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濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌


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發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 07
SPM腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國(guó)內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來(lái)與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開(kāi)發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備。其中SPM自動(dòng)清洗系統(tǒng)設(shè)備主要用于LED芯片制造過(guò)程中硅片表面有機(jī)顆粒和部分金屬顆粒污染的自動(dòng)清洗工藝。設(shè) 備 名  稱南通華林科納CSE-SPM腐蝕酸洗機(jī)適 用 領(lǐng)  域LED外延及芯片制造設(shè) 備 用 途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備基 本 介 紹主要功能:通過(guò)對(duì)硅片腐蝕、漂洗、等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/藍(lán))設(shè)備形式:室內(nèi)放置型操作形式:自動(dòng)設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096;18913575037更多的全自動(dòng)半導(dǎo)體SPM腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 11 - 02
全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)-南通華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國(guó)內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位,多年來(lái)與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開(kāi)發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備 設(shè)備名稱南通華林科納CSE-全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備設(shè)備概況尺寸(參考):約3500(L)*1500(W)*2000(H)(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)清洗件規(guī)格:一次性可裝8寸晶片25pcs典型生產(chǎn)節(jié)拍:5~10min/籃(清洗節(jié)拍連續(xù)可調(diào))門(mén):不銹鋼合頁(yè)門(mén)+PVC視窗主題構(gòu)造特點(diǎn)設(shè)備由于是在一個(gè)腐蝕的環(huán)境,我們?cè)O(shè)備的排風(fēng)方式,臺(tái)面下抽風(fēng),每套工藝清洗槽都有自動(dòng)開(kāi)閉的槽蓋,槽蓋下有單獨(dú)的抽風(fēng)裝置。設(shè)備結(jié)構(gòu)外型,整機(jī)主要由機(jī)架、工藝槽體、機(jī)械手傳輸系統(tǒng)、排風(fēng)系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、水路系統(tǒng)及氣路系統(tǒng)等組成。由于工藝槽內(nèi)藥液腐蝕性強(qiáng),設(shè)備需要做防腐處理:(1)設(shè)備機(jī)架采用鋼結(jié)構(gòu)骨架包塑;(2)殼體采用鏡面SUS316L不銹鋼焊接,制程區(qū)由耐腐蝕的SUS316L板材組合焊接而成:(3)電氣區(qū)設(shè)置在設(shè)備后上部,與濕區(qū)和管路區(qū)完全隔離;(4)槽體材料選用耐相應(yīng)溶液腐蝕的材料;(5)機(jī)械手探人濕區(qū)部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理。應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進(jìn)封裝等設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費(fèi)獲取華林科納CSE提供的全自動(dòng)濕法去膠清洗機(jī)設(shè)備的相關(guān)方案
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 07
金屬剝離清洗機(jī)-南通華林科納CSE微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機(jī)械加工技術(shù)制作的包括傳感器/微致動(dòng)器/微能源/等微機(jī)械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機(jī)電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴(kuò)散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設(shè)備名稱南通華林科納CSE-金屬剝離清洗機(jī)設(shè)備系列CSE-CX13系列設(shè)備概況尺寸(參考):機(jī)臺(tái)尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據(jù)實(shí)際圖紙確定)清洗量:6寸25裝花籃2籃;重量:500Kg( 大約);工作環(huán)境:室內(nèi)放置;主體構(gòu)造特點(diǎn)外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門(mén):無(wú)安全門(mén),采用敞開(kāi)式設(shè)計(jì);管路系統(tǒng):藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;閥門(mén):藥液管路閥門(mén)采用不銹鋼電磁閥門(mén);排 風(fēng):后下抽風(fēng),動(dòng)力抽風(fēng)法蘭位于機(jī)臺(tái)上部;水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側(cè);隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;照明:機(jī)臺(tái)上方配照明(與工作區(qū)隔離);機(jī)臺(tái)支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調(diào)整及鎖定功能。三色警示燈置于機(jī)臺(tái)上方明顯處。工作槽參數(shù)剝離洗槽槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;化學(xué)藥品:剝離洗液;藥液供液:人工手動(dòng)加入;工作溫度:60℃并可調(diào);溫度可調(diào);加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;液位控制:采用N2背壓數(shù)位檢測(cè); 計(jì)時(shí)功能:工藝時(shí)間可設(shè)定,并可調(diào),到設(shè)定時(shí)間后聲?shū)Q提示,點(diǎn)擊按鈕后開(kāi)始倒序計(jì)時(shí);批次記憶:藥液使用次數(shù)可記憶,藥液供入時(shí)間可記憶,設(shè)定次數(shù)和設(shè)定時(shí)間到后更換藥液;排液:排液管道材質(zhì)為不銹鋼管,按鈕控制;槽蓋:配有手動(dòng)槽蓋;IPA槽槽體:不...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 12 - 05
管道清洗機(jī)設(shè)備—華林科納CSE半自動(dòng)石英管清洗設(shè)備適用于臥式或立式石英管清洗優(yōu)點(diǎn)石英管清洗:臥式—標(biāo)準(zhǔn)/立式—選項(xiàng) 先進(jìn)的圖形化界面 極高的生產(chǎn)效率 最佳的占地 結(jié)合最先進(jìn)工藝技術(shù) 優(yōu)越的可靠性 獨(dú)特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修 應(yīng)用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可編程使得清洗管旋轉(zhuǎn),清洗更干凈 PVDF工藝槽 裝有清洗溶劑的儲(chǔ)備槽(根據(jù)使用化學(xué)品的數(shù)量)放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內(nèi)部進(jìn)行不斷循環(huán) 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗 集成水槍和N2搶 單獨(dú)排液系統(tǒng) 安全蓋子 易于操作和控制 節(jié)約用酸系統(tǒng) 全自動(dòng)的清洗工藝步驟 備件 經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的PP外殼材料—標(biāo)準(zhǔn)更多的石英管道清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 14
1、設(shè)備概況:主要功能:本設(shè)備主要采用手動(dòng)搬運(yùn)方式,通過(guò)對(duì)擴(kuò)散、外延等設(shè)備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進(jìn)行處理,從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的清洗效果。主體采用德國(guó)勞士領(lǐng) 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;設(shè)備名稱:半自動(dòng)石英管清洗機(jī)設(shè)備型號(hào):CSE-SC-N401整機(jī)尺寸(參考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設(shè)備形式:室內(nèi)放置型;節(jié)拍:約1--12小時(shí)(節(jié)拍可調(diào)根據(jù)實(shí)際工藝時(shí)間而定)      操作形式:半自動(dòng)2、設(shè)備描述:此裝置是一個(gè)半自動(dòng)的處理設(shè)備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測(cè) / 操作清洗工作過(guò)程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設(shè)備特點(diǎn): 腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠;設(shè)備成本合理,自動(dòng)化程度高,使用成本低;技術(shù)先進(jìn),結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作;結(jié)合華林科納公司全體同仁之力,多年品質(zhì)保障,使其各部分遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先同類(lèi)產(chǎn)品;設(shè)備上層電器控制系統(tǒng)及抽風(fēng)系統(tǒng),中層工作區(qū),下層為管道安裝維修區(qū),主體結(jié)構(gòu)由清洗機(jī)主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤(pán)、抽風(fēng)系統(tǒng)、工件滾動(dòng)系統(tǒng)、氮?dú)夤呐菹到y(tǒng)、支撐及旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、管路部分、電控部分。本設(shè)備裝有雙防漏盤(pán)結(jié)構(gòu),并有防漏檢測(cè)報(bào)警系統(tǒng),在整臺(tái)設(shè)備的底部裝有接液盤(pán)。設(shè)備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程:檢查水、電、氣正?!鷨?dòng)電源→人工上料→注酸→槽體底部氮?dú)夤呐荨⒐苻D(zhuǎn)動(dòng)(7轉(zhuǎn)/min)→進(jìn)入酸泡程序→自動(dòng)排酸(到儲(chǔ)酸箱)→槽體底部自動(dòng)注水(同時(shí)氣動(dòng)碟閥關(guān)閉)→懸浮顆粒物經(jīng)過(guò)溢流壩流出→排水碟閥打開(kāi)(重顆粒雜質(zhì)排出)→初級(jí)潔凈水經(jīng)過(guò)溢流壩溢出→清洗次數(shù)重復(fù)循環(huán)(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽內(nèi)完成1#,2#可通過(guò)循環(huán)泵循環(huán)使用...
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 08
KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
發(fā)布時(shí)間: 2017 - 12 - 08
WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
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Cost Impact Of Cleanliness Levels 清潔水平的成本對(duì)比? Cleaning cost - directly proportional to level of cleanliness?         清潔成本-與清潔度水平直接成正比? Non-conformance level - indirectly Proportional to level of cleanliness                   不符水平-與清潔度水平間接成比例? Total cost = cost of cleaning + cost Of non-conformance                   總成本=清潔成本+不符水平  ...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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一、技術(shù)參數(shù)要求     1、單晶硅棒物理參數(shù)要求:  備注:      1、質(zhì)量分類(lèi),必須各項(xiàng)指標(biāo)全部達(dá)到A等時(shí),方可標(biāo)注A等。按照國(guó)家和國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)A等為合格等級(jí);B\C\D等級(jí)為公司內(nèi)部讓步接受等級(jí)(內(nèi)部采購(gòu)和自產(chǎn)可做為合格判定),低于2μs做為不合格判定。      2、自產(chǎn)、自購(gòu)單晶硅棒,必須按照壽命等級(jí)分類(lèi),生產(chǎn)加工工藝單明確注明等級(jí)。例如:HRA\HRB….      3、單晶硅棒的電阻率,頭部電阻率ρ,必須大于等于尾部電阻率ρ;(ρ頭≥ρ尾)      4、檢驗(yàn)不合格的按照《檢驗(yàn)管理流程》執(zhí)行。      5、針對(duì)外圓滾磨的單晶硅棒,必須進(jìn)行X射線定向儀檢測(cè),判定晶向,確定加工面〔(100)面〕1.1 電阻率測(cè)量判定    A.留有頭尾的單晶圓棒電阻率測(cè)量,測(cè)試表面電阻率值,測(cè)量前做好檢測(cè)儀器校準(zhǔn);對(duì)硅棒表面用測(cè)量時(shí)必須用0#金剛砂紙打磨表面,見(jiàn)到光亮層,用高純度酒精擦拭清潔方可測(cè)量電阻率。   ...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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What Is a Solar Simulator ●System for simulating sun light●Sun light has a spectrum of wavelengths which includes:  UV  Visible  Infra red Sun Light Characteristics●Spectrum of sunlight at the earth’s surface is different than sun light in space.●This is due to some wavelengths being absorbed by the atmosphere (air mass).●The spectrum of sun light also varies depending on the location on earth’s surface.●The spectrum of sun light also varies depending on the time of the day. Sun Light Characteristics●noon time sun is directly overhead, hence the dis...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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一、 超聲波塑料焊接的工作原理。       當(dāng)超聲波作用于熱塑性的塑料接觸面時(shí),會(huì)產(chǎn)生每秒幾萬(wàn)次的高頻振動(dòng),這種達(dá)到一定振幅的高頻振動(dòng),通過(guò)上焊件把超聲能量傳送到焊區(qū),由于焊區(qū)即兩個(gè)焊接的交界面處聲阻大,因此會(huì)產(chǎn)生局部高溫。又由于塑料導(dǎo)熱性差,一時(shí)還不能及時(shí)散發(fā),聚集在焊區(qū),致使兩個(gè)塑料的接觸面迅速熔化,加上一定壓力后,使其融合成一體。當(dāng)超聲波停止作用后,讓壓力持續(xù)幾秒鐘,使其凝固成型,這樣就形成一個(gè)堅(jiān)固的分子鏈,達(dá)到焊接的目的,焊接強(qiáng)度能接近于原材料強(qiáng)度。超聲波塑料焊接的好壞取決于換能器焊頭的振幅,所加壓力及焊接時(shí)間等三個(gè)因素,焊接時(shí)間和焊頭壓力是可以調(diào)節(jié)的,振幅由換能器和變幅桿決定。這三個(gè)量相互用有個(gè)適宜值,能量超過(guò)適宜值時(shí),塑料的熔解量就大,焊接物易變形;若能量小,則不易焊牢,所加的壓力也不能達(dá)大。這個(gè)最佳壓力是焊接部分的邊長(zhǎng)與邊緣每1mm的最佳壓力之積。   二、 超聲波塑料焊接的方法       1、 熔接法 超聲波振動(dòng)隨焊頭將超聲波傳導(dǎo)至焊件,由于兩焊件處聲阻大,因此產(chǎn)生局部高溫,使焊件交界面熔化。在一定壓力下,使兩焊件達(dá)到美觀、快速、堅(jiān)固的熔接效果。      ...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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組件線又叫封裝線,封裝是太陽(yáng)能電池生產(chǎn)中的關(guān)鍵步驟,沒(méi)有良好的封裝工藝,多好的電池也生產(chǎn)不出好的組件板。電池的封裝不僅可以使電池的壽命得到保證,而且還增強(qiáng)了電池的抗擊強(qiáng)度。產(chǎn)品的高質(zhì)量和高壽命是贏得可客戶滿意的關(guān)鍵,所以組件板的封裝質(zhì)量非常重要。  4.1流程圖:       1、電池檢測(cè)——2、正面焊接—檢驗(yàn)—3、背面串接—檢驗(yàn)—4、敷設(shè)(玻璃清洗、材料切割、玻璃預(yù)處理、敷設(shè))——5、層壓——6、去毛邊(去邊、清洗)——7、裝邊框(涂膠、裝角鍵、沖孔、裝框、擦洗余膠)——8、焊接接線盒——9、高壓測(cè)試——10、組件測(cè)試—外觀檢驗(yàn)—11、包裝入庫(kù);  4.2組件高效和高壽命如何保證:      1、 高轉(zhuǎn)換效率、高質(zhì)量的電池片 ;      下面是電池的結(jié)構(gòu)示意圖:     (1) 金屬電極主柵線;(2)金屬上電極細(xì)柵線;(3)金屬底電極;     (4)減反射膜;(5)頂區(qū)層(擴(kuò)散層);(6)體區(qū)層(基區(qū)層);      2、高質(zhì)量的原材料,例如...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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單晶制絨操作工藝       單晶硅片制絨工藝流程,主要包括以下幾個(gè)方面。  1.裝片       ①戴好防護(hù)口罩和干凈的橡膠手套。       ②將倉(cāng)庫(kù)領(lǐng)來(lái)的硅片從箱子中取出,以2o0片為一個(gè)生產(chǎn)批次,把硅片插入清洗小花籃,在裝片過(guò)程中,由于硅片易碎,插片員需輕拿輕放;來(lái)料中如有缺角、崩邊、隱裂等缺陷的硅片,不能流人生產(chǎn)線,及時(shí)報(bào)告品管員,將這些硅片分類(lèi)放置、集中處理;有缺片現(xiàn)象時(shí),要在缺片記錄上記錄缺片的批號(hào)、廠商、箱號(hào)和缺片數(shù)。       ③在“工藝流程卡”上準(zhǔn)確記錄硅片批號(hào)、生產(chǎn)廠家、電阻率、投入數(shù)、投入時(shí)間和主要操作員。       ④裝完一個(gè)生產(chǎn)批次后,把“工藝流程卡”隨同硅片一起放在盒架上,等待制絨。  2.開(kāi)機(jī)       ①操作員打開(kāi)工藝排風(fēng),打開(kāi)壓縮空氣閥門(mén),打開(kāi)設(shè)備進(jìn)水總閥。       ②操作員打開(kāi)機(jī)器電源,待設(shè)備...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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鍺單晶拋光片主要用于航天領(lǐng)域中的太陽(yáng)電池系統(tǒng)中,在鍺單晶襯底上外延GaAs等材料制成的單結(jié)以及多結(jié)化合物太陽(yáng)能電池具有轉(zhuǎn)換效率高、耐高溫、抗輻射、可靠性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)?;衔锾?yáng)電池在MOCVD工藝中需要生長(zhǎng)多層晶體材料,并且是異質(zhì)結(jié)生長(zhǎng),容易產(chǎn)生晶格畸變。因此,化合物太陽(yáng)電池對(duì)鍺單晶拋光片的表面質(zhì)量提出了較為苛刻的要求。  1.鍺單晶片的化學(xué)腐蝕工藝技術(shù)        通過(guò)采用不同的化學(xué)腐蝕液對(duì)鍺單晶片進(jìn)行化學(xué)腐蝕,從腐蝕速率和表面光潔度及粗糙度等方面進(jìn)行比較,最終選擇了一種比較適用于超薄鍺片拋光的化學(xué)腐蝕工藝,并通過(guò)不同腐蝕液對(duì)鍺腐蝕速率影響的研究,為鍺的清洗工藝、拋光工藝提供了較為詳細(xì)的參考。   2.鍺單晶片的拋光工藝技術(shù)        主要討論了拋光工藝參數(shù)對(duì)拋光片幾何參數(shù)和表面質(zhì)量的影響,并通過(guò)工藝實(shí)驗(yàn),得到了最佳的超薄鍺單晶拋光片的拋光工藝。  3.鍺單晶拋光片的清洗工藝技術(shù)闡述了鍺單晶拋光片的清洗機(jī)理,通過(guò)對(duì)鍺拋光片表面有機(jī)物和顆粒的去除技術(shù)研究,建立了超薄鍺單晶拋光片的清洗技術(shù)。利用該技術(shù)清洗的超薄鍺單晶拋光片完全滿足了空間高效太陽(yáng)電池的使用要求。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介:        主要用于單晶太陽(yáng)能電池片制造工藝中的制絨工藝,能夠有效去除硅片表面的機(jī)械損傷層和氧化層,并在硅片表面制備一個(gè)反射率在10%~20%的織構(gòu)表面,形成類(lèi)似“金字塔”狀的絨面,有效增強(qiáng)硅片對(duì)入射太陽(yáng)光的吸收,從而提高光生電流密度。 產(chǎn)品特點(diǎn):        預(yù)清潔工序使制絨更均勻        低化學(xué)劑消耗,可靈活調(diào)整配方     強(qiáng)大的數(shù)據(jù)庫(kù)支持異常追蹤  先進(jìn)的雙槽制絨工藝槽結(jié)構(gòu),具有更好的溫度及溶液均勻性  性價(jià)比高,售后服務(wù)快捷   蘇州華林科納的太陽(yáng)能制絨酸洗機(jī)主要特點(diǎn)如下:    1.適用于8英寸以下的單晶硅及多晶硅太陽(yáng)能硅片的制絨酸洗    2.設(shè)備骨架用厚壁方鋼制做,外包德國(guó)進(jìn)口磁白聚丙稀pp板,美觀抗腐蝕性能優(yōu)越。    3.隔板:在1#、2#槽和3#、4#槽之間有隔板,1#槽單獨(dú)排風(fēng),防止1#槽中揮發(fā)的有機(jī)氣體與其他氣體混合發(fā)生反應(yīng)。 &#...
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1.太陽(yáng)能概況  太陽(yáng)能是各種可再生能源中最重要的基本能源,生物質(zhì)能、風(fēng)能、海洋能、水能等都來(lái)自太陽(yáng)能,廣義地說(shuō),太陽(yáng)能包含以上各種可再生能源。太陽(yáng)能作為可再生能源的一種,則是指太陽(yáng)能的直接轉(zhuǎn)化和利用。通過(guò)轉(zhuǎn)換裝置把太陽(yáng)輻射能轉(zhuǎn)換成熱能利用的屬于太陽(yáng)能熱利用技術(shù),再利用熱能進(jìn)行發(fā)電的稱為太陽(yáng)能熱發(fā)電,也屬于這一技術(shù)領(lǐng)域;通過(guò)轉(zhuǎn)換裝置把太陽(yáng)輻射能轉(zhuǎn)換成電能利用的屬于太陽(yáng)能光發(fā)電技術(shù),光電轉(zhuǎn)換裝置通常是利用半導(dǎo)體器件的光伏效應(yīng)原理進(jìn)行光電轉(zhuǎn)換的,因此又稱太陽(yáng)能光伏技術(shù)。 二十世紀(jì)50年代,太陽(yáng)能利用領(lǐng)域出現(xiàn)了兩項(xiàng)重大技術(shù)突破:一是1954年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室研制出6%的實(shí)用型單晶硅電池,二是1955年以色列Tabor提出選擇性吸收表面概念和理論并研制成功選擇性太陽(yáng)吸收涂層。這兩項(xiàng)技術(shù)突破為太陽(yáng)能利用進(jìn)入現(xiàn)代發(fā)展時(shí)期奠定了技術(shù)基礎(chǔ)。 70年代以來(lái),鑒于常規(guī)能源供給的有限性和環(huán)保壓力的增加,世界上許多國(guó)家掀起了開(kāi)發(fā)利用太陽(yáng)能和可再生能源的熱潮。1973年,美國(guó)制定了政府級(jí)的陽(yáng)光發(fā)電計(jì)劃,1980年又正式將光伏發(fā)電列入公共電力規(guī)劃,累計(jì)投入達(dá)8億多美元。1992年,美國(guó)政府頒布了新的光伏發(fā)電計(jì)劃,制定了宏偉的發(fā)展目標(biāo)。日本在70年代制定了“陽(yáng)光計(jì)劃”,1993年將“月光計(jì)劃”(節(jié)能計(jì)劃)、“環(huán)境計(jì)劃”、“陽(yáng)光計(jì)劃”合并成“新陽(yáng)光計(jì)劃”。德國(guó)等歐共體國(guó)家及一些發(fā)展中國(guó)...
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一、硅片檢測(cè)        硅片是太陽(yáng)能電池片的載體,硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低,因此需要對(duì)來(lái)料硅片進(jìn)行檢測(cè)。該工序主要用來(lái)對(duì)硅片的一些技術(shù)參數(shù)進(jìn)行在線測(cè)量,這些參數(shù)主要包括硅片表面不平整度、少子壽命、電阻率、P/N型和微裂紋等。該組設(shè)備分自動(dòng)上下料、硅片傳輸、系統(tǒng)整合部分和四個(gè)檢測(cè)模塊。其中,光伏硅片檢測(cè)儀對(duì)硅片表面不平整度進(jìn)行檢測(cè),同時(shí)檢測(cè)硅片的尺寸和對(duì)角線等外觀參數(shù);微裂紋檢測(cè)模塊用來(lái)檢測(cè)硅片的內(nèi)部微裂紋;另外還有兩個(gè)檢測(cè)模組,其中一個(gè)在線測(cè)試模組主要測(cè)試硅片體電阻率和硅片類(lèi)型,另一個(gè)模塊用于檢測(cè)硅片的少子壽命。在進(jìn)行少子壽命和電阻率檢測(cè)之前,需要先對(duì)硅片的對(duì)角線、微裂紋進(jìn)行檢測(cè),并自動(dòng)剔除破損硅片。硅片檢測(cè)設(shè)備能夠自動(dòng)裝片和卸片,并且能夠?qū)⒉缓细衿贩诺焦潭ㄎ恢?,從而提高檢測(cè)精度和效率。 二、表面制絨        單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液,可用的堿有氫氧化鈉,氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用...
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