石英管清洗機下面講一講具體的步驟　?。ㄒ唬┣扒逑础　?.RENA前清洗工序的目的：　?。?） 去除硅片表面的機械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）　?。?） 清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）　　（3）形成起伏不平的絨面，利用陷光原理，增加對太陽光的吸收，在某種程度上增加了PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率?！　?、前清洗工藝步驟： 制絨→堿洗 →酸洗→吹干　　Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。 所用溶液為HF+HNO3 ，作用：　　（1）.去除硅片表面的機械損傷層；　?。?）.形成無規(guī)則絨面。Alkaline Rinse：堿洗槽 。 所用溶液為KOH，...
發(fā)布時間: 2016 - 09 - 20
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太陽能因其可再生與清潔環(huán)保等特性被廣泛關(guān)注，太陽能電池片生產(chǎn)廠家也越來越多。太陽能電池工作原理是利用光電材料吸收光能后發(fā)生光電于轉(zhuǎn)換反應(yīng)，根據(jù)所用材料的不同，太陽能電池可分為：硅基太陽能電池和薄膜電池，但由于其光能轉(zhuǎn)換效率的參差不齊，很多電池片廠家都在積極尋找新的高效電池材料及制作工藝，今天華林科納CSE的技術(shù)工程師也給大家講講硅基太陽能電池。一、硅太陽能電池1．硅太陽能電池工作原理與結(jié)構(gòu)太陽能電池發(fā)電的原理主要是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)，一般的半導(dǎo)體主要結(jié)構(gòu)如下：圖中，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。當(dāng)硅晶體中摻入其他的雜質(zhì)，如硼、磷等，當(dāng)摻入硼時，硅晶體中就會存在著一個空穴，它的形成可以參照下圖：圖中，正電荷表示硅原子，負電荷表示圍繞在硅原子旁邊的四個電子。而黃色的表示摻入的硼原子，因為硼原子周圍只有3個電子，所以就會產(chǎn)生入圖所示的藍色的空穴，這個空穴因為沒有電子而變得很不穩(wěn)定，容易吸收電子而中和，形成P（positive）型半導(dǎo)體。    同樣，摻入磷原子以后，因為磷原子有五個電子，所以就會有一個電子變得非?；钴S，形成N（negative）型半導(dǎo)體。黃色的為磷原子核，紅色的為多余的電子。如下圖。 P型半導(dǎo)體中含有較多的空穴，而N型半導(dǎo)體中含有較多的電子，這樣，當(dāng)P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起時，就會在接觸面形成電勢差，這就是...
發(fā)布時間: 2016 - 12 - 27
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半導(dǎo)體設(shè)備的國產(chǎn)化為什么這么難？！從成本構(gòu)成來看，國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)和國外企業(yè)相差不大，如關(guān)鍵零部件都是采購而來，人員和管理費用也相仿，但是實際上，產(chǎn)業(yè)大環(huán)境卻十分不同。比方說，同是采購零部件，我國企業(yè)因為是進口，所以要承擔(dān)稅費，而且有些零部件訂貨需要出口許可證;因為訂貨量相對小很多，采購價格高;產(chǎn)業(yè)配套條件不同，如實現(xiàn)某些設(shè)計驗證國內(nèi)企業(yè)要花更高的成本;缺乏人才等。 國產(chǎn)設(shè)備的設(shè)計水平和國際水平相差并不大，嚴格來說，真正的差距在于，一般國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備尚處在樣機階段就交給客戶，穩(wěn)定度不夠，這就會導(dǎo)致經(jīng)常down機。 就單單從我們?nèi)A林科納而言，一臺全自動清洗機，選材基本是和國外大廠一樣的，國外進口的零部件還需要承受高額稅費，訂貨量小，價格昂貴，就加工成本來說，絕不低于國外的一線廠家。 國內(nèi)與國外設(shè)備的差異無非兩個方面，工藝精度及穩(wěn)定度，然而精度及穩(wěn)定度的實現(xiàn)必須依靠無數(shù)次的實驗校準，整套的量測儀器，直接影響的又是成本及交期。往往采購國內(nèi)設(shè)備的廠家都是抱著國內(nèi)設(shè)備就該便宜的心態(tài)，價格壓得低的不能再低，交期催的急得不能再急，售后要求高的不能再高，他們不知道我們的利潤除去硬成本和軟成本還剩多少，這就引發(fā)了國內(nèi)設(shè)備制造屆的惡性價格戰(zhàn)，有些小廠家為了生存，選用低廉的材料，粗糙的加工工藝，省去了研發(fā)調(diào)試環(huán)節(jié)，他們打贏了價格戰(zhàn)，確輸了國產(chǎn)的名聲。 長此以往，國內(nèi)設(shè)...
發(fā)布時間: 2016 - 08 - 01
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