一、電池片工藝流程 制絨(INTEX)---擴(kuò)散（DIFF）---后清洗（刻邊/去PSG）---鍍減反射膜（PECVD）---絲網(wǎng)、燒結(jié)（PRINTER）---測(cè)試、分選（TESTER+SORTER）---包裝（PACKING）。二、前清洗（制絨）知識(shí)簡(jiǎn)介 1、RENA前清洗工序的目的： （1）去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來(lái)自硅棒切割的物理?yè)p傷）； （2）清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）； （3）形成起伏不平的絨面，利用陷光原理，增加對(duì)太陽(yáng)光的吸收，在某種程度上增加了PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。 2、前清洗工藝步驟：制絨→堿洗 →酸洗→吹干 Etch bath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNO3 ，作用： （1）去除硅片表面的機(jī)械損傷層； &...
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1、導(dǎo)電類(lèi)型conductivity type 2、n-型半導(dǎo)體 n-type semiconductor 多數(shù)載流子為電子的半導(dǎo)體。 3、p-型半導(dǎo)體 p-type semiconductor 多數(shù)載流子為空穴的半導(dǎo)體。 4、載流子 carrier 固體中一種能夠傳輸電荷的載體，又稱(chēng)荷電載流子。例如，半導(dǎo)體中導(dǎo)電空穴和導(dǎo)電電子。 5、少數(shù)載流子minority carrier 小于載流子總濃度一半的那類(lèi)載流子。例如：p型半導(dǎo)體中的電子。 6、雜質(zhì)濃度impurity concentration 單位體積內(nèi)雜質(zhì)原子的數(shù)...
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晶片表面清洗 潔凈的晶片是芯片生產(chǎn)全過(guò)程中的基本要求，但并不是在每個(gè)高溫下的操作前都必須進(jìn)行。一般說(shuō)來(lái)，全部工藝過(guò)程中的高達(dá)20%的步驟為晶片清洗。而我在這里將要描述的清洗工藝，將貫穿芯片生產(chǎn)的全過(guò)程。 半導(dǎo)體工藝的發(fā)展過(guò)程在很多方面可以說(shuō)是清洗工藝隨著對(duì)無(wú)污染晶片需求不斷增長(zhǎng)而發(fā)展的過(guò)程。晶片表面有四大常見(jiàn)類(lèi)型的污染，每一種在晶片上體現(xiàn)為不同的問(wèn)題，并可用不同的工藝去除。這四種類(lèi)型是： 1．顆粒 2．有機(jī)殘余物 3．無(wú)機(jī)殘余物 4．需要去除的氧化層 通常來(lái)說(shuō)，一個(gè)晶片清洗的工藝或一系列的工藝，必須在去除晶片表面全部污染物（上述類(lèi)型）的同時(shí)，不會(huì)刻蝕或損害晶片表面。它在生產(chǎn)配制上是安全的、經(jīng)濟(jì)的，是為業(yè)內(nèi)可接受的。通常對(duì)清洗工藝的設(shè)計(jì)適用于兩種基本的晶片狀況。一種叫作前線（FEOL），特指那些形成活性電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中，晶片表面尤其是MOS器件的柵區(qū)...
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砷化鎵是一種感光性能比當(dāng)前廣泛使用的硅更優(yōu)良的材料。理論上他將接收到的陽(yáng)光40%的轉(zhuǎn)化為電能，轉(zhuǎn)化率約是硅的2倍，因此衛(wèi)星和太空飛船等多采用砷化鎵作為太陽(yáng)能電磁板的材料。然而，超聲波清洗器傳統(tǒng)的砷化鎵晶片制造技術(shù)每次只能生成一層晶片，成本居高不下，限制了砷化鎵的廣泛應(yīng)用。砷化鎵晶片在清洗工藝上的要求，是希望能夠達(dá)到對(duì)晶片表面上殘留的鎵氧化物、砷氧化物和一些對(duì)后續(xù)工藝有害的金屬、污垢、油污、雜質(zhì)、蠟點(diǎn)、塵埃、臟點(diǎn)等。在清洗上存在的難題，可以采用超聲波清洗機(jī)能夠達(dá)到理想的清洗效果。 超聲波清洗機(jī)的原理分解，可以達(dá)到物件全面潔凈的清洗效果，特別對(duì)盲孔、深孔、凹凸槽清洗是最理想的清洗設(shè)備，不影響任何物件的材質(zhì)與精度。超聲波還具有的強(qiáng)力空腔化作用，可以在短時(shí)間內(nèi)清洗掉砷化鎵晶片上的污垢、油污，完全可保證產(chǎn)品的質(zhì)量。 超聲波清洗機(jī)清洗效果好，清潔度高且全部工件清潔度一致。清洗速度快，提高生產(chǎn)效率，不須人手接觸清洗液，安全可靠。清洗砷化鎵晶片的高清洗工藝要求，選用超聲波清洗機(jī)清洗。言之，超聲波清洗機(jī)的基本原理是以每秒幾萬(wàn)次的振動(dòng)，在液體中產(chǎn)生超聲波空化作用形成空化泡。在空化泡消失時(shí)產(chǎn)生很大的沖擊力，當(dāng)被洗工件受到這個(gè)外力沖擊時(shí)，工件表面的沾污就被剝離，達(dá)...
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太陽(yáng)能電池片的淺結(jié)構(gòu)是實(shí)現(xiàn)高效太陽(yáng)能電池的有效途徑之一，通常所說(shuō)的淺結(jié)是指太陽(yáng)能電池PN結(jié)結(jié)深小于0.3um，利用淺結(jié)可以顯著的降低太陽(yáng)能電池片表面的少數(shù)載流子復(fù)合速度，提高短波段的光譜響應(yīng)。一、調(diào)整方向 1、提高少子壽命 2、提高短波吸收 3、減少死層 4、提高開(kāi)路電壓二、高方阻的缺點(diǎn) 串聯(lián)電阻Rs=電極電阻+體電阻+薄層電阻+接觸電阻。高方阻使得表面薄層電阻明顯增加，增大了Rs，降低了FF。 方阻越高，需要越密的柵線與之配合，才能發(fā)揮出高方阻低表面濃度的優(yōu)勢(shì)，這其中有兩個(gè)難點(diǎn)，其一是高方阻均勻性的控制，其二是銀漿的選擇，需要綜合考慮銀漿的導(dǎo)電特性、粘度等，使之適合密柵高方阻的印刷燒結(jié)。三、高方阻實(shí)現(xiàn)方法 1、低溫淀積+高濃度淀積 ...
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這主要從兩個(gè)方面來(lái)考慮：一個(gè)是材料和工藝問(wèn)題；另一個(gè)是電氣性能問(wèn)題。 P型半導(dǎo)體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的三價(jià)元素，如：硼、銦、鎵或鋁等；N型半導(dǎo)體是在單晶硅（或鍺）中參入微量的五價(jià)元素，如：磷、銻、砷等。P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體，在材料成本方面應(yīng)該差別不是很大，但要把它做成一個(gè)電子產(chǎn)品，在生產(chǎn)工藝方面會(huì)存在很大的差異。 例如，用本征鍺材料制作PNP晶體管相對(duì)于用本征鍺材料制作NPN晶體管容易很多，因?yàn)殂熍c鍺比較容易結(jié)合（擴(kuò)散）；同樣，用本征硅材料制作NPN晶體管，相對(duì)于用本征硅材料制作PNP管要容易很多。 某種半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的誕生并不是一天就可以達(dá)到盡善盡美的，需要通過(guò)大量試驗(yàn)和經(jīng)驗(yàn)積累。早期生產(chǎn)的場(chǎng)效應(yīng)管大部分是結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管，這種結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管在結(jié)構(gòu)方面與PNP晶體管很相似，兩者的區(qū)別主要是基區(qū)引出電極的區(qū)別（基極與源極和漏極）。晶體管把中間的一層（N區(qū)）當(dāng)成一個(gè)電極引出稱(chēng)為基極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)發(fā)射極和集電極引出；而場(chǎng)效應(yīng)管則是把基區(qū)當(dāng)成一個(gè)導(dǎo)電溝道（N溝道），并在其兩端分別引出一個(gè)電極，稱(chēng)為源極和漏極，其余上下兩層（P-P區(qū)）分別當(dāng)源極和柵極引出。...
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RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實(shí)驗(yàn)室首創(chuàng)的，并由此而得名。RCA是一種典型的、至今仍為最普遍使用的濕式化學(xué)清洗法，該清洗法主要包括以下幾種清洗液。 （1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時(shí)會(huì)使有機(jī)物碳化而難以去除。 （2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜，因此，附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中，同時(shí)DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al，F(xiàn)e，Zn，Ni等金屬，DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時(shí)，在自然氧化膜被腐蝕掉時(shí)，硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。 （3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O ...
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簡(jiǎn)介半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心，而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)是硅材料工業(yè)。雖然有各種各樣新型的半導(dǎo)體材料不斷出現(xiàn)，但 90%以上的半導(dǎo)體器件和電路，尤其是超大規(guī)模集成電路（ULSI）都是制作在高純優(yōu)質(zhì)的硅單晶拋光片和外延片上的。硅片清洗對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)的重要性早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因?yàn)楣杵砻娴奈廴疚飼?huì)嚴(yán)重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展以及人們對(duì)原料要求的提高，污染物對(duì)器件的影響也愈加突出。20世紀(jì)70年代在單通道電子倍增器基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)一種多通道電子倍增器。微通道板具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、增益高、時(shí)間響應(yīng)快和空間成像等特點(diǎn)，因而得到廣泛應(yīng)。它主要應(yīng)用于各種類(lèi)型的像增強(qiáng)器、夜視儀、量子位置探測(cè)器、射線放大器、場(chǎng)離子顯微鏡、超快速寬頻帶示波器、光電倍增器等。微通道板是一種多陣列的電子倍增器,是微光像增強(qiáng)器的核心部件。MCP的制作工藝周期長(zhǎng)且復(fù)雜,表觀疵病是制約MCP成品率的關(guān)鍵因素之一。在MCP的工藝制造過(guò)程中,不可避免遭到塵埃、金屬、有機(jī)物和無(wú)機(jī)物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢,產(chǎn)生發(fā)射點(diǎn)、黑點(diǎn)、暗斑等,導(dǎo)致MCP的良品率下降,使得管子質(zhì)量不穩(wěn)定以至失效,因此在MCP的制造過(guò)程中利用超聲波清洗技術(shù)去除污染物十分重要。 清洗方式普通的清洗方法一般不能達(dá)到孔內(nèi),而孔內(nèi)芯料的反應(yīng)生成物及其他污染物會(huì)在后序工藝中會(huì)產(chǎn)生重復(fù)污染...
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所謂的半導(dǎo)體，是指在某些情況下，能夠?qū)娏?，而在某些條件下，又具有絕緣體效用的物質(zhì)；而至于所謂的IC，則是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，作在一微小面積上，以完成某一特定邏輯功能（例如：AND、OR、NAND等），進(jìn)而達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能。自1947年12月23日第一個(gè)晶體管在美國(guó)的貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Lab)被發(fā)明出來(lái)，結(jié)束了真空管的時(shí)代，到1958年TI開(kāi)發(fā)出全球第一顆IC成功，又意謂宣告晶體管的時(shí)代結(jié)束，IC的時(shí)代正式開(kāi)始。從此開(kāi)始各式IC不斷被開(kāi)發(fā)出來(lái)，集積度也不斷提升。從小型集成電路（SSI），每顆IC包含10顆晶體管的時(shí)代；一路發(fā)展MSI、LSI、VLSI、ULSI；再到今天，短短50年時(shí)間，包含千萬(wàn)個(gè)以上晶體管的集成電路已經(jīng)被大量生產(chǎn)，并應(yīng)用到我們的生活的各領(lǐng)域中來(lái)，為我們的生活帶來(lái)飛速的發(fā)展。不能想象離開(kāi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)我們的生活將會(huì)怎樣，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r已成為一個(gè)國(guó)家的技術(shù)狀況的重要指針，電子技術(shù)也成為一個(gè)國(guó)家提高國(guó)防能力的重要途徑。 半導(dǎo)產(chǎn)品類(lèi)別 目前的半導(dǎo)體產(chǎn)品可分為集成電路、分離式組件、光電半導(dǎo)體等三種。 集成電路(IC)，是將一電路設(shè)計(jì)，包括線路及電子組件，做在一片硅芯片上，使其具有處理信息的功能...
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一、雙極型IC的基本制造工藝： A、在元器件間要做電隔離區(qū)（PN結(jié)隔離、全介質(zhì)隔離及PN結(jié)介質(zhì)混合隔離） ECL（不摻金） （非飽和型） 、TTL/DTL （飽和型） 、STTL （飽和型） B、在元器件間自然隔離 I2L（飽和型）二、MOSIC的基本制造工藝： 根據(jù)柵工藝分類(lèi)： A 鋁柵工藝 B 硅柵工藝 ...
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