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濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌


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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 10
太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)-CSE在光伏發(fā)電領(lǐng)域,由于多晶硅電池片成本較低,其 市 場(chǎng) 占有率已躍居首位,但相對(duì)于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距,采用織構(gòu)化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前,多晶硅表面織構(gòu)化的方法主要有機(jī)械刻槽、激光刻槽、反應(yīng)離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等,其中各 向同性酸腐制絨技術(shù)的工藝簡(jiǎn)單,可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產(chǎn)工序中,同時(shí)成 本 最 低,因 而 在 大 規(guī) 模 的工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 05
花籃/片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 完美適應(yīng)當(dāng)前所有型號(hào)的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒,同時(shí)可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒(Foup片盒)三種設(shè)備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力:每次4組花籃和片盒清洗產(chǎn)能:每小時(shí)12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力:每次8組花籃和片盒清洗產(chǎn)能:每小時(shí)24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒(Foup)加載和清洗能力:每次6組前端開口片盒(Foup片盒)清洗產(chǎn)能:每小時(shí)18組前端開口片盒(Foup片盒) 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標(biāo)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時(shí)4組花籃和片盒,或是12個(gè)花籃(Cleanstep I/II) 簡(jiǎn)單快捷的對(duì)不同尺寸的片盒和花籃進(jìn)行切換 旋轉(zhuǎn)籠內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統(tǒng)對(duì)自鎖裝置的檢測(cè),達(dá)到安全加載片盒和花籃,及其運(yùn)行特征和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用不同化學(xué)品(稀釋劑)來清洗 泵傳輸清洗液 計(jì)量調(diào)整可通過軟件設(shè)置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務(wù)供應(yīng) — 標(biāo)準(zhǔn)化 或有一個(gè)體積約100升的熱水預(yù)備槽(循環(huán)泵和加熱棒用于熱水預(yù)備槽—選項(xiàng)) 籠子 帶有可變速旋轉(zhuǎn)的控制的高扭矩伺服電機(jī)(按照加載量和設(shè)備配置,最大旋轉(zhuǎn)速度200rpm,) 旋轉(zhuǎn)的不銹鋼籠子 會(huì)自動(dòng)停止工作(運(yùn)行過程中出現(xiàn)失衡狀態(tài)時(shí))熱空氣干燥 頂端吹下熱空氣 采用根據(jù)設(shè)備待機(jī)和工藝運(yùn)行模式的可調(diào)風(fēng)量的風(fēng)扇裝置 不銹鋼架上裝有加熱器,可以溫度控制 軟件監(jiān)控溫度 帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制 觸摸屏安裝在前面—標(biāo)準(zhǔn)化 也...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備設(shè) 備 名  稱南通華林科納CSE-RCA濕法腐蝕清洗機(jī)使 用 對(duì) 象硅晶片2-12inch適 用 領(lǐng)  域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等設(shè) 備 用 途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備主體構(gòu)造特點(diǎn)1. 設(shè)備包括:設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設(shè)備為半敞開式,主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅(jiān)固耐用,雙層防漏,機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體:設(shè)備為半敞開式,主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長(zhǎng)期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅(jiān)固耐用,雙層防漏,機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長(zhǎng)期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中;4.骨 架:鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成,防止外殼銹蝕。5.儲(chǔ)物區(qū):位于工作臺(tái)面左側(cè),約280mm寬,儲(chǔ)物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐;6.安全門:前側(cè)下開透明安全門,腳踏控制;7.工藝槽:模組化設(shè)計(jì),腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個(gè)統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn);8.管路系統(tǒng):位于設(shè)備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明;藥液管路采用PFA管,純水管路采用白色NPP噴淋管,化學(xué)腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放;9.電氣保護(hù):電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū),電氣元件有充分的防護(hù)以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠;所有可能與酸霧接觸的...
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 19
片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 設(shè)備概況:主要功能:本設(shè)備主要手動(dòng)/自動(dòng)搬運(yùn)方式,通過對(duì)片盒化學(xué)液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱:片盒清洗機(jī)設(shè)備型號(hào):CSE-SC-N259整機(jī)尺寸(參考):約1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(該設(shè)備非標(biāo)定制)操作形式:手動(dòng) 設(shè)備組成該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成 設(shè)備描述此裝置是一個(gè)手動(dòng)的處理設(shè)備;設(shè)備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等,操作方便;主體材料:德國進(jìn)口 10mmPP 板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包 3mmPP 板防腐;臺(tái)面板為德國 10mm PP 板;DIW 管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口 clean-PVC 管材,需滿足 18MW去離子水水質(zhì)要求;采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成排風(fēng):位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明:上方防酸照明安全考慮:1. 設(shè)有 EMO(急停裝置)2. 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 設(shè)備排風(fēng)口加負(fù)壓檢測(cè)表5. 設(shè)備三層防漏 漏盤傾斜 漏液報(bào)警 設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi) 更多的花籃和片盒清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096 18913575037可立即獲取免費(fèi)的片盒清洗機(jī)解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 06
自動(dòng)供液系統(tǒng)(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供液系統(tǒng) 適用對(duì)象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送,經(jīng)管道至設(shè)備;具有自動(dòng)化程度高,配比精確,操作簡(jiǎn)便等特點(diǎn);具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動(dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動(dòng)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)(Chemical Dispense System System)簡(jiǎn)稱:CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房?jī)?nèi):酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房;3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材,內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì);4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn);5. 過濾器:配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān);8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能:每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶(自動(dòng)切換)、配兩臺(tái)泵(一用一備)、帶過濾器;系統(tǒng)控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統(tǒng);2. 操作模式: CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制,操作介面以流程方式執(zhí)行,兼具自動(dòng)化與親和力。在自動(dòng)模式情形...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 06 - 13
設(shè)備名稱:晶棒腐蝕機(jī)---CSE產(chǎn)品描述:        ●此設(shè)備自動(dòng)化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動(dòng)機(jī)械傳送裝置,CDS系統(tǒng),抽風(fēng)系統(tǒng),電控及操作臺(tái)等部分組成;         ●進(jìn)口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動(dòng)門(對(duì)開/推拉式),保證設(shè)備外部環(huán)境符合勞動(dòng)保護(hù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),以保證設(shè)備操作人員及其周圍工作人員的身體健康;         ●機(jī)械臂定位精度高;         ●整體設(shè)備腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠;         ●設(shè)備成本合理,自動(dòng)化程度高,使用成本低;技術(shù)先進(jìn),結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作.         ●非標(biāo)設(shè)備,根據(jù)客戶要求具體定制,歡迎詳細(xì)咨詢!更多半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlcas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置(排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì))將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外(室外排放遵守國家環(huán)保要求),避免擴(kuò)散到室內(nèi);?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板,從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳;?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè)),排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門,操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量;3.2設(shè)備防護(hù)門:?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關(guān)閉,以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機(jī)界面為觸摸屏,接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能,各工作位過程完成提前提示報(bào)警,觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù);?●所有電控部分需獨(dú)立封閉,帶抽風(fēng)系統(tǒng),獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明:設(shè)備其它部位--低電壓燈,根據(jù)工作需要可控照明;?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì),方便操作;并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線,電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù),可防水耐腐蝕;?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù),免受腐蝕;?●設(shè)備具有良好的接地裝置;
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半導(dǎo)體行業(yè)最新新聞資訊2016.12.27韓媒:中國半導(dǎo)體正在加快崛起 有望趕超韓國韓媒稱,在1年多的時(shí)間里,中國半導(dǎo)體專業(yè)設(shè)計(jì)公司增加到了之前的2倍之多。市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)集邦科技21日透露,中國半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司從去年初的736家,增長(zhǎng)到了現(xiàn)在的1362家。壓倒性地超過了幾年來一直在200多家規(guī)模上原地踏步的韓國,實(shí)現(xiàn)了急速增長(zhǎng)。韓國《朝鮮日?qǐng)?bào)》網(wǎng)站12月22日?qǐng)?bào)道,中國半導(dǎo)體正在加快崛起,在存儲(chǔ)芯片工廠建設(shè)方面投資了幾十萬億韓元,還在傾盡全力培育相當(dāng)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大腦的設(shè)計(jì)公司。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司是專門設(shè)計(jì)電子回路的企業(yè),技術(shù)人才是競(jìng)爭(zhēng)力的源泉。不僅是存儲(chǔ)芯片,在韓國相對(duì)薄弱的設(shè)計(jì)領(lǐng)域,中國也意欲上升至世界最高水平。中國對(duì)創(chuàng)業(yè)者給予破例的資金支持,大舉召回在外國學(xué)習(xí)的本國半導(dǎo)體人才。半導(dǎo)體行業(yè)有關(guān)人士說:“中國展露出了躍升為涵蓋設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的綜合半導(dǎo)體大國的野心?!眻?bào)道稱,中國將視線轉(zhuǎn)向了半導(dǎo)體設(shè)計(jì)領(lǐng)域,是為了掌握未來IT(信息技術(shù))產(chǎn)業(yè)的主導(dǎo)權(quán)。半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司大部分以擔(dān)當(dāng)信息計(jì)算和處理的“系統(tǒng)半導(dǎo)體”為主業(yè)。系統(tǒng)半導(dǎo)體是PC和智能手機(jī)以及物聯(lián)網(wǎng)、無人駕駛汽車等未來產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù),因此跨國半導(dǎo)體公司間的角逐異常激烈。報(bào)道稱,中國在半導(dǎo)體生產(chǎn)方面已經(jīng)進(jìn)行了天文數(shù)字的投資。在韓國名列世界第一位的存儲(chǔ)(信息存儲(chǔ))芯片領(lǐng)域,今年初清華紫光集團(tuán)和XMC分別宣布投資300億美元和240億美元進(jìn)行工廠建設(shè)。...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 27
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1/我國絕緣雙極性晶體管(IGBT)首次出口海外市場(chǎng)近日,中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司(中車株洲所)自主研發(fā)的8英寸IGBT產(chǎn)品,成功中標(biāo)印度機(jī)車市場(chǎng),將用于該國電力貨運(yùn)重載機(jī)車改造升級(jí)項(xiàng)目,這是該產(chǎn)品首次出口海外。 2/看好智能汽車發(fā)展,促成最大半導(dǎo)體收購案誕生據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》稱,高通周四斥資390億美元收購恩智浦半導(dǎo)體公司(NXP Semiconductors NV),這是半導(dǎo)體行業(yè)有史以來最大的收購案,也是整個(gè)科技行業(yè)歷史上第二大交易案 3/兩岸半導(dǎo)體競(jìng)合大打擦邊球戰(zhàn)術(shù) LCD驅(qū)動(dòng)IC供應(yīng)鏈轉(zhuǎn)移中大陸投資半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)幾乎已經(jīng)勢(shì)不可擋,清華紫光集團(tuán)原本預(yù)計(jì)投資臺(tái)系IC封測(cè)大廠的硅品、力成、南茂,但業(yè)界認(rèn)為,基本上隨著臺(tái)灣政策將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)視為具有戰(zhàn)略高度產(chǎn)業(yè),“以拖待變”戰(zhàn)術(shù)使得紫光集團(tuán)不得其門而入。然而,隨著與大陸競(jìng)合多空不一的爭(zhēng)論持續(xù),全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電仍不改其于南京設(shè)立12吋晶圓廠的計(jì)劃并已經(jīng)進(jìn)行,使得臺(tái)灣半導(dǎo)體業(yè)界也深知不與大陸合作,幾乎是逆勢(shì)而行。 4/華嶺股份:國內(nèi)集成電路第三方測(cè)試龍頭IC產(chǎn)業(yè)鏈帶動(dòng)測(cè)試服務(wù)需求,獨(dú)立測(cè)試企業(yè)應(yīng)運(yùn)而生:IC測(cè)試主要是對(duì)芯片、電路產(chǎn)品的功能、性能測(cè)試,最近幾年IC封裝測(cè)試業(yè)依然保持著每年10%左右的穩(wěn)步增長(zhǎng)態(tài)勢(shì),IC封測(cè)業(yè)仍是集成電路產(chǎn)業(yè)鏈中占比最大的環(huán)節(jié),比重穩(wěn)定在40%左右。同時(shí)IC制造業(yè)和設(shè)計(jì)業(yè)開...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 14
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通過結(jié)合3D全息光刻和2D光刻技術(shù),美國伊利諾伊大學(xué)厄巴納—香檳分校的科學(xué)家日前開發(fā)出一種適用于大規(guī)模集成電路的高性能3D微電池。研究人員稱,這種微型高能電池具有極其優(yōu)異的性能和可擴(kuò)展性,為人們提供了無限的想象空間,有望讓很多設(shè)備小型化應(yīng)用成為現(xiàn)實(shí)。相關(guān)論文發(fā)表在美國《國家科學(xué)院學(xué)報(bào)》上。負(fù)責(zé)此項(xiàng)研究的伊利諾伊大學(xué)材料與工程學(xué)教授保羅·布勞恩說,由于小型化儲(chǔ)能技術(shù)一直以來都是一個(gè)難題,微型設(shè)備通常都由片外電池或電源提供能源。其難點(diǎn)主要在于3D電極,這種電極十分復(fù)雜,在普通電池上實(shí)現(xiàn)的難度都比較大,更不用說片上集成。新技術(shù)成功突破了難關(guān),讓很多重要的應(yīng)用成為了可能。論文第一作者、伊利諾伊大學(xué)材料與工程學(xué)院研究生寧海龍(音譯)稱,他們采用了一種能夠與現(xiàn)有微電子制造高度兼容的技術(shù),開發(fā)出這種微型3D鋰離子電池。在制造電極時(shí),他們先用3D全息光刻技術(shù)來界定電極的內(nèi)部結(jié)構(gòu),再用2D光刻技術(shù)塑造電極的外部形狀。借助3D全息光刻技術(shù),研究人員通過光束創(chuàng)建出完美的三維結(jié)構(gòu),讓這種微型電池獲得了性能優(yōu)異的多孔電極,有助于電池內(nèi)部電子和離子的快速傳導(dǎo)。這種方法的顯著優(yōu)勢(shì)在于,能讓人們對(duì)與電池能量、功率密切相關(guān)的參數(shù)進(jìn)行靈活的調(diào)整,如電極的大小、形狀、表面積、孔隙率和彎曲狀態(tài)等。這為下一代芯片儲(chǔ)能設(shè)備的設(shè)計(jì)制造鋪平了道路。雖然3D全息光刻技術(shù)需要對(duì)光束進(jìn)行十分精確的控制,但最近的技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)大...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 13
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鍺和鉛在元素周期表中是同屬一族的,后者在很早以前就被古代的人們發(fā)現(xiàn)并利用,但是鍺長(zhǎng)時(shí)期以來卻沒有被工業(yè)規(guī)模的開采。原因并不是由于鍺在地殼中的含量少,而是因?yàn)樗堑貧ぶ凶顬榉稚⒌脑刂?,含鍺的礦石是很少的。鍺是位于元素周期表(長(zhǎng)式)中第4周期第ⅣA族的元素,原子序數(shù)為32。它的左邊是31號(hào)元素鎵(金屬),右邊是33號(hào)元素砷(非金屬),上面是14號(hào)元素硅(屬非金屬,可做半導(dǎo)體材料),下面是50號(hào)元素錫(屬金屬元素,但金屬性較弱),可見鍺處于金屬和非金屬交界處。因?yàn)樗馁|(zhì)地很脆但它的導(dǎo)電性很差,可是它又算不上良好的絕緣體。它介于兩者之間,物理學(xué)上稱它為半導(dǎo)體。鍺的電阻率處于硅和錫之間,鍺和硅一樣,能夠制成整流器,把交流電變?yōu)橹绷麟?。鍺的半導(dǎo)體特性早在1915年就被科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了,但由于當(dāng)時(shí)無線電技術(shù)剛發(fā)展,半導(dǎo)體材料僅用做收音機(jī)的檢波器而已;鍺的原料缺乏,提純困難;鍺制成的整流器性能不如電子管,所以鍺長(zhǎng)期未受重視。到第二次世界大戰(zhàn)期間,雷達(dá)興起,電子管已不能滿足雷達(dá)的要求,人們通過研究發(fā)現(xiàn)鍺能很好地滿足這種要求,然而用鍺制得的電子元件性能總不穩(wěn)定,主要是微粒雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體的性能影響較大,但隨著超純鍺的制得,鍺優(yōu)良的半導(dǎo)體特性就充分顯露出來。用鍺制成的整流器體積小、重量輕、壽命長(zhǎng)、機(jī)械穩(wěn)定性良好,鍺成為電子工業(yè)的重要材料。近二三十年來,半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展很快。全球半導(dǎo)體市場(chǎng)容量大致以每5年翻一...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 12
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中芯國際北京公司擁有國內(nèi)唯一一條實(shí)現(xiàn)持續(xù)盈利的12英寸集成電路生產(chǎn)線。該生產(chǎn)線上所使用的幾十臺(tái)國產(chǎn)設(shè)備,與眾多進(jìn)口設(shè)備一起,新近完成了12英寸晶圓千萬片次的量產(chǎn)。     集成電路俗稱芯片,是高端制造業(yè)的核心。近年來,我國每年集成電路產(chǎn)品進(jìn)口金額超過石油。在普及率極高的智能手機(jī)行業(yè),包括CPU、存儲(chǔ)器、各類感應(yīng)元器件等,基本依賴進(jìn)口。     2008年以來,國家通過極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝專項(xiàng)——“02專項(xiàng)”的實(shí)施,推動(dòng)集成電路國產(chǎn)裝備的開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,把目標(biāo)直接定位在世界上最先進(jìn)的65納米、40納米、28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上,并由行業(yè)的龍頭企業(yè)來牽頭。     中芯國際是內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路制造企業(yè)。其位于亦莊的北京公司,與國內(nèi)集成電路設(shè)備制造商成立了“產(chǎn)學(xué)研”聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室,共同面對(duì)設(shè)備要求高、系統(tǒng)復(fù)雜、每?jī)赡旮乱淮?、市?chǎng)基本被美歐日幾家廠商壟斷的局面。     在裝備設(shè)計(jì)上,以往,廠商自己在實(shí)驗(yàn)室里閉門造車,造出一個(gè)“鐵箱子”,然后搬到工廠里去,不行再搬回來改;現(xiàn)在要預(yù)先知道生產(chǎn)的具體要求是什么,隨時(shí)改進(jìn),共同開發(fā)。     對(duì)芯片生產(chǎn)企業(yè)來說,原來是購買進(jìn)口...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 10
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華林科納關(guān)注半導(dǎo)體業(yè)界動(dòng)態(tài)1. 北京君正擬126億收購豪威和思必科12月1日,北京君正集成電路股份有限公司晚間發(fā)布公告稱,擬采用非公開發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購買北京豪威科技有限公司100%股權(quán)、北京視信源科技發(fā)展有限公司100%股權(quán)以及北京思比科微電子技術(shù)股份有限公司40.43%股權(quán)。本次交易作價(jià)共計(jì)約126.22億元,募集配套資金不超過21.55億元。北京君正認(rèn)為,收購?fù)瓿珊螅劳萍紝⒑退急瓤瞥浞职l(fā)揮協(xié)同作用。豪威科技將利用技術(shù)優(yōu)勢(shì),結(jié)合思比科的成本控制能力,遏制市場(chǎng)內(nèi)中低端圖像傳感器芯片企業(yè)蠶食市場(chǎng)空間,能夠有效應(yīng)對(duì)價(jià)格沖擊。 2. 廈門與中科院簽訂合作協(xié)議共建學(xué)院11月30日,廈門市和中國科學(xué)院簽訂共建“中國科學(xué)院大學(xué)廈門微電子工程學(xué)院”暨“廈門微電子產(chǎn)業(yè)研究院”合作框架協(xié)議。中國科學(xué)院大學(xué)廈門微電子工程學(xué)院為中國科學(xué)院大學(xué)二級(jí)學(xué)院,主要培養(yǎng)工程高端型+實(shí)用型的復(fù)合型人才,將實(shí)行雙導(dǎo)師制(學(xué)院和企業(yè)各一名)。學(xué)院預(yù)計(jì)從2018年起開始招收研究生,學(xué)歷教育以工程學(xué)位為主。同時(shí),將開展集成電路相關(guān)專業(yè)的本科三、四年級(jí)專業(yè)課程及項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)教育。廈門微電子產(chǎn)業(yè)研究院是適應(yīng)廈門微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展及技術(shù)創(chuàng)新要求,集產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)和關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、企業(yè)孵化、技術(shù)服務(wù)及人才培養(yǎng)等于一體的新興研發(fā)組織。 3. 紫光旗下新華三集團(tuán)落戶合肥高新區(qū)11月28日,新華三集團(tuán)安全...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 10
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華芯通啟用北京研發(fā)中心高通服務(wù)器芯片戰(zhàn)略主打中國牌”   貴州華芯通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司日前宣布正式啟用位于北京望京地區(qū)的北京研發(fā)中心。作為華芯通半導(dǎo)體全資子公司的北京華芯通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司亦落戶該地區(qū)并舉行了盛大的開業(yè)典禮。    目前,華芯通已經(jīng)獲得了ARM-V8架構(gòu)技術(shù)授權(quán),并制定了未來三年的產(chǎn)品規(guī)劃和時(shí)間表。    根據(jù)規(guī)劃,華芯通半導(dǎo)體近期將建設(shè)貴州、北京、上海三個(gè)基地,加快公司的芯片研發(fā)步伐。其中,貴州基地主要負(fù)責(zé)芯片和系統(tǒng)開發(fā)平臺(tái)的測(cè)試,已規(guī)劃建設(shè)四平方公里的集成電路產(chǎn)業(yè)園,包括設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試和辦公配套五個(gè)功能板塊;北京基地主要負(fù)責(zé)芯片的設(shè)計(jì)、參考系統(tǒng)和軟件的開發(fā),市場(chǎng)營銷和營運(yùn),目前已經(jīng)完成了管理團(tuán)隊(duì)的組建,技術(shù)團(tuán)隊(duì)的招聘、技術(shù)資料的移交、研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等等工作,研發(fā)中心和實(shí)驗(yàn)室也正式投入使用; 上海基地主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)和驗(yàn)證,預(yù)計(jì)在2017年第一季度投入使用。直擊東莞集成電路高峰論壇明年IC業(yè)靠什么來拉動(dòng)?   全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不是高速增長(zhǎng),而是呈個(gè)位數(shù)增長(zhǎng)?!痹谌涨坝谒缮胶e辦的“2016年東莞市IT產(chǎn)業(yè)峰會(huì)暨集成電路高峰論壇”上,臺(tái)灣資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所資深產(chǎn)業(yè)顧問兼資深總監(jiān)陳子昂如是指出IC產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀,并對(duì)IC產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用及未來趨勢(shì)進(jìn)行了具體解讀,并給出了...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 06
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LED 用藍(lán)寶石晶片濕法腐蝕清洗技術(shù)的研究      近二十年來,氮化鎵基發(fā)光二極管(GaN-basedLEDs)取得了飛躍式發(fā)展,并實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。GaN-based LEDs 由于其高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)越性能,將取代現(xiàn)有的白熾燈、熒光燈、鹵化燈等而成為主流的固態(tài)照明工具。      現(xiàn)有的外延襯底大部分為藍(lán)寶石,藍(lán)寶石的組成為氧化鋁(Al2O3)。由于藍(lán)寶石的光學(xué)穿透帶很寬,從近紫外光到中紅外線都具有很好的透光性。因此被大量用在光學(xué)元件、紅外裝置、高強(qiáng)度鐳射鏡片材料及光罩材料上,它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、熔點(diǎn)高等特點(diǎn),因此常被用來作為光電元件的材料。目前超高亮度白 / 藍(lán)光 LED 的品質(zhì)取決于氮化鎵磊晶(GaN)的材料品質(zhì),而藍(lán)寶石襯底晶片拋光表面的雜質(zhì)沾污會(huì)嚴(yán)重影響 LED 的質(zhì)量和成品率。影響 GaN生長(zhǎng)的臨界顆粒尺寸為 0.3 μm,在目前的 LED生產(chǎn)中,絕大多數(shù)廢品是由于表面污染引起的,由于在襯底晶片生產(chǎn)中,幾乎每道工序都有清洗問題,所以藍(lán)寶石晶片清洗的好壞對(duì) LED 的發(fā)光性能有嚴(yán)重的影響,處理不當(dāng),可能使全部藍(lán)寶石晶片報(bào)廢,做不出管子來,或者制造出來的 LED 性能低劣、穩(wěn)定性和可靠性很差。因此弄清楚藍(lán)寶石晶片清洗的方法和原理具有十...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 01
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資料根據(jù)金融資料提供商 Dealogic 的資料顯示,過去 2 年間,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)完成的并購交易規(guī)模已經(jīng)達(dá)到 2,400 億美元。而 2016 年目前為止,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的并購交易金額則達(dá)到為 1,302 億美元,較 2015 年的金額高出 16%,創(chuàng)下新紀(jì)錄。而且,過去 2 年,有 6 筆交易的規(guī)模超過 100 億美元,3 筆超過 300 億美元。 在這么瘋狂的并購熱潮后,未來半導(dǎo)體發(fā)展的態(tài)勢(shì)將會(huì)如何?根據(jù) Dealogic 的分析顯示,接下來的市場(chǎng)狀況有可能退燒一段時(shí)間。 首先是當(dāng)前市場(chǎng)中可供收購的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體芯片企業(yè)已不多,而且多數(shù)想要實(shí)施收購的公司已經(jīng)完成了各自收購交易。舉例來說:高通(Qualcomm)藉由 300 億美元的海外現(xiàn)金儲(chǔ)備中,要拿出大部分用來收購恩智浦 (NXP) 半導(dǎo)體。博通 (Broadcom) 則在 2016 年初完成了與安華高科技(Avago)的 370 億美元合并交易后,并另外投資 55 億美元收購網(wǎng)絡(luò)設(shè)備公司博科通訊系統(tǒng)(Brocade)。至于半導(dǎo)體龍頭英特爾(Intel)則在 2015 年斥資逾 150 億美元,收購了 Altera 之后,隨后又收購或計(jì)劃收購 12 家小型公司。這些交易,都已經(jīng)使得市場(chǎng)上可以再被收購的好標(biāo)的大大減少。 而另外一個(gè)導(dǎo)致半導(dǎo)體企業(yè)收購放緩的原因,就是各國監(jiān)管部門的管制。就如同...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 11 - 14
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隨著超大規(guī)模集成電路的發(fā)展、集成度的不斷提高、線寬的不斷減小,對(duì)硅片表面的潔凈度及表面態(tài)的要求也越來越高。要得到高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件,僅僅除去硅片表面的沾污已不再是最終的要求。在清洗過程中造成的表面化學(xué)態(tài)、氧化膜厚度、表面粗糙度等已成為同樣重要的參數(shù)。目前,通常應(yīng)用的清洗方法是濕式化學(xué)清洗法,即利用有機(jī)溶劑、堿性溶液、酸性溶液、表面活性劑等化學(xué)試劑,配合兆聲、超聲、加熱等物理措施,使有機(jī)物、顆粒、金屬等沾污脫離硅片表面,然后用大量的去離子水沖洗,獲得潔凈的硅片表面的清洗方法。1.硅片清洗     硅片表面沾污是指沉積在硅片表面的粒子、金屬、有機(jī)物、濕氣分子和自然氧化膜的一種或幾種。因?yàn)橛袡C(jī)物會(huì)遮蓋部分硅片表面,使氧化層和與之相關(guān)的沾污難以去除,清洗的一般思路是首先去除表面的有機(jī)沾污,然后溶解氧化層(因?yàn)檠趸瘜邮?quot;沾污陷阱",也會(huì)引入外延缺陷),最后再去除顆粒、金屬沾污,同時(shí)使表面鈍化。2.清洗技術(shù)的最新發(fā)展  2.1電解離子水清洗硅片  用電解的方法將超凈水或添加電解質(zhì)的超凈水分解為陰離子和陽離子,并通過調(diào)節(jié)電解液的濃度、電流密度等來控制其pH值和氧化還原電位,得到所需要的強(qiáng)氧化性溶液或強(qiáng)還原性溶液,以達(dá)到去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒和金屬的作用。此清洗方法可大幅度地減少化學(xué)試劑的用量,而且也減少了沖洗用的...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 11 - 15
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