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太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 10

太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)-CSE在光伏發(fā)電領(lǐng)域，由于多晶硅電池片成本較低，其市場占有率已躍居首位，但相對(duì)于單晶硅電池片而言仍存在著反射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池片與單晶硅太陽能電池片之間的差距，采用織構(gòu)化多晶硅表面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前，多晶硅表面織構(gòu)化的方法主要有機(jī)械刻槽、激光刻槽、反應(yīng)離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等，其中各向同性酸腐制絨技術(shù)的工藝簡單，可以較容易地整合到多晶硅太陽能電池的生產(chǎn)工序中，同時(shí)成本最低，因而在大規(guī) 模的工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應(yīng)用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

花籃/片盒清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 12 - 05

花籃/片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 完美適應(yīng)當(dāng)前所有型號(hào)的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒（Foup片盒）的清洗和干燥系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒，同時(shí)可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒（Foup片盒）三種設(shè)備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力：每次4組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時(shí)12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力：每次8組花籃和片盒清洗產(chǎn)能：每小時(shí)24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒（Foup）加載和清洗能力：每次6組前端開口片盒（Foup片盒）清洗產(chǎn)能：每小時(shí)18組前端開口片盒（Foup片盒）適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標(biāo)準(zhǔn)旋轉(zhuǎn)籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程或是同時(shí)4組花籃和片盒，或是12個(gè)花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對(duì)不同尺寸的片盒和花籃進(jìn)行切換旋轉(zhuǎn)籠內(nèi)的可旋轉(zhuǎn)載體方便加載或卸載花籃和片盒通過控制系統(tǒng)對(duì)自鎖裝置的檢測(cè)，達(dá)到安全加載片盒和花籃，及其運(yùn)行特征和優(yōu)點(diǎn)可應(yīng)用不同化學(xué)品（稀釋劑）來清洗泵傳輸清洗液計(jì)量調(diào)整可通過軟件設(shè)置控制操作熱水噴淋裝置熱水一般由廠務(wù)供應(yīng) — 標(biāo)準(zhǔn)化或有一個(gè)體積約100升的熱水預(yù)備槽（循環(huán)泵和加熱棒用于熱水預(yù)備槽—選項(xiàng)）籠子帶有可變速旋轉(zhuǎn)的控制的高扭矩伺服電機(jī)（按照加載量和設(shè)備配置，最大旋轉(zhuǎn)速度200rpm,）旋轉(zhuǎn)的不銹鋼籠子會(huì)自動(dòng)停止工作（運(yùn)行過程中出現(xiàn)失衡狀態(tài)時(shí)）熱空氣干燥頂端吹下熱空氣采用根據(jù)設(shè)備待機(jī)和工藝運(yùn)行模式的可調(diào)風(fēng)量的風(fēng)扇裝置不銹鋼架上裝有加熱器，可以溫度控制軟件監(jiān)控溫度帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制觸摸屏安裝在前面—標(biāo)準(zhǔn)化也...

RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 07

RCA濕法腐蝕清洗機(jī)設(shè)備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設(shè)備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設(shè)備的研制單位，多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作，研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動(dòng)系列濕法處理設(shè)備設(shè) 備名稱南通華林科納CSE-RCA濕法腐蝕清洗機(jī)使用對(duì) 象硅晶片2-12inch適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等設(shè) 備用途硅晶片化學(xué)腐蝕和清洗的設(shè)備主體構(gòu)造特點(diǎn)1. 設(shè)備包括：設(shè)備主體、電氣控制部分、化學(xué)工藝槽、純水清洗槽等；并提供與廠務(wù)供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體：設(shè)備為半敞開式，主體使用進(jìn)口WPP15和10mm厚板材，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境，堅(jiān)固耐用，雙層防漏，機(jī)臺(tái)底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板，熱焊接而成，可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中；4.骨架：鋼骨架+PP德國勞施領(lǐng)板組合而成，防止外殼銹蝕。5.儲(chǔ)物區(qū)：位于工作臺(tái)面左側(cè)，約280mm寬，儲(chǔ)物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐；6.安全門：前側(cè)下開透明安全門，腳踏控制；7.工藝槽：模組化設(shè)計(jì)，腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個(gè)統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成，杜絕機(jī)臺(tái)的滲漏危險(xiǎn)；8.管路系統(tǒng)：位于設(shè)備下部，所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標(biāo)簽注明；藥液管路采用PFA管，純水管路采用白色NPP噴淋管，化學(xué)腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放；9.電氣保護(hù)：電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機(jī)臺(tái)頂部電控區(qū)，電氣元件有充分的防護(hù)以免酸霧腐蝕以保障設(shè)備性能運(yùn)行穩(wěn)定可靠；所有可能與酸霧接觸的...

片盒清洗機(jī)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 19

片盒清洗機(jī)-華林科納CSE 設(shè)備概況：主要功能：本設(shè)備主要手動(dòng)/自動(dòng)搬運(yùn)方式，通過對(duì)片盒化學(xué)液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進(jìn)行處理，從而達(dá)到一個(gè)用戶要求的效果。設(shè)備名稱：片盒清洗機(jī)設(shè)備型號(hào)：CSE-SC-N259整機(jī)尺寸(參考)：約1700mm（L）×1400mm(W)×2000mm(H)；（該設(shè)備非標(biāo)定制）操作形式：手動(dòng) 設(shè)備組成該設(shè)備主要由清洗部分、抽風(fēng)系統(tǒng)及電控部分組成設(shè)備描述此裝置是一個(gè)手動(dòng)的處理設(shè)備；設(shè)備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等，操作方便；主體材料：德國進(jìn)口 10mmPP 板，優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架，外包 3mmPP 板防腐；臺(tái)面板為德國 10mm PP 板；DIW 管路及構(gòu)件采用日本進(jìn)口 clean-PVC 管材，需滿足 18MW去離子水水質(zhì)要求；采用國際標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)加工，焊接組裝均在萬級(jí)凈化間內(nèi)完成排風(fēng)：位于機(jī)臺(tái)后上部工作照明：上方防酸照明安全考慮：1. 設(shè)有 EMO(急停裝置)2. 強(qiáng)電弱點(diǎn)隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 設(shè)備排風(fēng)口加負(fù)壓檢測(cè)表5. 設(shè)備三層防漏漏盤傾斜漏液報(bào)警設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi) 更多的花籃和片盒清洗機(jī)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（126xa.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096 18913575037可立即獲取免費(fèi)的片盒清洗機(jī)解決方案。

CDS自動(dòng)供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時(shí)間： 2017 - 12 - 06

自動(dòng)供液系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動(dòng)供液系統(tǒng) 適用對(duì)象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進(jìn)行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動(dòng)化程度高，配比精確，操作簡便等特點(diǎn)；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩?dòng)控制模式、自動(dòng)控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動(dòng)供液系統(tǒng)設(shè)備型號(hào)CSE-CDS-N2601設(shè)計(jì)基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運(yùn)送到制程使用點(diǎn)；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺(tái)或者一臺(tái) PTFE材質(zhì)的進(jìn)口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測(cè)器與警報(bào)功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個(gè)桶（自動(dòng)切換）、配兩臺(tái)泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動(dòng)化與親和力。在自動(dòng)模式情形...

晶棒腐蝕機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 06 - 13

設(shè)備名稱：晶棒腐蝕機(jī)---CSE產(chǎn)品描述： ●此設(shè)備自動(dòng)化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動(dòng)機(jī)械傳送裝置,CDS系統(tǒng)，抽風(fēng)系統(tǒng),電控及操作臺(tái)等部分組成; ●進(jìn)口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動(dòng)門（對(duì)開/推拉式），保證設(shè)備外部環(huán)境符合勞動(dòng)保護(hù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以保證設(shè)備操作人員及其周圍工作人員的身體健康; ●機(jī)械臂定位精度高; ●整體設(shè)備腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠; ●設(shè)備成本合理,自動(dòng)化程度高,使用成本低;技術(shù)先進(jìn),結(jié)構(gòu)合理,適宜生產(chǎn)線上大批次操作. ●非標(biāo)設(shè)備，根據(jù)客戶要求具體定制，歡迎詳細(xì)咨詢！更多半導(dǎo)體清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlcas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。

酸堿腐蝕機(jī)

發(fā)布時(shí)間： 2016 - 03 - 14

2設(shè)備構(gòu)成及詳細(xì)技術(shù)說明2.1工藝說明 2.2.臺(tái)面結(jié)構(gòu)圖如下 3.設(shè)備說明3.1 排風(fēng)系統(tǒng)?●排風(fēng)裝置（排風(fēng)壓力、風(fēng)量根據(jù)實(shí)際情況或客戶要求設(shè)計(jì)）將設(shè)備內(nèi)揮發(fā)的有毒氣體抽到車間排風(fēng)管道或戶外（室外排放遵守國家環(huán)保要求），避免擴(kuò)散到室內(nèi)；?●排風(fēng)通道內(nèi)設(shè)有風(fēng)量導(dǎo)流板，從而使排風(fēng)效果達(dá)到最佳；?●本體頂部后方自帶強(qiáng)力抽風(fēng)1個(gè)風(fēng)道口裝置(每個(gè)藥劑槽對(duì)應(yīng)一個(gè))，排風(fēng)口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體；?●排風(fēng)口處設(shè)有手動(dòng)調(diào)節(jié)風(fēng)門，操作人員可根據(jù)情況及時(shí)調(diào)節(jié)排風(fēng)量；3.2設(shè)備防護(hù)門：?●本體前方安裝有防護(hù)隔離門，隔離門采用透明PVC板制成，前門可以輕松開合，在清洗過程中，隔離門關(guān)閉，以盡量改善工作環(huán)境并減小對(duì)人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統(tǒng)?●給水管路為一路去離子水；?●給排水排廢接頭均為活性連接；?●排放方式均采用氣動(dòng)控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統(tǒng)?●采用優(yōu)質(zhì)PLC可編程控制器控制全操作過程， ?●人機(jī)界面為觸摸屏，接口中有手動(dòng)操作、故障報(bào)警、安全保護(hù)等功能，各工作位過程完成提前提示報(bào)警，觸摸屏選用優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品；?●觸摸屏加鎖定，以防非授權(quán)人員修改或設(shè)定參數(shù)；?●所有電控部分需獨(dú)立封閉，帶抽風(fēng)系統(tǒng)，獨(dú)立的配電柜?●設(shè)備照明：設(shè)備其它部位--低電壓燈，根據(jù)工作需要可控照明；?●設(shè)備整體采取人性化設(shè)計(jì)，方便操作；并裝有漏電保護(hù)和聲光報(bào)警提示裝置，保證性能安全可靠；電控部分導(dǎo)線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導(dǎo)線，電氣控制部分內(nèi)部還通有壓縮空氣保護(hù)，可防水耐腐蝕；?●設(shè)備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進(jìn)行保護(hù)，免受腐蝕；?●設(shè)備具有良好的接地裝置；

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闡述LED芯片的生產(chǎn)工藝流程

外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。 MOCVD介紹：金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱 MOCVD）， 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項(xiàng)制備化合物半導(dǎo)體單品薄膜的新技術(shù)。該設(shè)備集精密機(jī)械、半導(dǎo)體材料、真空電子、流體力學(xué)、光學(xué)、化學(xué)、計(jì)算機(jī)多學(xué)科為一體，是一種自動(dòng)化程度高、價(jià)格昂貴、技術(shù)集成度高的尖端光電子專用設(shè)備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導(dǎo)體材料的外延生長和藍(lán)色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設(shè)備之一。 LED芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺(tái)圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測(cè)試。 &#...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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常見濕法蝕刻技術(shù)

腐蝕液被腐蝕物H3PO4(85%):HNO3(65%):CH3COOH(100%):H2O:NH4F(40%）=76：3：15：5：0.01AlNH4(40%):HF(40%)=7:1SiO2,PSGH3PO4(85%)Si3N4HF(49%):HNO3(65%):CH3COOH(100%)=2:15:5SiKOH(3%~50%)各向異向SiNH4OH:H2O2(30%):H2O=1:1:5HF(49%):H2O=1:100Ti ,CoHF(49%):NH4F(40%)=1:10TiSi2

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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倒裝芯片通過銅納米粒子實(shí)現(xiàn)接合低溫化

在半導(dǎo)體封裝技術(shù)國際學(xué)會(huì)“2015 Electronic Components and Technology Conference（ECTC）”上，IBM蘇黎世研究所發(fā)表了用銅納米粒子使銅柱的倒裝芯片接合實(shí)現(xiàn)了低溫化目標(biāo)的成果。雖尚在初步評(píng)測(cè)階段，但擁有可在150℃的低溫下接合的潛在可能，有能緩和組裝時(shí)芯片與封裝間應(yīng)力的優(yōu)點(diǎn)。并且，由于使用銅納米粒子來接合銅柱，因此接合部最終會(huì)僅由銅構(gòu)成的塊。另外，對(duì)電流導(dǎo)致金屬離子移動(dòng)的電遷移還有良好耐受力，稱能夠?qū)崿F(xiàn)可通過大電流的接合。在實(shí)際評(píng)測(cè)的鍵合條件下，向接合部供給銅納米粒子后，以250℃烘烤，將銅納米粒子燒結(jié)成體塊。此前人們知道的接合銅表面的方法是熱壓鍵合，但其量產(chǎn)的門檻較高。存在如對(duì)接合部的平坦性的要求精度較高、要求接合面清潔以及要在400℃高溫下高壓接合等課題。此次的技術(shù)若能實(shí)用化，便可輕松實(shí)現(xiàn)僅由銅構(gòu)成的體塊接合，具有很大的優(yōu)點(diǎn)。公開接合方法和接合后的強(qiáng)度評(píng)測(cè)結(jié)果此次發(fā)布的成果，尚未進(jìn)入電遷移評(píng)測(cè)階段，只報(bào)告了接合方法和接合后的強(qiáng)度評(píng)測(cè)結(jié)果。該研究所表示，嘗試了兩種向銅柱與焊盤間供給銅納米粒子的方法。 ...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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功率半導(dǎo)體器件主要工藝生產(chǎn)技術(shù)

（1）外延工藝技術(shù) 外延工藝是根據(jù)不同硅源（SIH2CL2、SIHCL3、SICL4），在1100-1180℃溫度下在硅片表面再長一層/多層本征（不摻雜）、N型（摻PH3）或P型（摻B2H6）的單晶硅，并把硅層的厚度和電阻率，厚度和電阻率的均勻性、表面的缺陷控制在允許范圍內(nèi)。功率半導(dǎo)體器件的外延生產(chǎn)工藝技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)一般要求達(dá)到厚度40-80±5um, 厚度和電阻率均勻性控制在5%以內(nèi)。（2）光刻工藝技術(shù) 光刻工藝是半導(dǎo)體工藝技術(shù)中最關(guān)鍵的技術(shù)之一，也是反映半導(dǎo)體工藝技術(shù)水平的重要指標(biāo)。光刻工藝是將掩膜（光刻板）圖形轉(zhuǎn)移到襯底表面的光刻膠上形成產(chǎn)品所需要圖形的工藝技術(shù)，光刻機(jī)的精度一般是指光刻時(shí)所得到的光刻圖形的最小尺寸。分辨率越高,就能得到越細(xì)的線條，集成度也越高。對(duì)于高端Trench工藝技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件，光刻生產(chǎn)工藝采用8英寸硅片，0.5um技術(shù)。（3）刻蝕工藝技術(shù) 刻蝕是用物理或化學(xué)的方法有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程，刻蝕的基本作用是準(zhǔn)確地復(fù)制掩膜圖形，以保證生產(chǎn)線中各種工藝正常進(jìn)行。濕法刻蝕是通過合適...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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硅行業(yè)專業(yè)術(shù)語（上）

Acceptor - An element,such as boron,indium,and gallium used to create a free hole in a semiconductor.The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主——一種用來在半導(dǎo)體中形成空穴的元素，比如硼、銦和鎵。受主原子必須比半導(dǎo)體元素少一價(jià)電子。 Alignment Precision - Displacement of patterns that occurs during the photolithography process. 套準(zhǔn)精度——在光刻工藝中轉(zhuǎn)移圖形的精度。 Anisotropic - A process of etching that has very little or no undercutting 各向異性——在蝕刻過程中，只做少量或不做側(cè)向凹刻。 Area Contamination - Any foreign particles or material that are found on the surface of a wafer. This is viewed as d...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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硅行業(yè)專業(yè)術(shù)語（下）

Haze - A mass concentration of surface imperfections, often giving a hazy appearance to the wafer. 霧度 - 晶圓片表面大量的缺陷，常常表現(xiàn)為晶圓片表面呈霧狀。 Hole - Similar to a positive charge, this is caused by the absence of a valence electron. 空穴 - 和正電荷類似，是由缺少價(jià)電子引起的。 Ingot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 晶錠 - 由多晶或單晶形成的圓柱體，晶圓片由此切割而成。 Laser Light-Scattering Event - A signal pse that locates surface imperfections on a wafer. 激光散射 - 由晶圓片表面缺陷引起的脈沖信號(hào)。 Lay - The main direction of s...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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硅晶片（單晶、多晶、硅片）知識(shí)掃盲

硅晶片硅是一種灰色、易碎、四價(jià)的非金屬化學(xué)元素。地殼成分中27.8%是硅元素構(gòu)成的，其次是氧元素，硅是自然界中最豐富的元素。在石英、瑪瑙、燧石和普通的灘石中就可以發(fā)現(xiàn)硅元素。硅是建筑材料水泥、磚、和玻璃中的主要成分，也是大多數(shù)半導(dǎo)體和微電子芯片的主要原料。有意思的是，硅自身的導(dǎo)電性并不是很好。然而，可以通過添加適當(dāng)?shù)臄v雜劑來精確控制它的電阻率。制造半導(dǎo)體前，必須將硅轉(zhuǎn)換為晶圓片。這要從硅錠的生長開始。單晶硅是原子以三維空間模式周期形成的固體，這種模式貫穿整個(gè)材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小單晶體單獨(dú)形成的，不能用來做半導(dǎo)體電路。多晶硅必須融化成單晶體，才能加工成半導(dǎo)體應(yīng)用中使用的晶圓片。加工硅晶片生成一個(gè)硅錠要花一周到一個(gè)月的時(shí)間，這取決于很多因素，包括大小、質(zhì)量和終端用戶要求。超過 75%的單晶硅晶圓片都是通過直拉生長法（Czochralski (CZ)）生長的。CZ 硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為攙雜。&#...

發(fā)布時(shí)間: 2016 - 03 - 23

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華林科納CSE硅片有機(jī)清洗機(jī)?

設(shè)備概述華林科納CSE硅片有機(jī)清洗機(jī)，設(shè)備設(shè)計(jì)由華林科納聘請(qǐng)的從事半導(dǎo)體生產(chǎn)的專家親自指導(dǎo)，采用國際先進(jìn)的生產(chǎn)加工工藝，在超凈廠房組裝測(cè)試，有可靠的質(zhì)量保障。設(shè)備由不銹鋼骨架，外包10mm厚瓷白防火PP板，潔凈美觀，耐腐蝕。電控面板置于機(jī)臺(tái)上方，方便操作，并有防腐蝕保護(hù)，具有嚴(yán)格的安全防護(hù)措置。此設(shè)備腐蝕清洗裝置主要是浸泡式清洗腐蝕、清洗主體(槽體部分/管路部分等),抽風(fēng)系統(tǒng)，電控及操作臺(tái)等部分組成，腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠。適用于4、6、8英寸硅片的清洗處理，腐蝕漂洗能力強(qiáng),性能穩(wěn)定,安全可靠。設(shè)備結(jié)構(gòu) ※ 此設(shè)備腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕、清洗主體(槽體部分/管路部分等),抽風(fēng)系統(tǒng),機(jī)械臂，電控及操作臺(tái)等部分組成; ※ 設(shè)備工藝流程:根據(jù)設(shè)備所放場地布置要求(與客戶溝通確定),設(shè)備左進(jìn)右出，經(jīng)手動(dòng)放置上料位→AB清洗槽→AB清洗槽→DI沖水槽→HCL清洗槽→DI溢流槽→下料臺(tái)，工藝處理合格后經(jīng)操作人員手動(dòng)下料; ※ 安全門：進(jìn)口優(yōu)質(zhì)透明PVC活動(dòng)門（左右、上下推拉式），防止有毒氣體揮發(fā)到室內(nèi)，保證設(shè)備外部環(huán)境符合勞動(dòng)保護(hù)的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，以保證設(shè)備操作人員及其周圍工作人員的身體健康； ※ ...

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化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)

化學(xué)機(jī)械研磨技術(shù)（化學(xué)機(jī)器磨光， CMP）兼具有研磨性物質(zhì)的機(jī)械式研磨與酸堿溶液的化學(xué)式研磨兩種作用，可以使晶圓表面達(dá)到全面性的平坦化，以利后續(xù)薄膜沉積之進(jìn)行。在CMP制程的硬設(shè)備中，研磨頭被用來將晶圓壓在研磨墊上并帶動(dòng)晶圓旋轉(zhuǎn)，至于研磨墊則以相反的方向旋轉(zhuǎn)。在進(jìn)行研磨時(shí)，由研磨顆粒所構(gòu)成的研漿會(huì)被置于晶圓與研磨墊間。影響CMP制程的變量包括有：研磨頭所施的壓力與晶圓的平坦度、晶圓與研磨墊的旋轉(zhuǎn)速度、研漿與研磨顆粒的化學(xué)成份、溫度、以及研磨墊的材質(zhì)與磨損性等等。

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半導(dǎo)體晶圓在晶圓廠的時(shí)間通常有80%以上花費(fèi)在等待、運(yùn)輸與儲(chǔ)存方面。在這些長時(shí)間的非處理時(shí)期，潔凈室空氣、結(jié)構(gòu)材料和/或先前處理工序可能會(huì)對(duì)晶圓表面造成分子級(jí)污染。隨著關(guān)鍵尺寸的持續(xù)縮小以及新技術(shù)/材料/處理方法的推出，設(shè)備對(duì)空氣分子污染物(AMC)已經(jīng)變得更加敏感。惰性氣體相對(duì)安定氮?dú)鈨艋尚聦?#160; 惰性氣體凈化是一種提供化學(xué)潔凈與穩(wěn)定晶圓環(huán)境的技術(shù)。這種技術(shù)尤其有助于去除來自先前處理工序的逸散/殘留氣體，特別是腐蝕性氣體。氧化、接觸形式、酸蝕刻以及光刻都是首先需要這種技術(shù)能力的處理方法。銅互連與低-K電介質(zhì)的面世進(jìn)一步推動(dòng)了這種需求。氧氣與濕氣的存在能夠影響自然氧化層的發(fā)展，減少硅化物的厚度，進(jìn)而提高表面電阻，生成微粒、引起腐蝕，并加速化學(xué)污染。由于其高反應(yīng)性以及和鄰近水分子和/或其它化學(xué)物類形成氫鍵的可能性，濕氣比氧氣和大部分其它化學(xué)物類更難從晶圓環(huán)境中清除。惰性氣體微環(huán)境也許是晶圓儲(chǔ)存與運(yùn)輸?shù)睦硐胄徒鉀Q方案，能夠?yàn)閷?duì)氧氣及濕氣敏感的產(chǎn)品或工序提供保護(hù)。C. Weibe、S. Abu-Zaid和H. Zhang發(fā)現(xiàn)持續(xù)用氮?dú)膺M(jìn)行晶圓盒凈化能夠長期顯著減少硅表面的自然氧化層...

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