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濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌
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發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設(shè)備-南通華林科納CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進(jìn)行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機(jī)等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。  更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08
IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間： 一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量： 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點： 干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)，國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行，國內(nèi)腐蝕機(jī)做的比較好的有蘇州華林科納（打個廣告），腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達(dá)到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機(jī)理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡(luò)合物，利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為...
發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07
設(shè)備名稱：高溫磷酸清洗機(jī)設(shè)備型號：CSE-SZ2011-16整機(jī)尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據(jù)實際工藝時間可調(diào)清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍(lán)，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機(jī)殼，優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機(jī)臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結(jié)構(gòu)機(jī)臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調(diào)式地腳，可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質(zhì)為PP管排風(fēng)：位于機(jī)臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護(hù)裝置：      ●設(shè)有EMO(急停裝置)，       ●強(qiáng)電弱點隔離      ●設(shè)備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖：各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設(shè)備-南通華林科納CSE   晶圓電鍍工藝在半導(dǎo)體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍設(shè)備針對這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的，對所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應(yīng)用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設(shè)備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產(chǎn)品名稱：芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng)，流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風(fēng)操作臺，風(fēng)量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)www.hlkncse...
發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06
黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長期以來，多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進(jìn)一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來勢必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進(jìn)步的必由之路。 設(shè)備名稱CSE-黑硅制絨設(shè)備用途單晶/多晶太陽能電池片的金剛線切割后制絨產(chǎn)能3600-4000PCS/H；年產(chǎn)能120MW正常運(yùn)作時間23h/d裝片量200pcs碎片率轉(zhuǎn)換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉(zhuǎn)化效率可以達(dá)到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻，晶界模糊，無色差；安裝調(diào)試時間 技術(shù)硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://126xa.cn，熱線：400-8768-096，18913575037
發(fā)布時間： 2017 - 04 - 05
單片清洗機(jī)-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機(jī)應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕 去膠 金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進(jìn)封裝等  設(shè) 備 名 稱CSE-單片清洗機(jī)類  型單片式適 用 領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機(jī)）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小 更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://126xa.cn ,400-8768-096，18913575037
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摘要：研究了一種新穎的添加了表面活性劑和HF的RCA的改進(jìn)工藝，并和標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝與目前被廣泛采用的稀釋RCA工藝進(jìn)行了比較后指出，改進(jìn)工藝對金屬沾污和表面顆粒的有效去除能力，使0.18mm以上的顆粒能夠控制在15顆以內(nèi)，金屬沾污能夠有效降至109原子cm-2以下（Al略高小于1010cm-2）。1 引言       目前在半導(dǎo)體工業(yè)生產(chǎn)中，普遍采用的清洗工藝是改進(jìn)的RCA清洗技術(shù)，多年來，人們對RCA清洗技術(shù)的清洗效果進(jìn)行了深入的研究，kern證明RCA工藝可在硅片的表面形成1～1.5nm的氧化硅鈍化膜[1]，okumura觀察到標(biāo)準(zhǔn)的RCA清洗對硅片表面有較嚴(yán)重的粗糙化作用[2]，研究人員一直沒有放棄取代技術(shù)的研究。1994年，山東大學(xué)發(fā)明了可以與標(biāo)準(zhǔn)RCA工藝相媲美的新型清洗技術(shù)[3]，采用了DGQ-1和DGQ-2新型清洗劑，近年來也被廣泛采用。本文主要討論了添加表面活性劑和HF的RCA改進(jìn)清洗技術(shù)對拋光片金屬沾污和表面顆粒的影響。2 實驗方法       分別采用φ150mm，p(100)，8～11Ω·cm；φ125mm，p（111），3～5Ω·cm；φ100mm，n（100），0.0012～0.0015Ω·cm；φ100mm...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：87
一、概述：　　電子工業(yè)清洗是一個很廣的概念，包括任何與去除污染物有關(guān)的工藝，但針對不同的對象，清洗的方法有很大的區(qū)別。目前在電子工業(yè)中已廣泛應(yīng)用的物理化學(xué)清洗方法，從運(yùn)行方式來看，大致可分為兩種：濕法清洗和干法清洗。濕法清洗已經(jīng)在電子工業(yè)生產(chǎn)中廣泛應(yīng)用，清洗主要依靠物理和化學(xué)（溶劑）的作用，如在化學(xué)活性劑吸附、浸透、溶解、離散作用下輔以超聲波、噴淋、旋轉(zhuǎn)、沸騰、蒸氣、搖動等物理作用下去除污漬，這些方法清洗作用和應(yīng)用范圍各有不同，清洗效果也有一定差別。CFC清洗在過去的清洗工藝中，從清洗效力及后續(xù)工序上都占有很重要的地位，但由于其損耗大氣臭氧層，而被限制使用。對于替代工藝，在清洗過程中，不可避免的存在需后續(xù)工序的烘干（ODS類清洗不需烘干，但污染大氣臭氧層，目前限制使用）及廢水處理，人員勞動保護(hù)方面的較高投入，特別是在電子組裝技術(shù)，精密機(jī)械制造的進(jìn)一步發(fā)展，對清洗技術(shù)提出越來越高的要求。環(huán)境污染控制也使得濕法清洗的費(fèi)用日益增加。相對而言，干法清洗在這些方面有較大優(yōu)勢，特別是以等離子清洗技術(shù)為主的清洗技術(shù)已逐步在半導(dǎo)體、電子組裝、精密機(jī)械等行業(yè)開始應(yīng)用。因此，有必要了解等離子清洗的機(jī)理及其應(yīng)用工藝。二、等離子體清洗機(jī)理　　等離子體是正離子和電子的密度大致相等的電離氣體。由離子、電子、自由激進(jìn)分子、光子以及中性粒子組成。是物質(zhì)的第四態(tài)?！　⊥ǔＧ闆r下，人們普遍認(rèn)為的物質(zhì)有三態(tài)：固態(tài)、液態(tài)...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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一般來說：用于清洗的超聲波，其頻率應(yīng)在20KHz~80KHz之間，頻率低噪音大，換能器的體積也偏大，高頻率的超聲波通常被應(yīng)用于探傷，醫(yī)療診斷和超聲波加濕。超聲波設(shè)備概述       一定頻率范圍內(nèi)的超聲波作用于液體介質(zhì)內(nèi)可起到清洗工件的作用。這一清洗技術(shù)自問世以來，受到了各行各業(yè)的普遍關(guān)注。超聲波清洗機(jī)的運(yùn)用極大地提高了工作效率和清洗精度，以往清洗死角、盲孔和難以觸及的藏污納垢之處一直使人們備感頭痛，新技術(shù)的開發(fā)和運(yùn)用使這一工作變得輕而易舉。近年來，隨著電子技術(shù)的日新月異，超聲波清洗機(jī)也同我們?nèi)粘Ｉ铍x不開的收音機(jī)一樣，經(jīng)過了幾代的演變，技術(shù)更加先進(jìn)，效果更加顯著，同樣，它的價格也越來越多的被社會所接受，在各行各業(yè)中逐漸被廣泛運(yùn)用。超聲波清洗設(shè)備主要由以下組件構(gòu)成：    1、清洗槽：盛放待洗工件，不銹鋼制成，可安裝加熱及控溫裝置。    2、換能器（超聲波發(fā)生器）：將電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能，壓電陶瓷換能器，頻率、功率視具體機(jī)型。    3、電源：為換能器提供所需電能，逆變電源，進(jìn)口IGBT元件，安裝過流保護(hù)線路。    換能器將高頻電能轉(zhuǎn)換成機(jī)械能之后，會產(chǎn)生振幅極小的高頻震動并傳播到清洗槽內(nèi)的溶液...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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芯片清洗用超純水設(shè)備優(yōu)點           1、無需酸堿再生：在混床中樹脂需要用化學(xué)藥品酸堿再生，而EDI則消除了這些有害物質(zhì)的處理和繁重的工作。保護(hù)了環(huán)境。           2、連續(xù)、簡單的操作：在混床中由于每次再生和水質(zhì)量的變化，使操作過程變得復(fù)雜，而EDI的產(chǎn)水過程是穩(wěn)定的連續(xù)的，產(chǎn)水水質(zhì)是恒定的，沒有復(fù)雜的操作程序，操作大大簡便化。           3、降低了安裝的要求：EDI系統(tǒng)與相當(dāng)處理水量的混床相比，有較不的體積，它采用積木式結(jié)構(gòu)，可依據(jù)場地的高度和靈活的構(gòu)造。模塊化的設(shè)計，使EDI在生產(chǎn)工作時能方便維護(hù)。  芯片清洗用超純水設(shè)備的工藝流程           1、采用離子交換方式，其流程如下：原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過濾器→活性炭過濾器→軟水器→精密過濾器→陽樹脂過濾床→陰樹脂過濾床→陰陽樹脂混床→微孔過濾器→用水點。  &...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)。它是硅片表面物理和化學(xué)兩種過程平衡的結(jié)果。在半導(dǎo)體刻蝕工藝中，存在著兩個極端：離子銑是一種純物理刻蝕，可以做到各向異性刻蝕，但不能進(jìn)行選擇性刻蝕；而濕法刻蝕如前面所述則恰恰相反。人們對這兩種極端過程進(jìn)行折中，得到目前廣泛應(yīng)用的一些干法刻蝕技術(shù)。例如；反應(yīng)離子刻蝕(RIE --Reactive Ion Etching)和高密度等離子體刻蝕(HDP)。這些工藝都具有各向異性刻蝕和選擇性刻蝕的特點。反應(yīng)離子刻蝕通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點，同時兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點。目前，RIE已成為VLSI工藝中用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)。      干法刻蝕借助等離子體中，產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不相同。濕法刻蝕是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料。通常，氮化硅、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)，二氧化硅采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。通過刻蝕，或者是形成了圖形線條，如多晶硅條、鋁條等，或者是裸露了硅本體，為將來的選擇摻雜確定了摻雜的窗口。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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一. 硅片的化學(xué)清洗工藝原理　　硅片經(jīng)過不同工序加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類：　　A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污： 可通過有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來去除。　　B. 顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒?！　. 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類：　　   a. 一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面?！?#160;  　b. 另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。    硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污?！?#160;  　a. 使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 　   　b. 用無害的小直徑強(qiáng)正離子（如H+）來替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中?！?#160;  　c. 用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液中的金屬離子?！　∽?970年美國RCA實驗室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用，1978年RCA實驗室又推出兆聲清洗工藝，近幾年來以RCA...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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一. 硅片的化學(xué)清洗工藝原理 　　硅片經(jīng)過不同工序加工后，其表面已受到嚴(yán)重沾污，一般講硅片表面沾污大致可分在三類： 　　A. 有機(jī)雜質(zhì)沾污： 可通過有機(jī)試劑的溶解作用，結(jié)合超聲波清洗技術(shù)來 去除。 　　B. 顆粒沾污：運(yùn)用物理的方法可采機(jī)械擦洗或超聲波清洗技術(shù)來去除粒徑 ≥ 0.4 μm顆粒，利用兆聲波可去除 ≥ 0.2 μm顆粒。 　　C. 金屬離子沾污：必須采用化學(xué)的方法才能清洗其沾污，硅片表面金屬雜質(zhì)沾污有兩大類： 　　a. 一類是沾污離子或原子通過吸附分散附著在硅片表面。 　　b. 另一類是帶正電的金屬離子得到電子后面附著（尤如“電鍍”）到硅片表面。     硅拋光片的化學(xué)清洗目的就在于要去除這種沾污，一般可按下述辦法進(jìn)行清洗去除沾污: 　　A. 使用強(qiáng)氧化劑使“電鍍”附著到硅表面的金屬離子、氧化成金屬，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。 　　B. 用無害的小直徑強(qiáng)正離子（如H+）來替代吸附在硅片表面的金屬離子，使之溶解于清洗液中。 　　C. 用大量去離水進(jìn)行超聲波清洗，以排除溶液...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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1. 觸摸屏應(yīng)用場合及特點  1.1觸摸屏應(yīng)用場合       觸摸屏應(yīng)用范圍十分廣闊，不僅在工業(yè)控制，在其它領(lǐng)域如電信、稅務(wù)、銀行、電力、醫(yī)院、商場的業(yè)務(wù)查詢；機(jī)場、火車站、地鐵自動購票；以及辦公、軍事指揮、電子游戲、點歌點菜、多媒體教學(xué)、房地產(chǎn)預(yù)售；電梯按鈕、旋轉(zhuǎn)門控制等都獲得廣泛應(yīng)用，在手機(jī)、ipad上應(yīng)用最普遍。       工業(yè)用觸摸屏是與PLC配套使用的設(shè)備，是替代傳統(tǒng)機(jī)械按鈕和指示燈的智能化顯示終端。用觸摸屏上的圖符替代機(jī)械按鈕，可以避免觸點抖動，機(jī)械老化，接觸不良，提高系統(tǒng)可靠性。還可通過設(shè)置參數(shù)，顯示數(shù)據(jù)，以曲線或動畫等形式描繪和監(jiān)控多種被控設(shè)備的工作狀態(tài)和運(yùn)行參數(shù)，實現(xiàn)對系統(tǒng)的自動控制。       當(dāng)前在一些控制要求較高、參數(shù)變化多、硬件接線有變化場合，觸摸屏與PLC組合控制形式已占主導(dǎo)地位。   1.2 觸摸屏基本工作原理       觸摸屏設(shè)備由觸摸檢測裝置和觸摸屏控制器構(gòu)成，其中觸摸檢測裝置安裝在顯示屏幕前面，用于檢測觸摸面上用戶觸摸點的位置，并將檢...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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日前，在Sematech表面預(yù)處理和清洗會議（SPCC, Austin, Texas）上，F(xiàn)SI International(Chaska, Minn.)公布了濕法清洗方法的新進(jìn)展，可以在清洗碳化的光刻膠時保持超淺結(jié)（USJ）。       與瓦立安半導(dǎo)體設(shè)備公司（Varian Semiconductor Equipment）展開合作，兩家公司研究了等離子浸沒式離子注入摻雜（PLAD）、毫秒退火和全濕法光刻膠剝離技術(shù)，以從結(jié)區(qū)去除極少量摻雜的硅。清洗工藝將注入蒸汽引入了硫酸和雙氧水的混合液（SPM）中，從而把注入后晶圓光刻膠清洗的時間縮短到5分鐘。       FSI的首席技術(shù)官（CTO）Jeff Butterbaugh面對SPCC的100多名觀眾說，明年先進(jìn)邏輯器件預(yù)期達(dá)到       碳化已經(jīng)變成去除注入后光刻膠的最大清洗挑戰(zhàn)。無定形碳是“最困難的挑戰(zhàn)，”Butterbaugh說，并補(bǔ)充“任何正在開發(fā)注入后光刻膠去除工藝的人，都必須確保去掉光刻膠，尤其是在邊緣部分。你必須要移出所有的殘余光刻膠?！?#160;      去除碳化的光刻膠，使得FSI的化...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 23
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政府的太陽能城市計劃以及扶持國內(nèi)供應(yīng)商的措施，正在促進(jìn)該市場增長?！　?jù)iSuppli公司，在政府刺激政策的推動下，隨著使用量越來越多，中國LED驅(qū)動器市場預(yù)計將在2009年繼續(xù)增長，并在2013年以前以4.4%的復(fù)合年增長率擴(kuò)張?！　≡谌蚪?jīng)濟(jì)和電子產(chǎn)業(yè)沉陷衰退之際，中國LED驅(qū)動器IC市場2009年將僅增長1%，從2008年的1.153億美元上升到1.165億美元。但是，2010年增速將會加快到9.6%，規(guī)模將達(dá)到1.277億美元。預(yù)計2013年中國LED市場將達(dá)到1.39億美元。        圖1 所示為iSuppli公司對中國LED驅(qū)動器IC市場的預(yù)測?！　≈袊扇〈胧┐碳鴥?nèi)需求，并鼓勵企業(yè)向LED產(chǎn)業(yè)投資，正在推動該國LED驅(qū)動器銷售增長?！　≈袊ν芁ED技術(shù)　　在中國市場，手機(jī)和便攜消費(fèi)電子產(chǎn)品是LED驅(qū)動器的主要應(yīng)用，2009年占總體市場的67%，相當(dāng)于7800萬美元。但是，隨著LED在交通信號燈和普通照明等領(lǐng)域的應(yīng)用增長，上述應(yīng)用領(lǐng)域的主導(dǎo)地位將在未來五年不斷削弱。中國政府推出了數(shù)十個項目來推廣LED技術(shù)，包括“LED城市照明”計劃。據(jù)中國科技部，在該計劃的第一階段，將在2009年以前在20多個城市安裝100萬個LED燈用于城市照明，包括路燈以及隧道、地鐵、公園和加油站等公共場所的照明燈...
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