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發(fā)布時間: 2016 - 06 - 22
晶片凸點電鍍設備-南通華林科納CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后,送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝(DIP),還是四邊引線扁平封裝(QFP),封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小,所以要求器件的體積越小越好,像有300多個引出端的液晶顯示器(LCD)驅(qū)動電路,必須采用WLP的芯片尺寸封裝(CSP)。有些特殊的高頻器件,為了減小引線電感的影響,要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下,華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點,例如金凸點、焊料凸點、銦凸點,然后直接倒裝焊在相應的基板上。  更多晶圓電鍍設備可以關注南通華林科納半導體設備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 08
IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產(chǎn)量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū),它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi),各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內(nèi)的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內(nèi)腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調(diào)整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡合物,利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻,現(xiàn)在大部分都改為...
發(fā)布時間: 2016 - 03 - 07
設備名稱:高溫磷酸清洗機設備型號:CSE-SZ2011-16整機尺寸:約2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)節(jié)拍:根據(jù)實際工藝時間可調(diào)清洗量:批量清洗時,采用提籃裝片,單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于25片4"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于20片6"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機殼,優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架,外包3mmPP板防腐機臺底部:廢液排放管路,防漏液盤結(jié)構機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且通過可調(diào)式地腳,可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構件采用日本積水CL-PVC管材,排水管路材質(zhì)為PP管排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板(帶有圓形漏液孔,清除臺面殘留液體)附件:水、氣槍左右各兩套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制;安全保護裝置:      ●設有EMO(急停裝置),       ●強電弱點隔離      ●設備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖:各槽工藝參數(shù)
發(fā)布時間: 2017 - 12 - 06
芯片鍍金設備-南通華林科納CSE   晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領域中應用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍設備針對這些應用研發(fā)和生產(chǎn)的,對所有客戶提供工藝和設備一體化服務。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類,適合不同客戶的需求。 設備名稱南通華林科納CSE-芯片鍍金設備應用領域:半導體、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具體應用:電鍍、電鑄工藝類型:電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圓尺寸:8inch或以下尺寸,單片或多片基本配置:操作臺(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)設備功能和特點(不同電鍍工藝配置有所差異) 1. 產(chǎn)品名稱:芯片鍍金設備 2. 產(chǎn)品系列:CSE-XL3. 晶圓尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng),內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料:勞士領PP 6. 四面溢流設計 7. 溫度控制系統(tǒng):70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng),流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置,頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺,風量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系:均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5% 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 126xa.cn 400-8768-096 ;18913575037更多晶圓電鍍設備可以關注南通華林科納半導體設備官網(wǎng)www.hlkncse...
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 06
黑硅制絨—華林科納CSEBlack silicon cloth with soft nap長期以來,多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決,制約了電池效率的進一步提升。濕法黑硅技術成功解決了這一難題,該技術將來勢必成為多晶電池的標配技術。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨,形成蠕蟲狀的坑洞;而單晶采用堿制絨,形成金字塔結(jié)構的絨面。相比單晶電池,常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%(絕對值)。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關鍵。成本方面,單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣,成本大幅下降;而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配,具體講,金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后,反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷,嚴重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術完美的解決以上問題,既能提升電池效率又能降低電池成本,是多晶電池繼續(xù)進步的必由之路。 設備名稱CSE-黑硅制絨設備用途單晶/多晶太陽能電池片的金剛線切割后制絨產(chǎn)能3600-4000PCS/H;年產(chǎn)能120MW正常運作時間23h/d裝片量200pcs碎片率轉(zhuǎn)換效率金剛線切割多晶硅片較傳統(tǒng)酸制絨砂漿切割多晶硅片提升效率0.2%以上反射率16%~18%轉(zhuǎn)化效率可以達到18.9-19.2%外觀檢查金剛線切割多晶黑硅絨面均勻,晶界模糊,無色差;安裝調(diào)試時間 技術硅片類型多晶片效率提升范圍 %功率提升范圍 W濕法砂漿0.3-0.44-6濕法金剛線0.4-0.54-6干法砂漿0.5-0.65-7干法金剛線0.5-0.75-7 更多黑硅制絨清洗相關設備,可以關注網(wǎng)址:http://126xa.cn,熱線:400-8768-096,18913575037
發(fā)布時間: 2017 - 04 - 05
單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2"-12";可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節(jié)約成本(藥液循環(huán)利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網(wǎng),關注http://126xa.cn ,400-8768-096,18913575037
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全自動硅料清洗機 ---華林科納CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產(chǎn)工藝流程為:預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽能電池片濕法設備主要技術特點:1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計;2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運營成本;3.多通道注入結(jié)構實現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證;5.適應性強的工藝過程控制。特點:1)主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構,便于清洗和排渣;  6)設備設有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達到更好的清洗效果;7)頂部設有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機界面操作顯示能根據(jù)實際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽能光伏清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
全自動硅芯硅棒清洗機---CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產(chǎn)工藝流程為:預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽能電池片濕法設備主要技術特點:1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計;2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運營成本;3.多通道注入結(jié)構實現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證;5.適應性強的工藝過程控制。產(chǎn)品描述1)主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構,便于清洗和排渣;  6)設備設有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達到更好的清洗效果;7)頂部設有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機界面操作顯示能根據(jù)實際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽能光伏清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlcas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
顯影清洗機CSE-南通華林科納微機電系統(tǒng)(MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產(chǎn)工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設備概述設備名稱:顯影清洗機整機尺寸:約1000mm(L) ×1260mm(W) ×1900mm(H)(具體尺寸根據(jù)實際圖紙確定)主體構造特點設備包括設備主體、電氣控制部分、顯影清洗槽等;并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等主體設備主體使用德國勞士林10mm瓷白PP骨架SUS304+PP德國勞士領板組合而成安全門設備安裝高透明PVC上下推拉安全門,分隔與保護人員安全;邊緣處設備密封條臺面高度約900mm,適合高于1.5米人群操作工藝槽模組化設計,放置在同一個承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機臺的滲漏危險。管路系統(tǒng)位于設備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明;藥液管路采用勞士林PP管,純水管路采用積水CL-PVC管,廢液可通過專用管道排放電氣保護電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區(qū),電氣元件有充分的防護以免腐蝕以保障設備性能運行穩(wěn)定可靠。工作照明上方防酸型照明220V 40W 可更換水氣槍機臺前部配備有PP純水槍和PP CDA槍各一只置左右兩側(cè),水槍滴漏活水設計,方便操作員手工清洗槽體或工件機臺支腳有滑輪裝置及固定裝置并加防腐座,并且有高低調(diào)整及鎖定功能安全保障完善的報警和保護設計,排風壓力、液位、排液均有硬件或軟件互鎖,直觀的操作界面,清晰的信息提示,保障了生產(chǎn)、工藝控制和安全性三色警示...
全自動制絨清洗機設備--CSE南通華林科納CSE密切跟蹤太陽能光伏行業(yè)發(fā)展,致力于“設備+工藝”的研發(fā)模式,現(xiàn)生產(chǎn)的單多晶制絨設備已經(jīng)形成了良好的客戶基礎和市場影響。生產(chǎn)工藝流程為:預清洗→制絨→擴散→刻蝕→去PSG→PECVD→印刷→燒結(jié)太陽能電池片濕法設備主要技術特點:1.獨特的雙槽制絨工藝槽設計;2.分立式加熱系統(tǒng)保證溶液均勻性并降低運營成本;3.多通道注入結(jié)構實現(xiàn)制絨工藝槽溶液均勻性控制;4.機械傳動特殊設計及人性化安全保證;5.適應性強的工藝過程控制。產(chǎn)品描述1)主要用于對硅材料行業(yè)中多晶硅塊進行清洗干燥處理。2)工藝流程:根據(jù)客戶需求定制,可處理腐蝕、清洗、超聲、加熱、干燥、上料 、噴淋 、酸洗、漂洗、下料等工藝;3)控制方式:手動或自動4)材質(zhì):根據(jù)客戶及工藝需求選用,可選PP、PVC、PVDF、石英、不銹鋼等材質(zhì),保證設備的耐用性;5)槽體的槽底均為傾斜漏斗式結(jié)構,便于清洗和排渣;  6)設備設有旋轉(zhuǎn)裝置使工件達到更好的清洗效果;7)頂部設有排霧系統(tǒng)結(jié)合酸霧塔進行廢霧、廢水處理避免污染環(huán)境;8)PLC控制人機界面操作顯示能根據(jù)實際情況更改清洗參數(shù)。更多的太陽能單晶多晶硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(www.hlcas.com),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
晶圓清洗機設備名稱:晶圓清洗機-CSE產(chǎn)品特點:? 針對21英寸外徑或15x15英寸的基底? 巨聲環(huán)境清洗艙(可配備去離子水, 清洗刷, 熱去離子水, 高壓去離子水, 熱氮氣)? 化學注射臂? 帶化學噴射的可變速清洗刷? 觸屏用戶界面? 手動上下載? 安全鎖和報警器? 占地尺寸30”D x 26”W 可選配項:? 化學試劑傳送單元? 白骨化清洗? 臭氧發(fā)生器? 氫化雙氧水發(fā)生器? 高壓雙氧單元? 硫酸氫過氧化物? 紅外加熱? 雙氧水循環(huán)裝置? 機械手上下載單元? 帶EFEM和SMIF界面的 集群系統(tǒng)清洗功能? 晶圓片? 藍寶石外延片? 晶圓框架上的芯片? 顯示面板? ITO膜顯示材料? 有圖形掩膜和無圖形掩膜? 掩膜坯料? 薄膜式掩膜? 接觸式掩膜光刻處理工藝? SPM剝離? 光刻膠涂膜? 光刻膠剝離工藝刻蝕? 金屬刻蝕(鋁,銅,鉻,鈦)白骨化清洗? 在晶圓片上注射硫酸和雙氧水的混合液? 紅外加熱? 刷洗? 兆聲雙氧水清洗? 熱氮和甩干去膠/剝離工藝? 帶紅外加熱的NMP滴膠? 刷洗? 兆聲雙氧水清洗? 熱氮和甩干CMP溶液清洗? 用刷洗和兆聲清洗去除CMP顆粒? 化學噴射臂? 化學噴射罐? 為前面和背面刷洗設計的特殊托盤? 可調(diào)速的PVA清洗刷? 可調(diào)的清洗刷/晶圓接觸壓力? 刷式化學噴射帶膜/不帶膜式掩膜清洗? 全套清洗(無需更換保護膜)? 全保護膜? 膜式掩膜清洗工藝 1)  掩膜背面清洗后 兆聲雙氧水清洗 刷式清洗 化學清洗 熱氮甩干 2)熱氮甩干更多半導體設備可以關注南通華林科納半導體設備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的設備相關方案
無機清洗機?設備名稱:無機清洗機?設備型號:CSE-JR11-WJ04?整機尺寸(參考):約2000mmL×1400mmW×2000mmH;?硅片尺寸:2寸~6寸?工作環(huán)境:室內(nèi)放置;?操作形式:手動?重量:650Kg( 大約);蘇州華林科納半導體設備技術有限公司由中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所合資成立于2008年3月,投資4500萬元。主要從事半導體設備、太陽能光伏設備、液晶濕制程設備、真空設備的研發(fā)、技術推廣和生產(chǎn)銷售。
硅片濕法清洗技術與設備---華林科納CSE硅片制造過程中,在進行下一步工藝前要獲得 一個潔凈的表面,以保證后道工藝能再一個完全潔 凈的表面上進行,這就需要對硅片進行清洗。清洗是硅片制造過程中重復次數(shù)最多的工藝。目前,在 清洗工藝中使用最多的就是濕法清洗技術,華林科納半導體設備公司的硅片濕法腐蝕清洗機在半導體行業(yè)得到了很多客戶的認可.1 硅片濕法清洗的種類1.1 刷洗刷洗是去除硅片表面顆粒的一種直接而有效的方法,該清洗技術一般用在切割或拋光后的硅片清洗上,可高效地清除拋光后產(chǎn)生的大量顆粒。刷洗一般有單面或雙面兩種模式,雙面模式可同時清洗硅片的兩面。刷洗有時也與超聲及去離子水或化學液一起配合使用,以達到更好的清洗效果和更高的清洗效率。1.2 化學清洗1.2.1 RCA 清洗20 世紀 60 年代,由美國無線電公司(RCA)研發(fā)了用于硅片清洗的 RCA 清洗技術,這種技術成為后來各種化學清洗技術的基礎,現(xiàn)在大多數(shù)工廠所使用的清洗技術都是基于最初的 RCA 清洗法。RCA 清洗是按照一定的順序依次浸入兩種標準清洗液(SC-1 和 SC-2)中來完成,這兩種清洗液的使用溫度一般在 80 ℃以內(nèi),有時也需要將溶液冷卻到室溫以下。1.2.2 改進的 RCA 清洗RCA 清洗一般都需要在高溫下進行,并且化學液的濃度很高,這樣就造成大量消耗化學液和去離子水的問題。目前,很少有人還按照最初的 RCA化學液配比進行濕法清洗。在 RCA 清洗的基礎上,采用稀釋化學法,將SC-1、SC-2 稀釋到 100 倍以上,也可以達到甚至超過最初的 RCA 清洗效果。改進的 RCA 清洗方法最大的好處是減少了化學液的消耗,可使化學液的消耗量減少 85﹪以上。另外,附加兆聲或超聲能量后,可大大降低溶液的使用溫度和反應時間,提高溶液的使用壽命,大幅度降低了生產(chǎn)成本,同時,低濃度化學液對人體健康和安全方面...
晶片清洗機設備名稱:晶片清洗機-華林科納CSE清洗對象:本設備適用于2″~8″晶片清洗。 ⑴超聲清洗,加熱清洗為單槽定時控制,到時給予結(jié)束提示音。⑵工藝過程:上料→支離子水超聲清洗→去離子水加熱清洗→去離子水沖洗→ 下 料 本設備為柜體式,操作面帶有透明門窗。⑴槽體材料為德國進口聚丙烯(磁白色PP板),焊口采用SS外包5mm厚德國磁白色PP板,外型美觀實用。 ⑵設備超聲,加熱清洗時間由定時器控制。 ⑶加熱槽裝有溫控表(pompon)和傳感器。 ⑷每個清洗槽互不影響,超聲、沖洗清洗槽的上給水(沖洗清洗槽配有熱水)、下排水為手動方式。 ⑸配有可調(diào)節(jié)式的排風裝置。 ⑹配有美國進口氮氣噴槍。 ⑺電控部分采用密封保護方式配有緊急停機及報警裝置。更多半導體設備可以關注南通華林科納半導體設備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的設備相關方案
太陽能硅片制絨腐蝕清洗機-CSE在光伏發(fā)電領域,由于多晶硅電池片成本較低,其 市 場 占有率已躍居首位,但相對于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距,采用織構化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前,多晶硅表面織構化的方法主要有機械刻槽、激光刻槽、反應離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等,其中各 向同性酸腐制絨技術的工藝簡單,可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產(chǎn)工序中,同時成 本 最 低,因 而 在 大 規(guī) 模 的工業(yè)生產(chǎn)中得到了廣泛的應用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(wǎng)(126xa.cn),現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
RCA濕法腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內(nèi)最早致力于集成電路濕法設備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產(chǎn)企業(yè)密切合作,研制開發(fā)出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備設 備 名  稱南通華林科納CSE-RCA濕法腐蝕清洗機使 用 對 象硅晶片2-12inch適 用 領  域半導體、太陽能、液晶、MEMS等設 備 用 途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備主體構造特點1. 設備包括:設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統(tǒng)配套的接口等。2.設備為半敞開式,主體使用進口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅固耐用,雙層防漏,機臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中3.主體:設備為半敞開式,主體使用進口WPP15和10mm厚板材,結(jié)構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環(huán)境,堅固耐用,雙層防漏,機臺底盤采用德國產(chǎn)瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環(huán)境中;4.骨 架:鋼骨架+PP德國勞施領板組合而成,防止外殼銹蝕。5.儲物區(qū):位于工作臺面左側(cè),約280mm寬,儲物區(qū)地板有漏液孔和底部支撐;6.安全門:前側(cè)下開透明安全門,腳踏控制;7.工藝槽:模組化設計,腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統(tǒng)一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機臺的滲漏危險;8.管路系統(tǒng):位于設備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明;藥液管路采用PFA管,純水管路采用白色NPP噴淋管,化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放;9.電氣保護:電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區(qū),電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設備性能運行穩(wěn)定可靠;所有可能與酸霧接觸的...
紅外器件清洗機設備名稱:紅外器件清洗機-CSE產(chǎn)品特點:設備由預洗槽、超聲波清洗槽、漂洗槽、超聲波電源柜等組成。清洗槽材質(zhì)為不銹鋼,經(jīng)久耐用。預洗槽底部設置了壓力噴嘴,使浸泡過程中靜止的液體變?yōu)榱鲃拥囊后w,上下翻滾,形成湍流,有效去除散熱片狹縫中的污物。超聲波清洗槽底部、側(cè)面均設置了換能器,使被清洗的工件表面得到均勻的聲強。在超聲作用下,采用水劑代替煤油或有機溶劑進行清洗,可顯著降低清洗成本。更多半導體設備可以關注南通華林科納半導體設備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨詢400-8768-096,18913575037,可立即免費獲取華林科納CSE提供的設備相關方案
溝槽腐蝕機-CSE概述1.1 設備概況:主要功能:本設備主要手動搬運方式,通過對si片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。1.1.1 設備名稱:溝槽腐蝕機1.1.2 設備型號:CSE-SC-N6011.1.3 整機尺寸(參考):約2000mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);1.1.4 被清洗硅片尺寸:5寸/6寸1.1.5 設備形式:室內(nèi)放置型;1.1.6 操作形式:手動1.2 設備組成該設備主要由清洗部分、抽風系統(tǒng)及電控部分組成設備工藝走向:參照本方案臺面布局圖1.3 設備描述●此裝置是一個半自動的處理設備。●8.0英寸PROFACE 人機界面顯示 / 檢測 / 操作●主體材料:10mmPP板,優(yōu)質(zhì)不銹鋼骨架,外包3mmPP板防腐;●化學槽槽體材料:德國勞士領 10mm  PVDF板;●純水槽槽體材料:德國勞士領 10mm  NPP板;●臺面板為10mm PP板(帶有菱形漏液孔);●DIW主管路及構件采用日本進口clean-PVC管材,支管路及閥件采用PFA材質(zhì),需滿足18M去離子水水質(zhì)要求;酸 堿管路材質(zhì)為進口PFA/PVDF;●采用國際標準生產(chǎn)加工,焊接組裝均在萬級凈化間內(nèi)完成●排風:位于機臺后下部●工作照明:上方防酸型白光照明●歐姆龍/三菱 PLC控制?!癜踩紤]:1. 設有EMO(急停裝置), 2. 強電弱點隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 電控箱正壓裝置(CDA Purge)5. 設備三層防漏  樓盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內(nèi)6. 排放管路加過濾裝置7 排液按鈕具有連鎖功能。啟動排液時,同時切斷泵啟動。8 槽內(nèi)配液位開關,無液不循環(huán)。更多半導體設備可以關注南通華林科納半導體設備官網(wǎng)126xa.cn;現(xiàn)在咨...
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