国产最火爆中文字幕精品亚洲无线码一区网站_国产日韩欧美中文字幕第一页_亚洲欧洲成人∨a在线观看_欧美老妇在线视频_欧美一级a做一级a做片性_又又酱游泳馆酒店_色哟哟国产精品视频_可莉被旅行者若干哭了_日韩毛片电影在线观看_高清一级不卡毛片

歡迎訪問南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司官網(wǎng)
手機(jī)網(wǎng)站

濕制程設(shè)備專業(yè)制造商

半導(dǎo)體清洗設(shè)備的領(lǐng)軍品牌
--- 全國服務(wù)熱線 --- 400-8768-096



新聞信息中心 新聞中心
400-8768-096
聯(lián)系電話
聯(lián)系我們
掃一掃
QQ客服
SKYPE客服
旺旺客服
新浪微博
分享到豆瓣
推薦產(chǎn)品 / 產(chǎn)品中心
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 10
太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)-CSE在光伏發(fā)電領(lǐng)域，由于多晶硅電池片成本較低，其 市 場 占有率已躍居首位，但相對(duì)于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距，采用織構(gòu)化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前，多晶硅表面織構(gòu)化的方法主要有機(jī)械刻槽、激光刻槽、反應(yīng)離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等，其中各 向同性酸腐制絨技術(shù)的工藝簡單，可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產(chǎn)工序中，同時(shí)成 本 最 低，因 而 在 大 規(guī) 模 的工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 12 - 05
花籃/片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 完美適應(yīng)當(dāng)前所有型號(hào)的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒（Foup片盒）的清洗和干燥系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒，同時(shí)可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒（Foup片盒）三種設(shè)備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力：每次4組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時(shí)12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力：每次8組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時(shí)24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒（Foup）加載和清洗能力：每次6組前端開口片盒（Foup片盒）清洗產(chǎn)能：每小時(shí)18組前端開口片盒（Foup片盒） 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標(biāo)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時(shí)4組花籃和片盒，或是12個(gè)花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對(duì)不同尺寸的片盒和花籃進(jìn)行切換 旋轉(zhuǎn)籠內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統(tǒng)對(duì)自鎖裝置的檢測(cè)，達(dá)到安全加載片盒和花籃，及其運(yùn)行特征和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用不同化學(xué)品（稀釋劑）來清洗 泵傳輸清洗液 計(jì)量調(diào)整可通過軟件設(shè)置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務(wù)供應(yīng) — 標(biāo)準(zhǔn)化 或有一個(gè)體積約100升的熱水預(yù)備槽（循環(huán)泵和加熱棒用于熱水預(yù)備槽—選項(xiàng)） 籠子 帶有可變速旋轉(zhuǎn)的控制的高扭矩伺服電機(jī)（按照加載量和設(shè)備配置，最大旋轉(zhuǎn)速度200rpm,） 旋轉(zhuǎn)的不銹鋼籠子 會(huì)自動(dòng)停止工作（運(yùn)行過程中出現(xiàn)失衡狀態(tài)時(shí)）熱空氣干燥 頂端吹下熱空氣 采用根據(jù)設(shè)備待機(jī)和工藝運(yùn)行模式的可調(diào)風(fēng)量的風(fēng)扇裝置 不銹鋼架上裝有加熱器，可以溫度控制 軟件監(jiān)控溫度 帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制 觸摸屏安裝在前面—標(biāo)準(zhǔn)化 也...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07
RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備設(shè) 備 名  稱南通華林科納CSE-RCA濕法腐蝕清洗機(jī)使 用 對(duì) 象硅晶片2-12inch適 用 領(lǐng)  域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等設(shè) 備 用 途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備主體構(gòu)造特點(diǎn)1. 設(shè)備包括：設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體：設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中；4.骨 架：鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成，防止外殼銹蝕。5.儲(chǔ)物區(qū)：位于工作臺(tái)面左側(cè)，約280mm寬，儲(chǔ)物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐；6.安全門：前側(cè)下開透明安全門，腳踏控制；7.工藝槽：模組化設(shè)計(jì)，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個(gè)統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn)；8.管路系統(tǒng)：位于設(shè)備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學(xué)腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放；9.電氣保護(hù)：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護(hù)以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接觸的...
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 19
片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 設(shè)備概況：主要功能：本設(shè)備主要手動(dòng)/自動(dòng)搬運(yùn)方式，通過對(duì)片盒化學(xué)液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進(jìn)行處理，從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱：片盒清洗機(jī)設(shè)備型號(hào)：CSE-SC-N259整機(jī)尺寸(參考)：約1700mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；（該設(shè)備非標(biāo)定制）操作形式：手動(dòng) 設(shè)備組成該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成 設(shè)備描述此裝置是一個(gè)手動(dòng)的處理設(shè)備；設(shè)備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等，操作方便；主體材料：德國進(jìn)口 10mmPP 板，優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架，外包 3mmPP 板防腐；臺(tái)面板為德國 10mm PP 板；DIW 管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口 clean-PVC 管材，需滿足 18MW去離子水水質(zhì)要求；采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工，焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成排風(fēng)：位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明：上方防酸照明安全考慮：1. 設(shè)有 EMO(急停裝置)2. 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 設(shè)備排風(fēng)口加負(fù)壓檢測(cè)表5. 設(shè)備三層防漏 漏盤傾斜 漏液報(bào)警 設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi) 更多的花籃和片盒清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096 18913575037可立即獲取免費(fèi)的片盒清洗機(jī)解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06
自動(dòng)供液系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動(dòng)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在自動(dòng)模式情形...
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 13
設(shè)備名稱：晶棒腐蝕機(jī)---CSE產(chǎn)品描述：        ●此設(shè)備自動(dòng)化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動(dòng)機(jī)械傳送裝置,CDS系統(tǒng)，抽風(fēng)系統(tǒng),電控及操作臺(tái)等部分組成;         ●進(jìn)口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動(dòng)門（對(duì)開/推拉式），保證設(shè)備外部環(huán)境符合勞動(dòng)保護(hù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以保證設(shè)備操作人員及其周圍工作人員的身體健康;         ●機(jī)械臂定位精度高;         ●整體設(shè)備腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠;         ●設(shè)備成本合理,自動(dòng)化程度高,使用成本低;技術(shù)先進(jìn),結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作.         ●非標(biāo)設(shè)備，根據(jù)客戶要求具體定制，歡迎詳細(xì)咨詢！更多半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 14
2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下      3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置（排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì)）將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外（室外排放遵守國家環(huán)保要求），避免擴(kuò)散到室內(nèi)；?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板，從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳；?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè))，排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體；?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門，操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量；3.2設(shè)備防護(hù)門：?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門，隔離門采用透明PVC板制成，前門可以輕松開合，在清洗過程中，隔離門關(guān)閉，以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水；?●給排水排廢接頭均為活性連接；?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程， ?●人機(jī)界面為觸摸屏，接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能，各工作位過程完成提前提示報(bào)警，觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品；?●觸摸屏加鎖定，以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù)；?●所有電控部分需獨(dú)立封閉，帶抽風(fēng)系統(tǒng)，獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明：設(shè)備其它部位--低電壓燈，根據(jù)工作需要可控照明；?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì)，方便操作；并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置，保證性能安全可靠；電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線，電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù)，可防水耐腐蝕；?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù)，免受腐蝕；?●設(shè)備具有良好的接地裝置；
新聞中心 新聞信息中心
外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。 MOCVD介紹：       金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱 MOCVD）， 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計(jì)算機(jī)多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導(dǎo)體材料的外延生長和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。 LED芯片的制造工藝流程：       外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。     &#...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：114
腐蝕液被腐蝕物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%）=76：3：15：5：0.01AlNH4(40%):HF(40%)=7:1SiO2,PSGH3PO4(85%)Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5SiKOH(3%~50%)各向異向SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10TiSi2
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：114
在半導(dǎo)體封裝技術(shù)國際學(xué)會(huì)“2015 Electronic Components and Technology Conference（ECTC）”上，IBM蘇黎世研究所發(fā)表了用銅納米粒子使銅柱的倒裝芯片接合實(shí)現(xiàn)了低溫化目標(biāo)的成果。       雖尚在初步評(píng)測(cè)階段，但擁有可在150℃的低溫下接合的潛在可能，有能緩和組裝時(shí)芯片與封裝間應(yīng)力的優(yōu)點(diǎn)。并且，由于使用銅納米粒子來接合銅柱，因此接合部最終會(huì)僅由銅構(gòu)成的塊。另外，對(duì)電流導(dǎo)致金屬離子移動(dòng)的電遷移還有良好耐受力，稱能夠?qū)崿F(xiàn)可通過大電流的接合。       在實(shí)際評(píng)測(cè)的鍵合條件下，向接合部供給銅納米粒子后，以250℃烘烤，將銅納米粒子燒結(jié)成體塊。此前人們知道的接合銅表面的方法是熱壓鍵合，但其量產(chǎn)的門檻較高。存在如對(duì)接合部的平坦性的要求精度較高、要求接合面清潔以及要在400℃高溫下高壓接合等課題。此次的技術(shù)若能實(shí)用化，便可輕松實(shí)現(xiàn)僅由銅構(gòu)成的體塊接合，具有很大的優(yōu)點(diǎn)。公開接合方法和接合后的強(qiáng)度評(píng)測(cè)結(jié)果       此次發(fā)布的成果，尚未進(jìn)入電遷移評(píng)測(cè)階段，只報(bào)告了接合方法和接合后的強(qiáng)度評(píng)測(cè)結(jié)果。該研究所表示，嘗試了兩種向銅柱與焊盤間供給銅納米粒子的方法。  ...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：81
（1）外延工藝技術(shù)       外延工藝是根據(jù)不同硅源（SIH2CL2、SIHCL3、SICL4），在1100-1180℃溫度下在硅片表面再長一層/多層本征（不摻雜）、N型（摻PH3）或P型（摻B2H6）的單晶硅，并把硅層的厚度和電阻率，厚度和電阻率的均勻性、表面的缺陷控制在允許范圍內(nèi)。功率半導(dǎo)體器件的外延生產(chǎn)工藝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)一般要求達(dá)到厚度40-80±5um, 厚度和電阻率均勻性控制在5%以內(nèi)。（2）光刻工藝技術(shù)       光刻工藝是半導(dǎo)體工藝技術(shù)中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，也是反映半導(dǎo)體工藝技術(shù)水平的重要指標(biāo)。光刻工藝是將掩膜（光刻板）圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的光刻膠上形成產(chǎn)品所需要圖形的工藝技術(shù)，光刻機(jī)的精度一般是指光刻時(shí)所得到的光刻圖形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越細(xì)的線條，集成度也越高。對(duì)于高端Trench工藝技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件，光刻生產(chǎn)工藝采用8英寸硅片，0.5um技術(shù)。 （3）刻蝕工藝技術(shù)       刻蝕是用物理或化學(xué)的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，刻蝕的基本作用是準(zhǔn)確地復(fù)制掩膜圖形，以保證生產(chǎn)線中各種工藝正常進(jìn)行。濕法刻蝕是通過合適...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：120
Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主——一種用來在半導(dǎo)體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導(dǎo)體元素少一價(jià)電子。  Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套準(zhǔn)精度——在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度。  Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向異性——在蝕刻過程中，只做少量或不做側(cè)向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as d...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：72
Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 霧度 - 晶圓片表面大量的缺陷，常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正電荷類似，是由缺少價(jià)電子引起的。  Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶錠 - 由多晶或單晶形成的圓柱體，晶圓片由此切割而成。  Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圓片表面缺陷引起的脈沖信號(hào)。  Lay - The main direction of s...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：76
硅晶片         硅是一種灰色、易碎、四價(jià)的非金屬化學(xué)元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的，其次是氧元素，硅是自然界中最豐富的元素。在石英、瑪瑙、燧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅是建筑材料水泥、磚、和玻璃中的主要成分，也是大多數(shù)半導(dǎo)體和微電子芯片的主要原料。有意思的是，硅自身的導(dǎo)電性并不是很好。然而，可以通過添加適當(dāng)?shù)臄v雜劑來精確控制它的電阻率。        制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。這要從硅錠的生長開始。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個(gè)材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨(dú)形成的，不能用來做半導(dǎo)體電路。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。  加工硅晶片       生成一個(gè)硅錠要花一周到一個(gè)月的時(shí)間，這取決于很多因素，包括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。超過 75%的單晶硅晶圓片都是通過直拉生長法（Czochralski (CZ)）生長的。CZ 硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為攙雜。&#...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：80
設(shè)備概述華林科納CSE硅片有機(jī)清洗機(jī)，設(shè)備設(shè)計(jì)由華林科納聘請(qǐng)的從事半導(dǎo)體生產(chǎn)的專家親自指導(dǎo)，采用國際先進(jìn)的生產(chǎn)加工工藝，在超凈廠房組裝測(cè)試，有可靠的質(zhì)量保障。設(shè)備由不銹鋼骨架，外包10mm厚瓷白防火PP板，潔凈美觀，耐腐蝕。電控面板置于機(jī)臺(tái)上方，方便操作，并有防腐蝕保護(hù)，具有嚴(yán)格的安全防護(hù)措置。此設(shè)備腐蝕清洗裝置主要是浸泡式清洗腐蝕、清洗主體(槽體部分/管路部分等),抽風(fēng)系統(tǒng)，電控及操作臺(tái)等部分組成，腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠。適用于4、6、8英寸硅片的清洗處理，腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠。設(shè)備結(jié)構(gòu)    ※ 此設(shè)備腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕、清洗主體(槽體部分/管路部分等),抽風(fēng)系統(tǒng),機(jī)械臂，電控及操作臺(tái)等部分組成;    ※ 設(shè)備工藝流程:根據(jù)設(shè)備所放場地布置要求(與客戶溝通確定),設(shè)備左進(jìn)右出，經(jīng)手動(dòng)放置上料位→AB清洗槽→AB清洗槽→DI沖水槽→HCL清洗槽→DI溢流槽→下料臺(tái)，工藝處理合格后經(jīng)操作人員手動(dòng)下料;    ※ 安全門：進(jìn)口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動(dòng)門（左右、上下推拉式），防止有毒氣體揮發(fā)到室內(nèi)，保證設(shè)備外部環(huán)境符合勞動(dòng)保護(hù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以保證設(shè)備操作人員及其周圍工作人員的身體健康；    ※ ...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：67
化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（化學(xué)機(jī)器磨光， CMP）兼具有研磨性物質(zhì)的機(jī)械式研磨與酸堿溶液的化學(xué)式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達(dá)到全面性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積之進(jìn)行。       在CMP制程的硬設(shè)備中，研磨頭被用來將晶圓壓在研磨墊上并帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)，至于研磨墊則以相反的方向旋轉(zhuǎn)。在進(jìn)行研磨時(shí)，由研磨顆粒所構(gòu)成的研漿會(huì)被置于晶圓與研磨墊間。影響CMP制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學(xué)成份、溫度、以及研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：87
半導(dǎo)體晶圓在晶圓廠的時(shí)間通常有80%以上花費(fèi)在等待、運(yùn)輸與儲(chǔ)存方面。在這些長時(shí)間的非處理時(shí)期，潔凈室空氣、結(jié)構(gòu)材料和/或先前處理工序可能會(huì)對(duì)晶圓表面造成分子級(jí)污染。隨著關(guān)鍵尺寸的持續(xù)縮小以及新技術(shù)/材料/處理方法的推出，設(shè)備對(duì)空氣分子污染物(AMC)已經(jīng)變得更加敏感。惰性氣體相對(duì)安定 氮?dú)鈨艋尚聦?#160;       惰性氣體凈化是一種提供化學(xué)潔凈與穩(wěn)定晶圓環(huán)境的技術(shù)。這種技術(shù)尤其有助于去除來自先前處理工序的逸散/殘留氣體，特別是腐蝕性氣體。氧化、接觸形式、酸蝕刻以及光刻都是首先需要這種技術(shù)能力的處理方法。銅互連與低-K電介質(zhì)的面世進(jìn)一步推動(dòng)了這種需求。氧氣與濕氣的存在能夠影響自然氧化層的發(fā)展，減少硅化物的厚度，進(jìn)而提高表面電阻，生成微粒、引起腐蝕，并加速化學(xué)污染。        由于其高反應(yīng)性以及和鄰近水分子和/或其它化學(xué)物類形成氫鍵的可能性，濕氣比氧氣和大部分其它化學(xué)物類更難從晶圓環(huán)境中清除。惰性氣體微環(huán)境也許是晶圓儲(chǔ)存與運(yùn)輸?shù)睦硐胄徒鉀Q方案，能夠?yàn)閷?duì)氧氣及濕氣敏感的產(chǎn)品或工序提供保護(hù)。C. Weibe、S. Abu-Zaid和H. Zhang發(fā)現(xiàn)持續(xù)用氮?dú)膺M(jìn)行晶圓盒凈化能夠長期顯著減少硅表面的自然氧化層...
發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23
瀏覽次數(shù)：61
Copyright ©2005 - 2013 南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
犀牛云提供企業(yè)云服務(wù)
南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
地址：中國江蘇南通如皋城南街道新桃路90號(hào)
電話： 400-876- 8096
傳真：0513-87733829
郵編：330520
Email:[email protected]       126xa.cn


X
3

SKYPE 設(shè)置

4

阿里旺旺設(shè)置

2

MSN設(shè)置

5

電話號(hào)碼管理

  • 400-8768-096
6

二維碼管理

8

郵箱管理

展開